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大功率發(fā)光二極管的壽命試驗及其失效分析: 以GaN 基藍光L ED 芯片為基礎(chǔ)光源制備了大功率藍光L ED ,并通過熒光粉轉(zhuǎn)換的方法制備了白光L ED。對大功率藍光和白光L ED 進行了壽命試驗,并對其失效機理進行了分析。結(jié)果表明,大功率L ED 的光輸出隨時間的衰減呈指數(shù)規(guī)律,缺陷的生長和無輻射復合中心的形成,熒光粉量子效率的降低,靜電的沖擊,電極性能不穩(wěn)定,以及封裝體中各成分之間熱膨脹系數(shù)失配引起的機械應力都可能導致大功率L ED 的失效。
關(guān)鍵詞: 大功率; 藍光L ED ; 白光L ED ; 壽命試驗; 失效機理
大功率LED 的光輸出衰減特性圖1 和圖2 分別給出了大功率白光和藍光L ED的相對光輸出隨時間的衰減曲線,每組L ED 采用的是同一廠家的同一批次芯片。其中第2 、3 組同時包括白光和藍光L ED ,第5 組藍光L ED 采用了防靜電保護措施。所有L ED的光通量都用開始老化時的初始值進行了歸一化。對于每組試樣,圖中所示衰減趨勢表示的是該組試樣測量值的平均結(jié)果。
大功率白光L ED 相對光通量Φr 隨時間的變化
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