why care負(fù)載電容
　　負(fù)載電容（load capacitance）常用的標(biāo)準(zhǔn)值有12.5 pF，16 pF，20 pF，30pF，負(fù)載電容與石英諧振器一起決定振蕩器的工作頻率，通過調(diào)整負(fù)載電容，一般可以將振蕩器的工作頻率調(diào)到標(biāo)稱值。
　　負(fù)載電容和諧振頻率之間的關(guān)系不是線性的，負(fù)載電容變小時，頻率偏差量變大；負(fù)載電容提高時，頻率偏差減小。下圖是一個晶體的負(fù)載電容和頻率的誤差的關(guān)系圖。
　　
　　圖1、晶振誤差— 負(fù)載電容（22 pF 負(fù)載電容）
　　負(fù)載電容的定義
　　從石英晶體插腳兩端向振蕩電路方向看進去的全部有效電容為該振蕩電路加給石英晶體的負(fù)載電容。石英晶體的負(fù)載電容的定義如下式：
　　
　　圖1中標(biāo)示出了CG，CD，CS的的組成部分。
　　
　　圖1、晶體振蕩電路的概要組成
　　CG指的是晶體振蕩電路輸入管腳到gnd的總電容（比如 USB PHY的USB_XI信號到地）。容值為以下三個部分的和。
　　● USB_XI管腳到gnd的寄生電容， Ci
　　● 晶體-震蕩電路XI的PCB走線到到gnd的寄生電容，CPCBXI
　　● 電路上另外增加的并聯(lián)到gnd“負(fù)載電容”， CL1
　　CD指的是晶體振蕩電路輸入管腳到gnd的總電容（比如 USB PHY的USB_XO信號到地）。容值為以下三個部分的和。
　　● USB_XO管腳到gnd的寄生電容， Co
　　● 晶體-震蕩電路XO的PCB走線到到gnd的寄生電容，CPCBXO
　　● 電路上另外增加的并聯(lián)到gnd“負(fù)載電容”， CL2
　　CS指的晶體兩個管腳之間的寄生電容（shunt capacitance），在晶體的規(guī)格書上可以找到具體值，一般0.2pF~8pF不等。如圖二是某32.768KHz的電氣參數(shù)，其寄生電容典型值是0.85pF（在表格中采用的是Co）。