摘要 本文介紹了電力電子器件的詳細(xì)分類(lèi),并著重介紹了 IGBT 的選用以及保護(hù)應(yīng)注意事項(xiàng)。電力電子技術(shù)是以電力為對(duì)象的電子技術(shù),它 的主要任務(wù)是對(duì)電能進(jìn)行控制和變換。隨著微電子 技術(shù)以及計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展,不斷涌現(xiàn)出新型的電 力半導(dǎo)體器件,并通過(guò)發(fā)展逐步將電力電子技術(shù)劃 分為傳統(tǒng)電力電子技術(shù)(以半控型電力器件為核心) 和現(xiàn)代電力電子技術(shù)(以全控型器件為核心)。尤其 近幾年電力電子技術(shù)始終與逆變電源領(lǐng)域的發(fā)展密 不可分,越來(lái)越成為該領(lǐng)域中的重要組成部分,也極 大地帶動(dòng)了逆變領(lǐng)域的飛速發(fā)展。 IGBT（Isolated Gate Bipolar Transistor）是絕緣門(mén) 極雙極型晶體管，它是 20 世紀(jì) 80 年代末 90 年代初 迅速發(fā)展起來(lái)的新興復(fù)合功率開(kāi)關(guān)器件，屬全控型自 關(guān)斷器件。由于它將 MOSFET 和 GTR 的優(yōu)點(diǎn)集于一 身，即 MOSFET 輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)損耗?。s為 GTR 的 1/3）、速度快（可在 10~50kHz 頻率下工作）、熱穩(wěn) 定性好、電壓驅(qū)動(dòng)功率?。挥钟?GTR 控制電流能力 強(qiáng)、通態(tài)壓降低（一般為 3V，與 MOSFET 相比，大 于 10 倍以上）、大電流（一般載流量是 MOSFET 的 5～ 10 倍以上）等特點(diǎn)。適合高電壓、大電流、大功率（＞ 5kW 以上），開(kāi)關(guān)頻率大于 1kHz 的應(yīng)用場(chǎng)合更顯優(yōu) 勢(shì)。是目前中、高頻開(kāi)關(guān)器件和大功率電力電子裝置中的主流器件。用于各種逆變焊接電源、開(kāi)關(guān)電源和 感應(yīng)加熱電源等電力電子設(shè)備中。隨著 IGBT 制造技 術(shù)水平的提高，特別是電流和耐壓性能指標(biāo)（已達(dá)到 1.2kA/3.3kV）提高，使 IGBT 器件的應(yīng)用范圍將進(jìn)一 步擴(kuò)展到更大功率控制變換場(chǎng)合。市場(chǎng)上主要有 EUPEC（優(yōu)派克）：BSM、FF、FZ 系列；西門(mén)康：SKM、 SKIIP 系列；東芝：MG、MIG 系列；三菱：CM、PM、 RM、TM 系列；富士：1MB1、2MB1、6MBP 系列； 仙童：SGH、TGL、FGA、SGL 系列品牌。