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本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是三星4Gb電子芯片DDR3 SDRAM的數(shù)據(jù)手冊免費下載。
4Gb DDR3 SDRAM E-die是一個32Mbit x 16 I/Os x 8個存儲單元的設(shè)備。這種同步設(shè)備實現(xiàn)高速雙數(shù)據(jù)傳輸率高達(dá)2133Mb/秒/引腳(DDR3-2133)的一般應(yīng)用。該芯片的設(shè)計符合以下關(guān)鍵DDR3 SDRAM功能,如張貼CAS,可編程CWL,內(nèi)部(自我)校準(zhǔn),在芯片端接使用ODT引腳和異步復(fù)位。所有的控制和地址輸入同步一對外部提供的差分時鐘。輸入鎖存在差分時鐘(CK上升和CK下降)的交叉點上,所有I/o以源同步方式與一對雙向頻閃(dq和dq)同步。地址總線用于以RAS/CAS復(fù)用方式傳送行、列和銀行地址信息。DDR3設(shè)備使用單個1.5V(1.425V~1.575V)電源和1.5V(1.425V~1.575V)VDDQ工作。4Gb DDR3 E-die設(shè)備有96FBGAS(x16)型號。

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