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N溝道MOSFET–KNX42150A漏源擊穿電壓高達(dá)1500V，漏極電流最大值為3A，適用于變頻器電源，逆變器，DC-DC轉(zhuǎn)換等。
高壓MOS管KNX42150的開(kāi)啟延遲典型值為30nS，關(guān)斷延遲時(shí)間典型值為45nS，上升時(shí)間65nS，下降時(shí)間60nS，反向傳輸電容 11pF，具有極快的開(kāi)關(guān)速度，可靠性高。反向恢復(fù)時(shí)間410nS，正向電壓的典型值1.6V。 該MOS管的導(dǎo)通阻抗典型值為6.5Ω。最大功耗為50W，最大結(jié)溫為150℃。此產(chǎn)品的儲(chǔ)存溫度在-55到150℃，可適用于大部分 環(huán)境。
高壓MOS管KNX42150的開(kāi)啟延遲典型值為30nS，關(guān)斷延遲時(shí)間典型值為45nS，上升時(shí)間65nS，下降時(shí)間60nS，反向傳輸電容 11pF，具有極快的開(kāi)關(guān)速度，可靠性高。反向恢復(fù)時(shí)間410nS，正向電壓的典型值1.6V。 該MOS管的導(dǎo)通阻抗典型值為6.5Ω。最大功耗為50W，最大結(jié)溫為150℃。此產(chǎn)品的儲(chǔ)存溫度在-55到150℃，可適用于大部分 環(huán)境。
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