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MSM51V16160B/BSLは、CMOSプロセス技術(shù)を用いた1,048,576ワ-ド×16ビット構(gòu)成のダイナミックラ
ンダムアクセスメモリです。4層ポリシリコン2層メタルプロセスと、CMOS回路の採(cǎi)用により、高集積
度、高速、低消費(fèi)電力を?qū)g現(xiàn)しました。
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