1、旁路瓷片電容器的電容不能太大，而它的寄生串聯(lián)電感應(yīng)盡量小，多個(gè)電容并聯(lián)能改善電容的阻抗特性;?2、電感的寄生并聯(lián)電容應(yīng)盡量小，電感引腳焊盤之間的距離越遠(yuǎn)越好;3、避免在地層上放置任何功率或信號(hào)走線;?4、高頻環(huán)路的面積應(yīng)盡可能減小;?5、過(guò)孔放置不應(yīng)破壞高頻電流在地層上的路徑;6、系統(tǒng)板上一小同電路需要不同接地層，小同電路的接地層通過(guò)單點(diǎn)與電源接地層相連接;?7、控制芯片至上端和下端場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)電路環(huán)路要盡量短;8、開(kāi)關(guān)電源功率電路和控制信號(hào)電路元器件需要連接到小同的接地層，這二個(gè)地層一般都是通過(guò)單點(diǎn)相連接。1、Y電容放置在需要吸收的地方，接地越近越好，但也要考濾具體的設(shè)備結(jié)構(gòu)而定，但有一個(gè)原側(cè)就是接地點(diǎn)不要遠(yuǎn)離Y電容中心接地端。2、控制IC的CS腳與MOS和S極間的電阻應(yīng)靠近MOS的S極，因?yàn)樵诖穗娮枭汐@取取樣較低的電壓，距MOS的S極遠(yuǎn)，總電阻會(huì)增加而產(chǎn)生誤差，另外也容易受到外部的影響受到干擾，這也要看具體電路，如同步整流電路UCC28950就不是這樣，CS分流電阻就離IC很近，原因是CS信號(hào)電壓比較高，總的原側(cè)是看哪邊的電壓比較低，IC的CS端就靠近哪邊，但在開(kāi)關(guān)電源中CS電阻一定要在SOM最近的接地處。3、驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)靠近控制IC，因?yàn)镮C輸出的電壓不是很高，而驅(qū)動(dòng)電路輸出的電壓相對(duì)比控制IC輸出的電壓高很多，受到外界影響要小很多。4、初次極的吸收電路電阻靠近交流輸入電壓端為好（如經(jīng)過(guò)濾波的+310），因?yàn)殡娮韬须姼谐煞?，易受外部干擾，也同時(shí)干擾其它電路，該電阻遠(yuǎn)離開(kāi)關(guān)元件（如MOS端），次極則是電阻靠近低電壓處，如電解的負(fù)極接地處。(mbbeetchina)