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一種肖特基勢(shì)壘二極管及其制造方法。目前，
由于有臺(tái)面型晶體管蝕刻及厚的聚眈亞膠層等，故
不能推進(jìn)芯片的小型化，并且，電極間存在距離，
不能提高特性。另外，其制造方法中肖特基結(jié)部分
的蝕刻控制很困難。本發(fā)明通過在基板表面設(shè)置n
型及n+ 型離子注入?yún)^(qū)域形成動(dòng)作區(qū)域，不再需要
設(shè)置臺(tái)面及聚眈亞膠層，可實(shí)現(xiàn)化合物半導(dǎo)體的平
面型肖特基勢(shì)壘二極管?？山档途某杀?，由于
可使電極間距離接近，故可實(shí)現(xiàn)芯片的縮小，也可
提高高頻特性。由于形成肖特基電極時(shí)不蝕刻
GaAs ，故可制造再現(xiàn)性好的肖特基勢(shì)壘二極管。
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