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現(xiàn)代寬禁帶功率器件（SiC， GaN）上的開關晶體管速度越來越快，使得測量和表征成為相當大的挑戰(zhàn)，在某些情況下幾乎不可能實現(xiàn)。隔離探測技術的出現(xiàn)改變了這種局面，通過這一技術，設計人員終于能夠放心地測量以前回避的半橋和門驅動器波形。通過詳細了解相關挑戰(zhàn)，并使用適當?shù)奶綔y技術，電源工程師可以更加迅速、高效地表征和優(yōu)化其設計。半橋電路（圖 1）廣泛用于功率電子領域的多種應用，是現(xiàn)代設計中有效轉換電能使用的基本電路。但是，只有在半橋、門驅動器和布線正確且優(yōu)化設計時，這種電路的優(yōu)勢才能得到實現(xiàn)。在測量結果與預期結果不一致時，可能很難提取與被測器件有關的有意義的細節(jié)。更糟糕的是，基于探頭位置和其他因素，波形可能會明顯變化，最終會讓設計人員得不償失。
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