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RAM清零功能對于復(fù)位電池供電的CMOS RAM中的數(shù)據(jù)非常有用。然而，這個功能在無意中被激活時是有害的。激活時，BG 3285和bq3287A RTCs上的RAM清零功能會將114(或242)字節(jié)CMOS RAM的內(nèi)容設(shè)置為“FF”(十六進制)。圖1顯示了使用RAM清除功能所需的電路配置。Benchmarg RTC使用片內(nèi)時基振蕩器在100 ms的時間內(nèi)消除動量開關(guān)SW1的反彈。這要求時基振蕩器和分頻器鏈必須通過在寄存器a的位位置so C2-OSCO寫入02(十六進制)來開啟。雖然圖1顯示的是一個動量開關(guān)，但出于同樣的考慮，也可以使用電子信號。
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