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本文的目的是要展示通過(guò)一些簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)技術(shù)并以相當(dāng)合理的成本, 可使直流-直流轉(zhuǎn)換器在總劑量(total dose)和單粒子效應(yīng)（single event effect,SEE）上的輻射測(cè)量有卓越表現(xiàn)。一旦結(jié)合這些技術(shù),輻射性能在替代切換金氧半場(chǎng)效晶體管(switching MOSFET)為抗輻射MOSFET(radiation-hardened MOSFET) 的情況下將有大大改進(jìn)。
本文的目的是要展示通過(guò)一些簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)技術(shù)并以相當(dāng)合理的成本, 可使直流-直流轉(zhuǎn)換器在總劑量(total dose)和單粒子效應(yīng)（single event effect,SEE）上的輻射測(cè)量有卓越表現(xiàn)。一旦結(jié)合這些技術(shù),輻射性能在替代切換金氧半場(chǎng)效晶體管(switching MOSFET)為抗輻射MOSFET(radiation-hardened MOSFET) 的情況下將有大大改進(jìn)。
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