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硅基MEMS振蕩器的頻率溫度系數(shù)高達(dá)-30 ppm/℃，是石英晶體振蕩器的100倍以上，因此必須進(jìn)行頻率溫度補(bǔ)償。靜電反饋是一種低功耗補(bǔ)償技術(shù)，但是靜電力小，對(duì)于頻率較高的振蕩器效果不理想。設(shè)計(jì)了一種具有高Q值的I2BAR結(jié)構(gòu)的高頻振蕩器，通過(guò)優(yōu)化振蕩結(jié)構(gòu)、制作納米尺度間隙、采用高摻雜襯底來(lái)提高靜電反饋的作用。建立了器件的機(jī)電耦合解析模型，并根據(jù)器件的物理結(jié)構(gòu)和尺寸建立了包含寄生效應(yīng)的等效電學(xué)模型，進(jìn)行PSpice仿真。實(shí)驗(yàn)測(cè)得振蕩器在30 Pa氣壓下具有48 000的Q值，當(dāng)電壓從IV增加到25 V，頻率變化-1 194 ppm，頻率溫度特性為-14 ppm／℃，表明通過(guò)靜電反饋能夠補(bǔ)償85℃范圍內(nèi)溫度變化引起的頻率偏移。
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