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與光耦合器相比，ISOM8110 光耦仿真器具有顯著的可 靠性和性能優(yōu)勢(shì)，包括高帶寬、低關(guān)斷延遲、低功耗、 更寬的溫度范圍、嚴(yán)格的 CTR 和過程控制，從而實(shí)現(xiàn) 較小的器件間偏移。由于沒有要補(bǔ)償?shù)睦匣?yīng)或溫度 變化，因此仿真二極管輸入級(jí)的功耗比光耦合器低。ISOM8110DFGEVM 用戶指南介紹了具有模擬晶體管輸出評(píng)估模塊 (EVM) 的 ISOM8110 單通道光耦仿真器的功 能。ISOM8110DFGEVM 支持評(píng)估采用 4 引腳 DFG SOIC 封裝的 TI ISOM8110 光耦仿真器。本用戶指南介紹了 ISOM8110 在 5V 工作電壓下的 EVM 操作。通過更改 EVM 配置和元件值，可以重新配置 EVM，以使用更大的輸 入信號(hào)或其他應(yīng)用進(jìn)行評(píng)估。本用戶指南還介紹了 ISOM8110 的通道配置、EVM 原理圖和典型設(shè)置。
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