特性

　　? 具有 EEPROM 備份的 4 Kb/16 Kb SRAM：

　　- 內(nèi)部構(gòu)成為 512 x 8 位 （47X04）或

　　2，048 x 8 位 （47X16）

　　- 掉電時自動存儲到 EEPROM 陣列 （使用可

　　選外部電容）

　　- 上電時自動回調(diào)至 SRAM 陣列

　　- 硬件存儲引腳，用于手動存儲操作

　　- 軟件命令用于啟動存儲和回調(diào)操作

　　- 存儲時間最大值為 8 ms （47X04）或

　　25 ms （47X16）

　　? 非易失性外部事件檢測標志

　　? 高可靠性：

　　- 可對 SRAM 進行無限次讀和寫操作

　　- EEPROM 存儲次數(shù)高于 1 百萬次

　　- 數(shù)據(jù)保持時間：》200 年

　　- ESD 保護：》4，000V

　　? 高速 I

　　2C 接口：

　　- 行業(yè)標準 100 kHz、 400 kHz 和 1 MHz

　　- 讀和寫操作延時為零周期

　　- 施密特觸發(fā)器輸入，可抑制噪聲

　　- 最多可級聯(lián) 4 個器件

　　? 寫保護：

　　- 軟件寫保護范圍：1/64 SRAM 陣列到整個陣

　　列

　　? 低功耗 CMOS 技術(shù)：

　　- 200 μA 工作電流 （典型值）

　　- 40 μA 待機電流 （最大值）

　　? 8 引腳 PDIP、 SOIC 和 TSSOP 封裝

　　? 可用溫度范圍：

　　說明

　　Microchip Technology Inc.生產(chǎn)的47L04/47C04/47L16/47C16

　?。?7XXX）是一款具有 EEPROM 備份的 4/16Kb SRAM。該

　　器件由 512 x 8 位或 2，048 x 8 位存儲器構(gòu)成，并采用

　　I

　　2C 串行接口。47XXX 支持對 SRAM 進行無限次讀寫，

　　而 EEPROM 單元提供對數(shù)據(jù)的高耐擦寫非易失性存

　　儲。借助外部電容，SRAM 數(shù)據(jù)會在斷電時自動傳輸?shù)?/p>

　　EEPROM。還可使用硬件存儲引腳或軟件控制手動傳

　　輸數(shù)據(jù)。上電時， EEPROM 數(shù)據(jù)自動回調(diào)至 SRAM。

　　還可通過軟件控制啟動回調(diào)。

　　47XXX 提供 8 引腳 PDIP、 SOIC 和 TSSOP 封裝。

　　框圖

　　部件編號 密度 （位） VCC

　　范圍

　　最大時鐘

　　頻率 溫度范圍 封裝

　　47L04 4K 2.7-3.6V 1 MHz I 和 E P、 SN 和 ST

　　47C04 4K 4.5-5.5V 1 MHz I 和 E P、 SN 和 ST

　　47L16 16K 2.7-3.6V 1 MHz I 和 E P、 SN 和 ST

　　47C16 16K 4.5-5.5V 1 MHz I 和 E P、 SN 和 ST

　　- 工業(yè)級 （I）： -40°C 至 +85°C

　　- 汽車級 （E）： -40°C 至 +125°C