一種觀點(diǎn)為“負(fù)載電容”之說：
晶振的標(biāo)稱值在測(cè)試時(shí)有一個(gè)“負(fù)載電容”的條件，在工作時(shí)滿足這個(gè)條件，振蕩頻率才與標(biāo)稱值一致。一般來講，有低負(fù)載電容(串聯(lián)諧振晶體)，常用的有JA18A、JA18E、JA24A、B0002CE;高負(fù)載電容(并聯(lián)諧振晶體)，常用的有JA18B、KSS6CT、B0031CE。在電路上的特征為：晶振串一只電容跨接在IC兩只腳上的，則為串聯(lián)諧振型;一只腳接IC，一只腳接地的，則為并聯(lián)型。如確實(shí)沒有原型號(hào)，需要代用的可采取串聯(lián)諧振型電路上的電容再并一個(gè)電容，并聯(lián)諧振電路上串一只電容的措施。例如：4.433MHz晶振,并一只3300PF電容或串一只70P的微調(diào)電容。
另一種說法是“損耗值”與“激勵(lì)電平”之說.
其實(shí)，上述原因都可以作為選擇晶振的條件作為考慮。