描述

　　lfc789d25是一個雙FET的線性控制器，簡化了雙電源設(shè)計。該裝置由兩個獨立的控制器組成，每個控制器驅(qū)動外部MOSFET實現(xiàn)低壓差。調(diào)節(jié)器。一個控制器編程規(guī)范固定的2.5 - V的輸出，而第二控制器可以編程通過參考輸入引腳調(diào)節(jié)任何期望的輸出電壓，允許創(chuàng)建一個跟蹤調(diào)節(jié)器往往需要終止計劃。而且，由于外部FET的熱效應(yīng)易于分離的控制器，控制器可以調(diào)節(jié)輸出電壓達到最大值。溫度和載荷對2%的容忍度。

　　lfc789d25允許設(shè)計者很大的靈活性選擇外部元件和拓撲實現(xiàn)其特定的電源需求。適當(dāng)?shù)纳幔O(shè)計師可以建立一個調(diào)節(jié)器。與現(xiàn)有的外部MOSFET和電源允許的能力。而且，因為調(diào)節(jié)器的退出僅僅是外部功率MOSFET的RDS（on）和負載電流的乘積，通過適當(dāng)選擇功率MOSFET，可以實現(xiàn)非常低的電壓降。

　　包裝在8引腳SOIC和TSSOP封裝的lfc789d25節(jié)省空間，特點是操作從0°C70°C.

　　兩個獨立控制器調(diào)節(jié)：

　　?2.5-V固定和可調(diào)輸出

　　?±2%（最大）的監(jiān)管

　　溫度和負荷（1毫安到3 A）可調(diào)輸出可通過外部參考引腳，允許創(chuàng)建跟蹤調(diào)節(jié)器

　　偉大的設(shè)計靈活性，以最小的外部組件

　　應(yīng)用：高電流，Low Dropout

　　監(jiān)管機構(gòu)：

　　?DDR / RDRAM內(nèi)存終止

　　?主板

　　?芯片的I / O

　　?GTLP的終止