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晶體材料是現(xiàn)代電子和光電子技術(shù)的基礎(chǔ)。因此，這些材料的電子特性，如(各向異性) 電導(dǎo)率和光電導(dǎo)率以及與這些特性有關(guān)的溫度依存性，都是研究人員關(guān)注的問(wèn)題。采用大量結(jié)晶技術(shù)的晶體生長(zhǎng)尺寸可能不大，但往往表現(xiàn)出極高的電阻。這個(gè)應(yīng)用筆記說(shuō)明如何利用專門設(shè)計(jì)的測(cè)量室和分子束沉積(MBD)系統(tǒng)（在晶體或薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中對(duì)其進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量）來(lái)測(cè)量高達(dá)1017Ω的電阻。
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