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W29N01GV（1G位）NAND閃存為空間、插腳和電源有限的嵌入式系統(tǒng)提供存儲解決方案。它是理想的代碼陰影到RAM，固態(tài)應(yīng)用程序和存儲媒體數(shù)據(jù)，如語音，視頻，文本和照片。該裝置采用單路2.7V至3.6V電源供電，CMOS待機(jī)電流消耗低至25MA，10uA。
內(nèi)存數(shù)組總計(jì)138412032字節(jié)，并組織為1024個可擦除塊，共135168字節(jié)。每個塊由64個可編程頁面組成，每個頁面2112字節(jié)。每個頁面包含主數(shù)據(jù)存儲區(qū)域的2048字節(jié)和備用數(shù)據(jù)區(qū)域的64字節(jié)（備用區(qū)域通常用于錯誤管理功能）。
w29n01gv支持使用多路復(fù)用8位總線傳輸數(shù)據(jù)、地址和命令指令的標(biāo)準(zhǔn)NAND閃存接口。我們處理總線接口協(xié)議的五個控制信號，即CLE、ALE、CE、RE和。此外，該設(shè)備還有兩個信號針，即wp（寫保護(hù)）和ry/by（就緒/忙碌），用于監(jiān)控設(shè)備狀態(tài)。
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