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默認(rèn) 最熱 最新

• 耗散功率

  　　耗散功率就是某一時(shí)刻電網(wǎng)元件或全網(wǎng)有功輸入總功率與有功輸出總功率的差值，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時(shí)的最大集電極耗散功率，耗散功率與晶體管的最高允許結(jié)溫和集電極最大電流有密切關(guān)系，實(shí)際功耗不允許超過PCM值，否則會(huì)造成晶體管因過載而損壞。

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• 三極

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• 斷場(chǎng)效應(yīng)管

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• 晶體管型號(hào)

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• 截止頻率

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• 特征頻率

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• LDMOS晶體

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• 24

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• IG

  　　IG一般指IG電子競(jìng)技俱樂部，iG（Invictus Gaming）電子競(jìng)技俱樂部成立于2011年，iG的LOGO是戰(zhàn)隊(duì)名稱Invictus的開頭字母“i”，“i”首尾彎曲，延伸出的曲線與圓組合在一起，有點(diǎn)像太極，以柔克剛。

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• 熱固性封裝

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• 次臨界

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• 本體偏壓

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• 分度表

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• 大功率模塊和

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• ＣＭＯＳ

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• 場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

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• 藍(lán)牙裝置

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• 通道仿真

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• 48V

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• IBM芯片

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• NVRAM

  　　NVRAM（ Non-Volatile Random Access Memory） 是非易失性隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器，指斷電后仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)的一種RAM。

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• 自動(dòng)門控

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• 搜索算法

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• 軟硬件平臺(tái)

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