用于OLED的a2Si TFT有源驅(qū)動(dòng)陣列保護(hù)電路:OL ED(organic elect rical emitting device ,有機(jī)電致發(fā)光器件) 有源驅(qū)動(dòng)陣列在每個(gè)單元像素內(nèi)都集成有兩個(gè)或多個(gè)薄膜晶體管[1 ,2 ] ,以驅(qū)動(dòng)發(fā)光點(diǎn)陣,從而能在整個(gè)幀周期內(nèi)為像素提供持續(xù)的工作信號(hào)。有源驅(qū)動(dòng)克服了無(wú)源驅(qū)動(dòng)方式中使用占空比小的脈沖信號(hào)驅(qū)動(dòng)帶來(lái)的問(wèn)題[3 ] ,有利于實(shí)現(xiàn)OL ED 大面積、高分辨率顯示。在OL ED的a2Si TFT 有源驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)過(guò)程中,我們采用了在每個(gè)單元像素中包含有2 個(gè)TFT ( thinfilm t ransistor 薄膜晶體管) 的驅(qū)動(dòng)電路形式[4～6 ] ,如圖1 所示。由于外界信號(hào)的異常變化,掃描線( scanning line) 、數(shù)據(jù)線( data line) 和電源線上(source line) 時(shí)常會(huì)帶來(lái)突發(fā)的高電壓,同時(shí)在TFT 陣列和OL ED 制作過(guò)程中,因?yàn)橐恍┎僮髦械哪Σ?也會(huì)帶來(lái)高達(dá)幾萬(wàn)伏的靜電壓,這些偶發(fā)的異常電壓信號(hào)都會(huì)直接作用在T1 管或T2管的柵極上,擊穿柵絕緣介質(zhì),導(dǎo)致器件徹底損壞。所以在T1 、T2 柵極外側(cè)必須加一些保護(hù)電路,同時(shí)為了防止由電源線上來(lái)的高壓信號(hào)擊穿OL ED ,在電源線上加保護(hù)電路也很有必要。常見(jiàn)的柵保護(hù)電路有:二極管柵保護(hù)電路、源漏擊穿保護(hù)、場(chǎng)致反型保護(hù)、柵調(diào)制擊穿保護(hù)等[7 ] 。由于源漏擊穿是可恢復(fù)的,并考慮到外圍保護(hù)電路與驅(qū)動(dòng)陣列工藝上一致性,我們選擇了源漏擊穿保護(hù)的形式,利用a2Si (amorphous silicon 非晶硅)TFT 的擊穿特性,設(shè)計(jì)保護(hù)電路。

　單元像素的驅(qū)動(dòng)電路