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NaCLO3溶液晶體生長是我國載人航天工程中的一項重要空間科學實驗項目，為了
確保NaCLO3晶體生長實驗在空間微重力環(huán)境下的成功進行，必須進行充分、有效的地基模擬實驗，包括：晶體生長和溫度控制。因為空間環(huán)境存在很大的不確定性，所以，溫度控制便是該實驗能否成功的關鍵所在。鑒于此，首先采用系統(tǒng)建模與仿真技術(shù)，得到控制系統(tǒng)的基本參數(shù)，而后采用PD控制方法進行NaCLO3溶液晶體生長地基控溫實驗的設計，實驗結(jié)果表明該方法是可行的，可以完全滿足性能指標。
確保NaCLO3晶體生長實驗在空間微重力環(huán)境下的成功進行，必須進行充分、有效的地基模擬實驗，包括：晶體生長和溫度控制。因為空間環(huán)境存在很大的不確定性，所以，溫度控制便是該實驗能否成功的關鍵所在。鑒于此，首先采用系統(tǒng)建模與仿真技術(shù)，得到控制系統(tǒng)的基本參數(shù)，而后采用PD控制方法進行NaCLO3溶液晶體生長地基控溫實驗的設計，實驗結(jié)果表明該方法是可行的，可以完全滿足性能指標。
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