本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理等資料合集說明包括了：IGBT 的基本結(jié)構(gòu)，IGBT 的工作原理和工作特性，IGBT 的擎住效應(yīng)和安全工作區(qū)，IGBT 的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)技術(shù)，集成 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路 EXB841 l，EXB841 原理分析，使用 IGBT 中的注意事項(xiàng)和 EXB841 典型應(yīng)用電路

　　絕緣柵雙極晶體管本質(zhì)上是一個(gè)場效應(yīng)晶體管，只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個(gè) P 型層。根據(jù)國際電 工委員會(huì) IEC ／ TC （ CO ） 13 3 9 文件建議，其各部分名稱基本沿用場效應(yīng)晶體管的相應(yīng)命名。

　　圖 2 － 53 所示為一個(gè) N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N + 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。 N + 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的 P 型區(qū)（包括 P + 和 P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的 P + 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是 IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成 PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。

　　為了兼顧長期以來人們的習(xí)慣， IEC 規(guī)定：源極引出的電極端子（含電極端）稱為發(fā)射極端（子），漏極引出的電極端（子）稱為集電極端（子）。這又回到雙極晶體管的術(shù)語了。但僅此而已。

　　現(xiàn)在，大電流高電壓的 IGBT 已模塊化，它的驅(qū)動(dòng)電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外，現(xiàn)在已制造出集成化的 IGBT 專用驅(qū)動(dòng)電路。其性能更好，整機(jī)的可靠性更高及體積更小。

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