理想的電容是沒有損耗的，但實(shí)際電容在制作過程中，因?yàn)橹谱麟娙莸牟牧鲜怯?a target='_blank' class='arckwlink_none'>電阻，電容的絕緣材質(zhì)有阻值等導(dǎo)致了電容是有內(nèi)阻存在，實(shí)際電容相當(dāng)于一個電阻串聯(lián)一個電容，電阻就是等效串聯(lián)電阻簡稱 ESR。實(shí)際電容在制作過程中還有一個 ESL，只是非常小，那電容在充與放電流的過程，內(nèi)阻是有電流流過，那么內(nèi)阻是有損耗的，也就是說實(shí)際的電容是有損耗，但是不同的電容，內(nèi)阻的大小是不一樣的

首先我們來說下貼片的 MLCC 電容

我們的貼片的 MLCC 電容按材料分，可分為 COG 或者 NP0，X5R、X7R，Y5V 等

1、COG'所以用的材料受溫度的影響非常小，溫度系數(shù)一般是±30ppm/℃以內(nèi)，電容值隨頻 率與電壓變化小于±0.05%

2、X7R 是在工業(yè)廣泛應(yīng)用的一種溫度比較穩(wěn)定的電容器，在溫度電壓等改變是電氣性能比較穩(wěn)定，容值變化不是很大，適合用于隔值，耦合，旁路等電路。在使用溫度-55℃-125℃

的溫度范圍內(nèi)，容值變化在±15%以內(nèi)

3、Y5V 這種材料的電容，具有較高的介電常數(shù)，常常用來生產(chǎn)比容交大的大容量電容，可以用小的尺寸做大的電容，但是容值的穩(wěn)定性較差，受溫度，電壓等影響比較大

這些陶瓷的的 ESR 非常的小，并且我們的引出腳是非常的短的。我們在應(yīng)用陶瓷電容的時候一般不去考慮 ESR。但是我們需要注意下面的頻率特性，陶瓷電容很多時候會用在高頻下

實(shí)際的電容模型如下

實(shí)際電容內(nèi)部包含等效串聯(lián)電感和等效串聯(lián)電阻，而這兩個參數(shù)會造成電容在使用的時候會出現(xiàn)發(fā)熱以及在高頻下不能快閃充放電，所以在使用電容時需要注意電容的頻率與阻抗曲線。在高頻下，ESL 表現(xiàn)的非常明顯，XL=jwL，w=2πf 隨頻率的上升導(dǎo) ESL 表現(xiàn)明顯，在低頻范圍內(nèi)，電容呈現(xiàn)容抗特性；中頻范圍內(nèi)，主要是 ESR 特性；高頻范圍內(nèi)，感抗占主導(dǎo)作用曲線關(guān)系，實(shí)際是指陶瓷電容量與頻率的關(guān)系，即 Z(=ESR+jwL-j/wC)與頻率的關(guān)系

簡單得說，就是器件上不可避免得帶有寄生電感和寄生電容隨著頻率的提高，電容的容抗值將越來越小，而寄生電感的感抗值卻逐漸增大，最后超過電容的電抗而使整個器件表現(xiàn)為感性

下是 10pF 的電容與 10nF 的電容，可以看到電容的容值越大，轉(zhuǎn)折頻率是越來越低

我們的 MLCC 電容還有一個非常重要的特性就是直流偏壓特性

這個直流偏壓特性的主要是指同一個電容，當(dāng)電容兩端的電壓不同時，電容的容值有所不同

下面我們來看下 22uF10V 的電容圖，從圖上看到當(dāng)電壓達(dá)到 10V 的時候，容值下降了 80%多，也就是容值差不多就是 4uF. 很多時候在 VCC 上放幾顆 10uF 的 MLCC 電容來替代電解時

需要注意這個直流偏置特性

下面簡單了解下電解電容。都知道電解電容的容值都比較大，但等效電阻也是一樣的比較大一般我們可以在電容規(guī)格書上面看到，規(guī)格書上面看到的是指定溫度與頻率的阻抗，如下圖 20℃100kHZ

電解電容的 ESR 在不同的溫度下 ESR 是不同，低溫下面的 ESR 所表現(xiàn)出來的阻值非常的大

 平常我們在做低溫的時候通過示波器測試出來得紋波電壓非常大就是這一原因

很多的時候 在電解電容上面并聯(lián)薄膜電容來解決。低溫下具體是多少，我可以通過規(guī)格書上面的低溫特 性來判斷

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