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像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場效應(yīng)晶體管）是切換負(fù)載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個場效應(yīng)晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負(fù)載開關(guān)具有更顯著的優(yōu)點。
系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)在哪里
一個典型系統(tǒng)包括一個電源和多個負(fù)載，需要各種不同的負(fù)載電流，如Bluetooth?、Wi-Fi或處理器軌。多數(shù)情況下，系統(tǒng)必須獨立控制哪些負(fù)載開啟，何時開啟，以什么速度開啟。利用分立MOSFET電路或集成負(fù)載開關(guān)便能完成這種功率切換，如圖1所示。
圖1：從電源切換到多個負(fù)載
分立MOSFET電路包含多個組件來控制分立功率MOSFET的導(dǎo)通與關(guān)斷。這些電路可通過來自微控制器的通用輸入/輸出（GPIO）信號來進(jìn)行開啟或關(guān)閉…
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