一、多晶硅電池與單晶硅電池的比較

　　多晶硅太陽(yáng)電池與單晶硅太陽(yáng)電池相比有如下特點(diǎn)：

　?。?）比起單晶硅，多晶硅硅片更適合用純度相對(duì)較低的原材料，且有更大的裝填量，目前常見(jiàn)的多晶硅錠達(dá)到 250~270 千克。

　?。?）多晶硅太陽(yáng)電池是標(biāo)準(zhǔn)正方形，與準(zhǔn)方形的單晶硅太陽(yáng)電池相比多晶硅太陽(yáng)電池在組件封裝有更高的占空比。

　?。?）制備多晶硅晶錠比制備單晶硅晶錠耗費(fèi)更少的能量，相同時(shí)間內(nèi)可冷凝更多的多晶硅晶錠，生產(chǎn)效率更高。

　　（4）多晶硅和單晶硅太陽(yáng)電池內(nèi)在品質(zhì)和在同一環(huán)境下的使用壽命相同。

　?。?）單晶硅太陽(yáng)電池較易實(shí)現(xiàn)薄片制備，而多晶硅太陽(yáng)電池則較難實(shí)現(xiàn)薄片制備。單晶硅與多晶硅太陽(yáng)電池各有優(yōu)缺點(diǎn)，目前兩種電池都在并行發(fā)展。

　　多晶硅片是由很多不同的單晶硅組成，各單晶晶粒晶向不同，形狀也不規(guī)則。同一晶粒內(nèi)部原子排列呈周期性和有序性。多晶硅與單晶硅的主要區(qū)別是不同晶向的晶粒間存在晶界。晶粒間結(jié)構(gòu)復(fù)雜，硅原子無(wú)序排列，可能存在深能級(jí)缺陷的雜質(zhì)。一方面，界面耗盡了晶界附近的載流子形成具有一定寬度的耗盡層和勢(shì)壘；另一方面，作為復(fù)合中心浮獲電子和空穴。晶界勢(shì)壘阻礙載流子的傳輸，增大了串聯(lián)電阻；晶界的復(fù)合損失減低了收集率，增加了暗電流；對(duì)填充因子不利，對(duì)開(kāi)路電壓和短路電流也不利。還有，晶粒晶界內(nèi)存在相對(duì)較多的雜質(zhì)，形成漏電電流降低電池的并聯(lián)電阻。同一多晶硅硅片的晶粒越小晶界越多，增大晶粒尺寸可以減少晶界的量，提高多晶硅的性能。

　　鑒于多晶硅的以上結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。多晶硅太陽(yáng)電池制作過(guò)程中各個(gè)環(huán)節(jié)均與單晶硅太陽(yáng)電池的制作具備不同的特點(diǎn)。