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VMMK器件晶圓等級和芯片封裝工藝
如圖1所示，VMMK器件由于安華高特有的晶圓空腔工藝降低了損耗和常見的射頻表貼封裝帶來的寄生電路參數(shù)。通過消除焊接和封裝引腳之間的寄生電感和電容，在芯片和封裝間形成了一個低損耗和低阻抗的信號通道。在元件之上的空腔具有低介電常數(shù)因此能夠在高頻進行工作，此外空腔能夠在器件應(yīng)用中提供機械保護。
圖1 安華高低成本半導(dǎo)體工藝流程
如圖2所示，器件的輸入端和輸出端都是通過晶圓背面的孔連接，消除了絲焊導(dǎo)致的性能下降。安華高關(guān)于VMMK金屬化和密封工藝保證了器件能夠在標準焊接流程下進行操作。 VMMK器件工藝消除絲焊和改善熱特性能夠增加貼片的穩(wěn)定性。VMMK器件工藝在表貼工藝流程中沒有增加任何新的設(shè)備，現(xiàn)有的標準貼片設(shè)備完全滿足要求。最后，通過消除封裝管腳引線，VMMK器件相對于傳統(tǒng)的射頻表貼器件變的更薄，更輕和布板面積更小。例如，VMMK-2x03 射頻放大器（1mm*0.5mm*0.25mm）只需要SOT-342封裝5%的體積和10%的PCB面積。相比于許多標準的射頻表貼封裝器件，VMMK器件至少節(jié)省了50%的PCB面積。隨著寄生效應(yīng)的減少，VMMK器件直接與PCB導(dǎo)線相連降低信號通道上的損耗。VMMK器件的空腔結(jié)構(gòu)能夠有效的降低寄生參數(shù)和提高性能。
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