資料介紹
片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過(guò)分析和對(duì)比各類功率放大器的特點(diǎn),電路采用SMIC0.35-μm CMOS工藝設(shè)計(jì)2.4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設(shè)計(jì)的功率放大器采用不同結(jié)構(gòu)的兩級(jí)放大,驅(qū)動(dòng)級(jí)采用共源共柵A類結(jié)構(gòu)組成,輸出級(jí)采用共源級(jí)大MOSFET管組成。電路采用SMIC 0.35-μm RF CMOS模型用Candence公司的spectreRF工具進(jìn)行模擬。根據(jù)模擬結(jié)果,設(shè)計(jì)的CMOS射頻功率放大器工作穩(wěn)定,在3.3 V工作電壓下,1 dB壓縮點(diǎn)輸出功率約為25 dBm, 輸入功率0 dBm時(shí),輸出功率為25.22 dBm。

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