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RF 設備的鄰道泄漏比 (ACLR)

2512892 2022-11-18 | pdf | 113.89KB | 次下載 | 免費

資料介紹

ACLR/IMD 模型ACLR/IMD 模型查看 RF 設備中 ACLR 退化源的一種簡便方法是將寬帶載波頻譜建模為單個 CW 子載波的集合。這些子載波中的每一個都將承載總載波功率的一小部分。下圖說明了這樣一個模型。在這種情況下，連續(xù) RF 載波由四個單獨的 CW 子載波建模，每個 CW 子載波具有總寬帶載波功率的四分之一。子載波在整個載波帶寬上以相等的間隔分布。查看 RF 設備中 ACLR 退化源的一種簡便方法是將寬帶載波頻譜建模為單個 CW 子載波的集合。這些子載波中的每一個都將承載總載波功率的一小部分。下圖說明了這樣一個模型。在這種情況下，連續(xù) RF 載波由四個單獨的 CW 子載波建模，每個 CW 子載波具有總寬帶載波功率的四分之一。子載波在整個載波帶寬上以相等的間隔分布。圖 1. 寬帶載波信號的副載波模型。圖 1. 寬帶載波信號的副載波模型。圖 1圖 1中的綠線中的綠線從左到右分別稱為子載波1、2、3、4。如果我們只看左邊的兩個子載波（1 和 2），我們可以考慮由 RF 設備中的任何 IMD3 失真產(chǎn)生的三階 IMD 產(chǎn)物。這種三階失真本身表現(xiàn)為兩個副載波兩側的低電平副載波。兩個“綠色”副載波左側的第一個“紅色”失真產(chǎn)物是這兩個副載波的 IMD3 失真的結果。從左到右分別稱為子載波1、2、3、4。如果我們只看左邊的兩個子載波（1 和 2），我們可以考慮由 RF 設備中的任何 IMD3 失真產(chǎn)生的三階 IMD 產(chǎn)物。這種三階失真本身表現(xiàn)為兩個副載波兩側的低電平副載波。兩個“綠色”副載波左側的第一個“紅色”失真產(chǎn)物是這兩個副載波的 IMD3 失真的結果。來自副載波 1 和 3 的 IMD3 分量在與載波 1 的相等頻率間隔處具有 IMD3 失真產(chǎn)物。這會在載波頻譜左側生成第二個“紅色”IM 產(chǎn)物。類似地，副載波 1 和 4 的 IMD3 會在遠離載波邊緣的地方產(chǎn)生失真產(chǎn)物。來自副載波 1 和 3 的 IMD3 分量在與載波 1 的相等頻率間隔處具有 IMD3 失真產(chǎn)物。這會在載波頻譜左側生成第二個“紅色”IM 產(chǎn)物。類似地，副載波 1 和 4 的 IMD3 會在遠離載波邊緣的地方產(chǎn)生失真產(chǎn)物。值得注意的是，這里還有其他 IMD 產(chǎn)品。子載波 2 和 4 產(chǎn)生 IM3 產(chǎn)物，它直接落在子載波 1 和 2 的 IMD 產(chǎn)物之上。這種疊加效應迫使靠近 RF 載波邊緣的 IMD 產(chǎn)物的幅度高于那些遠離 RF 載波邊緣的 IMD 產(chǎn)物RF 載波的邊緣，產(chǎn)生出現(xiàn)在 ACLR 失真頻譜中的特征“肩峰”。Leffel1 的一篇論文詳細介紹了來自多個子載波的 IMD 產(chǎn)品的總和。值得注意的是，這里還有其他 IMD 產(chǎn)品。子載波 2 和 4 產(chǎn)生 IM3 產(chǎn)物，它直接落在子載波 1 和 2 的 IMD 產(chǎn)物之上。這種疊加效應迫使靠近 RF 載波邊緣的 IMD 產(chǎn)物的幅度高于那些遠離 RF 載波邊緣的 IMD 產(chǎn)物RF 載波的邊緣，產(chǎn)生出現(xiàn)在 ACLR 失真頻譜中的特征“肩峰”。Leffel1 的一篇論文詳細介紹了來自多個子載波的 IMD 產(chǎn)品的總和。這種方法可以量化以預測各個 IMD3 失真產(chǎn)物的實際水平。該模型還可以通過增加模型中使用的單個子載波的數(shù)量來擴展，這有助于提高其準確性。2 多個寬帶載波的 ACLR 性能看起來很像該模型的 ACLR，其中每個單獨的寬帶載波占據(jù)總寬帶載波帶寬。鄰近寬帶載波集合中最后一個載波的載波的 ACLR 位于 IMD3 引起的失真響應的高肩上。這導致多載波情況下的 ACLR 比單載波系統(tǒng)的 ACLR 差很多。同樣，這種影響可以量化并用于準確預測單個或多個寬帶載波的 ACLR 性能。