單片機的外部晶振穩(wěn)定，受溫度，濕度等環(huán)境因素影響比內部振蕩器小，精度比較高。而且當設計需要降低功耗時，比如說便攜式儀表等，就需要外設晶振，因為內部振蕩器不能根據需要停止，而外部晶振可以適時停止，從而進入休眠狀態(tài)，降低功耗。

晶振被旁路原理

”晶振/時鐘被旁路“ 是指將芯片內部的用于外部晶體起振和功率驅動等的部分電路和XTAL_OUT引腳斷開，這時使用的外部時鐘是有源時鐘或者其他STM32提供的CCO輸出等時鐘信號，直接單線從XTAL_IN輸入，這樣即使外部有晶體也震蕩不起來了
只有在使用外部時鐘的時候是被旁路，注意不是晶體振蕩器，也就是說當使用外部提供的時鐘時(如使用有源振蕩器)，必須設置這個控制位旁路上述內置振蕩器；可以理解把內部時鐘關閉，打開外部時鐘。

HSE模式配置（旁路模式）

外部時鐘源（HSE旁路）

在這個模式里，必須提供外部時鐘。它的頻率最高可達25MHz。用戶可通過設置在時鐘控制寄存器中的HSEBYP和HSEON位來選擇這一模式。外部時鐘信號（50%占空比的方波、正弦波或三角波）必須連到SOC_IN引腳，同時保證OSC_OUT引腳懸空

該模式下必須提供外部時鐘。用戶通過設置時鐘控制寄存器中的HSEBYP和HSEON位來選擇這一模式。外部時鐘信號(50%占空比的方波、正弦波或三角波)必須連到SOC_IN引腳，此時OSC_OUT引腳對外呈高阻態(tài)。

所謂HSE旁路模式，是指無需上面提到的使用外部晶體時所需的芯片內部時鐘驅動組件，直接從外界導入時鐘信號。猶如芯片內部的驅動組件被旁路了。

不過，在使用該模式時，經常有人出現(xiàn)配置錯誤，即使用跟HSE晶體模式一樣的配置。這點在STM8/STM32應用中都有人發(fā)生。 所幸的是使用這個旁路模式的情形不像使用外部晶體模式那么多，不然可能更多人在這里遇到麻煩

我們不妨以STM3F4系列芯片為例。

關于寄存器位上面已經提到了，旁路模式除了配置HSEON還得配置HSEBYP位。

對于標準庫函數(shù)voidRCC_HSEConfig(uint32_t RCC_HSE)

或CUBE庫函數(shù)__HAL_RCC_HSE_CONFIG(RCC_OscInitStruct->HSEState)里的相關參數(shù)可能是：RCC_HSE_ON、 RCC_HSE_Bypass或RCC_HSE_OFF的其中之一。