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??????? 離子注入是另一種對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜的方法。將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束，在電場(chǎng)中加速而獲得極高的動(dòng)能后，注入到硅中（稱為 “靶” ）而實(shí)現(xiàn)摻雜。
??????? 離子束是一種帶電原子或帶電分子的束狀流，能被電場(chǎng)或磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)，能在高壓下加速而獲得很高的動(dòng)能。
??????? 離子束的用途
??????? 摻雜、曝光、刻蝕、鍍膜、退火、凈化、改性、打孔、切割等。不同的用途需要不同的離子能量 E ：
?????????????????????????????? E? < 10 KeV ，刻蝕、鍍膜
?????????????????????????????? E? = 10 ~ 50 KeV，曝光
?????????????????????????????? E? > 50 KeV，注入摻雜???????
?離子束加工方式可分為
?1、掩模方式（投影方式）
?2、聚焦方式（掃描方式，或聚焦離子束（FIB）方式）
??????? 掩模方式是對(duì)整個(gè)硅片進(jìn)行均勻的地毯式注入，同時(shí)象擴(kuò)散工藝一樣使用掩蔽膜來對(duì)選擇性區(qū)域進(jìn)行摻雜。擴(kuò)散工藝的掩蔽膜必須是 SiO2 膜，而離子注入的掩蔽膜可以是 SiO2 膜，也可以是光刻膠等其他薄膜。
??????? 掩模方式用于摻雜與刻蝕時(shí)的優(yōu)點(diǎn)是 生產(chǎn)效率高，設(shè)備相對(duì)簡單，控制容易，所以應(yīng)用比較早，工藝比較成熟。缺點(diǎn)是 需要制作掩蔽膜。
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