如何實(shí)現(xiàn)用于下一代無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)備的發(fā)射機(jī)RFIC的集成設(shè)計(jì)
資料介紹
從3G升級(jí)到LTE Advance,對(duì)下一代移動(dòng)通信基礎(chǔ)設(shè)備和器件供應(yīng)商提出諸多挑戰(zhàn)。下一代無(wú)線設(shè)備要求支持更寬的信號(hào)帶寬、更復(fù)雜的調(diào)制方式,以便在全球范圍內(nèi)部署的各種運(yùn)行頻段上都能獲得更高的數(shù)據(jù)速率。因此,噪聲、信號(hào)線性度、功耗和外形尺寸等性能都非常關(guān)鍵,對(duì)這些性能的要求也更苛刻,元器件供應(yīng)商同樣被要求降低成本和尺寸以支持更高密度的應(yīng)用。 RFIC設(shè)計(jì)師面臨的挑戰(zhàn)也將日益艱巨,因?yàn)榧傻男阅苄枰辽傧喈?dāng)或超過(guò)分立元器件實(shí)現(xiàn)的性能。在采用分立元器件實(shí)現(xiàn)方案時(shí),系統(tǒng)設(shè)計(jì)師可以分別采取不同技術(shù)(如GaAs、Si Bipolar或CMOS)進(jìn)行最優(yōu)化的設(shè)計(jì)。但對(duì)那些想通過(guò)單一工藝技術(shù)提供更高集成度的RFIC設(shè)計(jì)師來(lái)說(shuō),這種選擇最佳工藝技術(shù)的靈活性是最大的挑戰(zhàn)。
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