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2.5D/3D 芯片包含 Interposer/ 硅穿孔 （Through Silicon Via, TSV） 等復雜結構，通過多物理場 仿真可以提前對 2.5D/3D 芯片的設計進行信號完整性 （Signal Integrity, SI）、電源完整性 （Power Integrity, PI） 及可靠性優(yōu)化?？偨Y了目前 2.5D/3D 芯片仿真進展與挑戰(zhàn)，介紹了基于芯片模型的 Ansys 芯片-封裝-系統 （CPS） 多物理場協同仿真方法，闡述了如何模擬芯片在真實工況下達到優(yōu)化 芯片信號完整性、電源完整性以及優(yōu)化散熱方式、提高結構可靠性的設計目標，并進行電熱耦合、熱 應力耦合分析，指出了仿真技術的未來發(fā)展方向。
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