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本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體制造教程之工藝晶體的生長(zhǎng)資料概述
一、襯底材料的類型
1.元素半導(dǎo)體 Si、Ge…。
2. 化合物半導(dǎo)體 GaAs、SiC 、GaN…
二、對(duì)襯底材料的要求
導(dǎo)電類型：N型與P型都易制備；
電阻率：0.01-105·cm，均勻性好（縱向、橫向、微區(qū)）、可靠性高（穩(wěn)定、真實(shí)）；
壽命（少數(shù)載流子）：晶體管—長(zhǎng)壽命； 開關(guān)器件—短壽命；
晶格完整性：低位錯(cuò)（《1000個(gè)/cm2）；
純度高：電子級(jí)硅（EGS） --1/109雜質(zhì)；
晶向：Si：雙極器件--《111》；MOS--《100》；
直徑、平整度、禁帶寬度、遷移率等。
Si：
含量豐富，占地殼重量25%；
單晶Si 生長(zhǎng)工藝簡(jiǎn)單，目前直徑最大18英吋（450mm）
氧化特性好， Si/SiO2界面性能理想，可做掩蔽膜、鈍化膜、介質(zhì)隔離、絕緣柵等介質(zhì)材料；
易于實(shí)現(xiàn)平面工藝技術(shù)；
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