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在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化開(kāi)啟了提高射頻功率密度、節(jié)省空問(wèn)和提高能效的大門(mén)，其批量生產(chǎn)水平的成本結(jié)構(gòu)非常低，與 LDMOS相當(dāng)，遠(yuǎn)低于碳化硅基氮化鎵。與此同時(shí)，對(duì)于高功率射頻應(yīng)用，氮化鎵的用例已經(jīng)擴(kuò)展到分立晶體管以外。隨著氮化鎵向商用4GLTE無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的擴(kuò)展，逐漸實(shí)現(xiàn)了規(guī)模經(jīng)濟(jì)，為氮化鎵順利進(jìn)入MMIC市場(chǎng)提供了有力支持，從而幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功能和設(shè)備集成，滿足新一代5G系統(tǒng)的需求。
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