2010年太陽能產(chǎn)業(yè)：政策驅(qū)動，增長勢頭強(qiáng)勁

太陽能產(chǎn)業(yè)在2009年證明了具有非常高的循環(huán)性變化，DisplaySearch觀察14個主要的太陽能電池Cell和模塊制造商的利潤率表現(xiàn)，06年第一季到08年第四季的平均獲利可達(dá)15%，但2009年第一季則急劇下降到-10%，一直到2009年第二季仍然呈現(xiàn)虧損。

主要造成產(chǎn)業(yè)虧損的原因為西班牙再生能源回購費率(Feed-In-Tariff，F(xiàn)IT)的改變，全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)以及信貸緊縮造成需求緊縮等。下圖1為全球主要太陽能模塊廠商的合計營收，利潤和利潤率。在2009年上半年，生產(chǎn)能力過剩和整個供應(yīng)鏈的供過于求，造成太陽能發(fā)電系統(tǒng)的平均價格降幅達(dá)25%以上。然而低價格的刺激，較為容易的融資環(huán)境，以及需求的多樣化，加上各個國家及區(qū)域新的獎勵政策推出，讓主要的廠商在2009年第三季順利轉(zhuǎn)虧為盈。

獎勵政策主要在于透過提高安裝太陽能系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)價值的方法而增加需求。但另一方面，在許多消費者擔(dān)心獎勵政策會改變的情形之下，也有許多需求是在補(bǔ)貼政策改變或取消之前提前發(fā)酵。DisplaySearch太陽能研究小組指出，德國新政府將進(jìn)一步降低再生能源FIT，將是一個需求再持續(xù)增長的重要指標(biāo)。

整體而言，在德國、意大利、日本、美國、法國、中國及其他地區(qū)的獎勵措施的變化或更新，將會讓2010年全球太陽能需求成長40%以上。DisplaySearch也預(yù)測2010年太陽能電池和模塊制造商應(yīng)該可以看到20%的產(chǎn)業(yè)平均利潤率。

圖1：全球主要太陽能模塊廠商的合計營收，利潤和利潤率
（來源：DisplaySearch Quarterly PV Cell Capacity Database & Trends Report）

太陽能電池制造商把重點放在降低成本以維持一定獲利率的同時，也將持續(xù)推動電價往Grid Parity (太陽發(fā)電成本與傳統(tǒng)發(fā)電成本相當(dāng))的方向進(jìn)行。主要降低成本的方法包括使用較少的硅，或使用較便宜的硅。

多晶硅(Polysilicon)是主要用于制造結(jié)晶硅(c-Si)太陽能電池的晶圓材料。而其占到整體太陽能模塊成本的15～20%。由于大量多晶硅新產(chǎn)能的開出以及過去這一年的需求減少，硅晶的價格自2008年下半年起因供過于求而大幅下跌，目前雖然跌勢已經(jīng)趨緩，但預(yù)計2010年仍為供過于求的狀況，因此價格將持續(xù)下降。圖2為多晶硅價格趨勢。

圖2：多晶硅價格趨勢(Spot=現(xiàn)貨價，Contract =合約價，Blended=混合價)
（來源：DisplaySearch Quarterly PV Cell Capacity Database & Trends Report）

除了提升傳統(tǒng)的多晶硅生產(chǎn)效率之外，新的精煉技術(shù)如FBR(Fluid Bed Reactor，流體床反應(yīng)器)以及UMG(Upgraded Metallurgical Grade)等級的多晶硅，將可以進(jìn)一步提供低成本的多重選擇。不過，由于多晶硅的價格下滑極快，目前業(yè)界對于這些新技術(shù)的興趣有些微減退，但DisplaySearch太陽能研究小組判斷這些新的多晶硅生產(chǎn)技術(shù)依舊在未來可以發(fā)揮成本減低的作用。

此外，采用更薄的晶圓可以消耗較少的多晶硅而降低太陽能模塊的總成本。目前太陽能電池制造商已經(jīng)從2000年的300微米晶圓前進(jìn)到目前的150微米晶圓，而讓多晶硅使用量降低了50%。另一方面，在進(jìn)行將晶圓(wafer)由硅錠(ingot)切割而出的制程時，由于切割線(wire)并沒有比硅晶圓本身薄多少，因此常造成許多硅材料在切割缺口處被浪費了。

目前開發(fā)出的新制程為采用更薄的切割線，或者采用新的切割粘液(Slurry), 甚至采用鍍上金剛石(Diamond)的切割線，用以減少硅的浪費，并讓晶圓切割的更薄。100微米，常常被認(rèn)為是傳統(tǒng)晶圓切片技術(shù)的極限，但由Silicon Genesis 所開發(fā)的新的Polymax技術(shù)可以切割到只有20微米的單晶硅薄片。

在薄膜太陽能電池技術(shù)的部份，目前技術(shù)相當(dāng)多，包含了非晶硅(a-Si)技術(shù)，碲化鎘(CdTe)和銅銦鎵硒(CIGS)等等，不過其開發(fā)的主要的目的都是通過消除使用晶體硅的吸收層以降低成本，薄膜技術(shù)的缺點是能源轉(zhuǎn)換效率較低。

由于設(shè)備廠商大量的提供一體到位(TurnKey)的設(shè)備，非晶硅(a-Si)廠商大幅擴(kuò)產(chǎn)的結(jié)果已經(jīng)將全球的產(chǎn)能由 2007年的296 MW (百萬瓦)提高2009年的1.6GW (十億瓦) , 甚至預(yù)計2010年將達(dá)到3.0GW (十億瓦)。然而，由于多晶硅價格較先前預(yù)期的大幅降低，影響到非晶硅(a-Si)的需求，因此目前大部分非晶硅產(chǎn)能處在產(chǎn)能利用率較低的窘境。

當(dāng)銅銦鎵硒太陽能電池技術(shù)被推出時，其目標(biāo)是希望兼顧相對較高的轉(zhuǎn)換效率，以及非常低的成本結(jié)構(gòu)；甚至其轉(zhuǎn)換效率的開發(fā)目標(biāo)是達(dá)到結(jié)晶系(Crystalline)的水平。然而，這項技術(shù)已被證明要量產(chǎn)有一定的難度。以全球產(chǎn)能來看，銅銦鎵硒在2009年只占全球太陽能電池產(chǎn)能的3%，而實際量產(chǎn)的能力更是十分有限。

然而，仍有廠商看好CIGS的低成本而加碼投資，DisplaySearch觀察，2010年將會新增415 MW的銅銦鎵硒產(chǎn)能，而Solyndra以及Showa Shell Solar等公司已經(jīng)計劃在不久的將來建置500 MW甚至1.0 GW工廠。

至于碲化鎘技術(shù)，目前以First Solar為領(lǐng)導(dǎo)廠商，是目前在低成本方面領(lǐng)先的太陽能技術(shù)。在2009年第三季該公司生產(chǎn)的模塊成本僅為0.85美元/瓦特。而目前First Solar 也為了因應(yīng)訂單的急速增加，預(yù)計將在2010年增加424 MW的能力。

由于該公司預(yù)測2010年每股收益(EPS)將可望在6.05～6.85美元之間，F(xiàn)irst Solar幾乎已經(jīng)成為碲化鎘太陽能技術(shù)的傳奇，其技術(shù)與經(jīng)營模式也的確為其他模塊制造商設(shè)下榜樣，但至今沒有其他從事碲化鎘技術(shù)的公司能夠復(fù)制其成功模式。

在太陽能產(chǎn)業(yè)，更高的轉(zhuǎn)換效率等同于降低成本，無論是薄膜或結(jié)晶硅技術(shù)，在2010年產(chǎn)業(yè)將再次強(qiáng)調(diào)提高轉(zhuǎn)換效率的重要。Centrotherm為一家領(lǐng)先的德國太陽能設(shè)備公司，其曾經(jīng)指出，轉(zhuǎn)換效率每提高0.5%，則成本可以減少約3%。

2009年是太陽能產(chǎn)業(yè)第一個經(jīng)歷的“Solar Cycle (太陽能供需循環(huán))”，以后勢必會有更多循環(huán)發(fā)生，目前隨著需求的回升，大部分太陽能產(chǎn)業(yè)的供應(yīng)鏈已經(jīng)迅速恢復(fù)。隨著需求增加和成本越來越低，太陽能產(chǎn)業(yè)正期待著美好的2010年。

DisplaySearch太陽能研究小組認(rèn)為，至少在2010年上半太陽能產(chǎn)業(yè)可以逐步邁向平均獲利率20%。至于在2010年之后，激勵與補(bǔ)貼政策將決定下一個周期循環(huán)。