極電流保持比例的關(guān)系，漏
極電流恒定，因此
柵極電壓也保持恒定，這樣
柵極電壓不變，柵
源極間的電容不再流過(guò)電流，驅(qū)動(dòng)的電流全部流過(guò)米勒電容。過(guò)了米勒平臺(tái)后，
MOSFET完全導(dǎo)通，
柵極電壓和漏
極電流不再受轉(zhuǎn)移特性的約束，就繼續(xù)地增大，直到等于驅(qū)動(dòng)電路的電源的
電壓。
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2025-02-26 14:41:53
（1）Vth是指當(dāng)源極與漏極之間有指定電流時(shí)，柵極使用的電壓；
（2）Vth具有負(fù)溫度系數(shù)，選擇參數(shù)時(shí)需要考慮。
（3）不同電子系統(tǒng)選取MOSFET管的閾值電壓Vth并不相同，需要根據(jù)系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)
2025-12-16 06:02:32
防止兩個(gè)MOSFET管直通，通常串接一個(gè)0.5～1Ω小電阻用于限流，該電路適用于不要求隔離的中功率開(kāi)關(guān)設(shè)備。這兩種電路特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單?！ 」β?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET 屬于電壓型控制器件，只要柵極和源極之間施加
2019-06-14 00:37:57
如圖2b、c和d所示。在實(shí)際應(yīng)用中，一般不特指時(shí)的MOSFET都是增強(qiáng)型MOSFET，即在柵極不控制時(shí)，漏極-源極之間可以承受正偏置電壓。
在圖1中，點(diǎn)劃線框內(nèi)就是典型的MOS結(jié)構(gòu)，或者稱為MOS柵
2024-06-13 10:07:47
MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓是為使MOSFET導(dǎo)通，柵極與源極間必需的電壓。也就是說(shuō)，VGS如果是閾值以上的電壓，則MOSFET導(dǎo)通。可能有
2019-05-02 09:41:04
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開(kāi)始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導(dǎo)通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體二極管部分）流過(guò)的電流占支配低位。為方便從結(jié)構(gòu)角度理解各種狀態(tài)，下面還給出了MOSFET的截面圖
2018-11-27 16:40:24
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）?！ GBT
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開(kāi)關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開(kāi)關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開(kāi)啟電壓，所以
2019-04-09 04:58:00
）可能會(huì)嚴(yán)重影響全局開(kāi)關(guān)損耗。針對(duì)此，在SiC MOSFET中可以加入米勒箝位保護(hù)功能，如圖3所示，以控制米勒電流。當(dāng)電源開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)，驅(qū)動(dòng)器將會(huì)工作，以防止因柵極電容的存在，而出現(xiàn)感應(yīng)導(dǎo)通的現(xiàn)象。圖3
2019-07-09 04:20:19
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開(kāi)關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開(kāi)關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開(kāi)啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的構(gòu)成中，SiC-MOSFET切換（開(kāi)關(guān)）時(shí)高邊SiC-MOSFET的柵極電壓產(chǎn)生振鈴，低邊SiC-MOSFET的柵極電壓升高，SiC-MOSFET誤動(dòng)作的現(xiàn)象。通過(guò)下面的波形圖可以很容易了解這是
2018-11-30 11:31:17
柵極與源極之間加一個(gè)電阻，這個(gè)電阻起到什么作用？一是為場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用：保護(hù)柵極G-源極S；
2019-05-23 07:29:18
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
結(jié)構(gòu) 引言 功率MOSFET以其開(kāi)關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)功率小和功耗低等優(yōu)點(diǎn)在中小容量的變流器中得到了廣泛的應(yīng)用。當(dāng)采用功率MOSFET橋式拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)時(shí)，同一橋臂上的兩個(gè)功率器件在轉(zhuǎn)換過(guò)程中，柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)
2018-08-27 16:00:08
通。我們可以通過(guò)以下方法來(lái)避免柵極電壓被誤抬升?！ 〉谝晃覀兛梢詼p少由米勒電容產(chǎn)生的對(duì)柵極電容充電的電流，由于米勒電容無(wú)法減少，所以要減少的就是漏極的電壓變化率?！ ∷诎?b class="flag-6" style="color: red">橋中的作用就是拉長(zhǎng)高邊Mos管
2023-03-15 16:55:58
普通N MOS管給柵極一個(gè)高電壓 ，漏極一個(gè)低電壓，漏源極就能導(dǎo)通。這個(gè)GS之間加了背靠背的穩(wěn)壓管，給柵極一個(gè)4-10V的電壓，漏源極不能導(dǎo)通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
MOS管的開(kāi)關(guān)電路中柵極電阻R5和柵源極級(jí)間電阻R6是怎么計(jì)算的？在這個(gè)電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態(tài)中，作為開(kāi)關(guān)電路是怎么計(jì)算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
有助于在應(yīng)用程序中節(jié)省空間。 這些MOSFET具有出色的高速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通電阻。查看詳情<<<特性：低RDS(on)降低功耗；低壓驅(qū)動(dòng)；提供大電流Vds-漏源極
2021-02-02 09:55:16
應(yīng)用角度來(lái)看，驅(qū)動(dòng)回路和功率回路共用了源極的管腳。MOSFET是一個(gè)電壓型控制的開(kāi)關(guān)器件，其開(kāi)通關(guān)斷行為由施加在柵極和源極之間的電壓（通常稱之為VGS）來(lái)決定。 從圖1模型來(lái)看，有幾個(gè)參數(shù)是我們需要
2023-02-27 16:14:19
，以及源漏電壓進(jìn)行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進(jìn)行了對(duì)兩個(gè)波形進(jìn)行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過(guò)分析以上兩者電壓的導(dǎo)通時(shí)間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
導(dǎo)電溝道越大，則導(dǎo)通電阻越?。坏?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動(dòng)電壓太大的話，很容易將柵極和漏極之間絕緣層擊穿，造成Mosfet管的永久失效；3.為了增加開(kāi)關(guān)管的速度，減少開(kāi)關(guān)管的關(guān)斷時(shí)間是有必要的；且為了提高Mosfet管
2020-07-16 14:55:31
的方向?yàn)椋荷县?fù)下正。 圖2：電感的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì) 源極的封裝電感LS同時(shí)在主功率回路和柵極的驅(qū)動(dòng)回路中，上、下管由于漏極的電流方向不同，那么，LS對(duì)于開(kāi)關(guān)特性的影響也不同，下面分別進(jìn)行分析。 1、上
2020-12-08 15:35:56
TG傳輸門(mén)電路中。當(dāng)C端接+5，C非端接0時(shí)。源極和襯底沒(méi)有連在一起，為什么當(dāng)輸入信號(hào)改變時(shí)，其導(dǎo)通程度怎么還會(huì)改變？導(dǎo)電程度不是由柵極和襯底間的電場(chǎng)決定的嗎？而柵極和襯底間的電壓不變。所以其導(dǎo)通程度應(yīng)該與輸入信號(hào)變化無(wú)關(guān)啊！而書(shū)上說(shuō)起導(dǎo)通程度歲輸入信號(hào)的改變而改變？為什么?求詳細(xì)解釋！謝謝！
2012-03-29 22:51:18
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來(lái)確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開(kāi)關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴(kuò)散型
2016-10-10 10:58:30
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表的開(kāi)關(guān)特性中，列出了柵極電荷的參數(shù)，包括以下幾個(gè)參數(shù)，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
，導(dǎo)致Cp上的電壓降低。反激開(kāi)關(guān)MOSFET 源極流出的電流（Is）波形的轉(zhuǎn)折點(diǎn)的分析。 很多工程師在電源開(kāi)發(fā)調(diào)試過(guò)程中，測(cè)的的波形的一些關(guān)鍵點(diǎn)不是很清楚，下面針對(duì)反激電源實(shí)測(cè)波形來(lái)分析一下。問(wèn)題一
2018-10-10 20:44:59
IGBT和SiC MOSFET的電壓源驅(qū)動(dòng)和電流源驅(qū)動(dòng)的dv/dt比較。VSD中的柵極電阻表示為Rg，控制CSD柵極電流的等效電阻表示為R奧特雷夫?！ 膱D中可以明顯看出，在較慢的開(kāi)關(guān)速度（dv/dt
2023-02-21 16:36:47
所需的高電流。在此，柵極驅(qū)動(dòng)器以差分方式驅(qū)動(dòng)脈沖變壓器的原邊，兩個(gè)副邊繞組驅(qū)動(dòng)半橋的各個(gè)柵極。在這種應(yīng)用中，脈沖變壓器具有顯著優(yōu)勢(shì)，不需要用隔離式電源來(lái)驅(qū)動(dòng)副邊MOSFET。圖3. 脈沖變壓器半橋柵極
2018-10-23 11:49:22
驅(qū)動(dòng)器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅(qū)動(dòng)器的功能是驅(qū)動(dòng)上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過(guò)低輸出阻抗降低導(dǎo)通損耗，同時(shí)通過(guò)快速開(kāi)關(guān)時(shí)間降低開(kāi)關(guān)損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
MOSFET柵極充電所需的高電流。在此，柵極驅(qū)動(dòng)器以差分方式驅(qū)動(dòng)脈沖變壓器的原邊，兩個(gè)副邊繞組驅(qū)動(dòng)半橋的各個(gè)柵極。在這種應(yīng)用中，脈沖變壓器具有顯著優(yōu)勢(shì)，不需要用隔離式電源來(lái)驅(qū)動(dòng)副邊MOSFET. 圖3.
2018-09-26 09:57:10
瞬態(tài)操作。圖1所示為硬開(kāi)關(guān)關(guān)斷瞬態(tài)下，理想MOSFET的工作波形和工作順序。 圖1 升壓轉(zhuǎn)換器中的MOSFET的典型關(guān)斷瞬態(tài)波形 當(dāng)驅(qū)動(dòng)器發(fā)出關(guān)斷信號(hào)后，即開(kāi)始階段1 [t=t1]操作，柵極與源極之間
2018-10-08 15:19:33
是Qgd，它描述了柵極漏極開(kāi)關(guān)和開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)間關(guān)斷所需的電荷。這兩個(gè)參數(shù)指示關(guān)斷能力和損耗，從而指示最大工作頻率和效率。關(guān)斷時(shí)間toff通常不顯示在晶體管數(shù)據(jù)手冊(cè)中，但可以根據(jù)參考書(shū)［1］在給定的開(kāi)關(guān)電壓
2023-02-27 09:37:29
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過(guò)汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
Vgs(in)的振動(dòng)電壓，由于超出柵極-源極間額定電壓導(dǎo)致柵極破壞，或者接通、斷開(kāi)漏極-源極間電壓時(shí)的振動(dòng)電壓通過(guò)柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導(dǎo)致正向反饋，因此可能會(huì)由于誤動(dòng)作引起振蕩破壞
2019-03-13 06:00:00
SiCMOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
今天分析一下下面的這個(gè)電路，一個(gè)基于NPN三極管的MOSFET柵極自偏置關(guān)斷電路。電路很簡(jiǎn)單，里面可是藏著不少門(mén)道，既有設(shè)計(jì)亮點(diǎn)，也有效率與延遲問(wèn)題。咱們一邊分析，一邊看看器件選型和計(jì)算的門(mén)道，爭(zhēng)取
2025-03-19 13:48:08
本帖最后由 sirtan養(yǎng)樂(lè)多 于 2019-7-4 10:45 編輯
這個(gè)電路只用于電機(jī)通斷控制，開(kāi)關(guān)頻率間隔在五秒以上，不用來(lái)調(diào)速。用開(kāi)關(guān)進(jìn)行柵極電壓控制就沒(méi)有問(wèn)題，把開(kāi)關(guān)換成如圖所示
2019-07-04 09:26:17
數(shù)據(jù)嗎？這里有雙脈沖測(cè)試的比較數(shù)據(jù)。這是為了將以往產(chǎn)品和具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)工作進(jìn)行比較，而在Figure 5所示的電路條件下使Low Side（LS）的MOSFET開(kāi)關(guān)的雙
2020-07-01 13:52:06
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)
2018-11-01 11:35:35
的影響，而且由于 RG_EXT 是外置電阻，因此也可調(diào)。下面同時(shí)列出公式（1）用以比較。能給我們看一下比較數(shù)據(jù)嗎？這里有雙脈沖測(cè)試的比較數(shù)據(jù)。這是為了將以往產(chǎn)品和具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的 SiC MOSFET
2020-11-10 06:00:00
所示的電路圖進(jìn)行了雙脈沖測(cè)試，在測(cè)試中，使低邊（LS）的MOSFET執(zhí)行開(kāi)關(guān)動(dòng)作。高邊（HS）MOSFET則通過(guò)RG_EXT連接柵極引腳和源極引腳或驅(qū)動(dòng)器源極引腳，并且僅用于體二極管的換流工作。在電路圖
2022-06-17 16:06:12
和開(kāi)爾文結(jié)構(gòu)封裝的串?dāng)_問(wèn)題分別進(jìn)行分析，柵漏極結(jié)電容的充放電電流和共源寄生電感電壓均會(huì)引起處于關(guān)斷狀態(tài)開(kāi)關(guān)管的柵源極電壓變化。提出一種用于抑制串?dāng)_問(wèn)題的驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路具有柵極關(guān)斷阻抗低、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于控制的特點(diǎn)。分析該驅(qū)動(dòng)電路的工作原理，提供主
2018-01-10 15:41:22
3 FET通過(guò)影響導(dǎo)電溝道的尺寸和形狀，控制從源到漏的電子流（或者空穴流）。溝道是由（是否）加在柵極和源極的電壓而創(chuàng)造和影響的（為了討論的簡(jiǎn)便，這默認(rèn)體和源極是相連的）。導(dǎo)電溝道是從源極到漏極的電子流。
2019-07-12 17:50:33
13651 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3821 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供功率MOSFET，為什么要在柵極和源極間并聯(lián)一個(gè)電阻?資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-03-29 16:49:3720 中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。關(guān)于柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明。
2021-06-12 17:12:003577 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí)，可能會(huì)發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對(duì)此采取對(duì)策。 在本文中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。 什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的
2021-06-10 16:11:442954 具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:422229 SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。
2022-09-14 14:28:531289 在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。
2022-09-17 10:02:421967 
MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，當(dāng)VGS電壓達(dá)到MOSFET的開(kāi)啟電壓時(shí)，MOSFET導(dǎo)通等同開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，有IDS通過(guò)，實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換。
2022-11-28 15:53:051549 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:122922 
從本文開(kāi)始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22877 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2023-02-08 13:43:23971 
本文將針對(duì)上一篇文章中介紹過(guò)的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行解說(shuō)。
2023-02-08 13:43:231302 
在上一篇文章中，對(duì)SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行了解說(shuō)。
2023-02-08 13:43:23780 
上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開(kāi)關(guān)工作帶來(lái)的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時(shí)的動(dòng)作情況。
2023-02-08 13:43:231106 
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開(kāi)關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。
2023-02-08 13:43:24927 
在上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開(kāi)始，將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:151757 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)：通過(guò)采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來(lái)防止LS導(dǎo)通時(shí)的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動(dòng)IC沒(méi)有驅(qū)動(dòng)米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則很難通過(guò)米勒鉗位進(jìn)行抑制。作為米勒鉗位的替代方案，可以通過(guò)增加誤導(dǎo)通抑制電容器來(lái)處理。
2023-02-09 10:19:151943 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過(guò)采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來(lái)防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對(duì)策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:161830 
關(guān)于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，如果需要了解,請(qǐng)參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:171679 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20963 
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20997 
在N溝道MOSFET中，源極為P型區(qū)域，而在P溝道MOSFET中，源極為N型區(qū)域。在MOSFET的工作中，源極是控制柵極電場(chǎng)的參考點(diǎn)，它是連接到源極-漏極之間的電路，電流會(huì)從源極流入器件。通過(guò)改變柵極和源極之間的電壓，可以控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)。
2023-02-21 17:52:553591 下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止HS和LS同時(shí)導(dǎo)通，設(shè)置了兩個(gè)SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時(shí)間。右下方的波形表示其門(mén)極信號(hào)（VG）時(shí)序。
2023-02-27 13:41:582279 
下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。與導(dǎo)通時(shí)的做法一樣，為各事件進(jìn)行了(IV)、(V)、(VI)編號(hào)。與導(dǎo)通時(shí)相比，只是VDS和ID變化的順序發(fā)生了改變，其他基本動(dòng)作是一樣的。
2023-02-28 11:35:52745 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí)，可能會(huì)發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對(duì)此采取對(duì)策。在本文中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。
2023-02-28 11:36:501615 
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:392352 
SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2023-04-06 09:11:461833 
布局注意事項(xiàng)。 橋式結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的柵極信號(hào)，由于工作時(shí)MOSFET之間的動(dòng)作相互關(guān)聯(lián)，因此導(dǎo)致SiC MOSFET的柵－源電壓中會(huì)產(chǎn)生意外的電壓浪涌。這種浪涌的抑制方法除了增加抑制電路外，電路板的版圖布局也很重要。希望您根據(jù)具體情況，參考本系列文章中介紹的
2023-04-13 12:20:022133 SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2023-05-08 11:23:141571 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極（相對(duì)于源極或發(fā)射極）。使用專用驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。
2023-05-17 10:21:392544 IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動(dòng)，而放電則會(huì)使器件關(guān)斷，漏極和源極引腳上就可以阻斷大電壓。
2023-07-14 14:54:073882 
與傳統(tǒng)的雙極結(jié)晶體管（BJT）相比，它提供了高輸入阻抗、低輸出阻抗，并且更容易控制。 MOSFET有三個(gè)端子；漏極、源極和柵極。源極端子是MOSFET的公共端子，并用作其他兩個(gè)端子的參考電壓。漏極端子連接到MOSFET電路的輸出，而柵極端子控制MOSFET的電流。 在
2023-08-25 14:49:588284 源極跟隨器就是源極跟隨輸入信號(hào)（柵極電位）動(dòng)作的電路。它的輸出阻抗很低，可以用于電動(dòng)機(jī)、揚(yáng)聲器等重負(fù)載/低阻抗負(fù)載的驅(qū)動(dòng)，
2023-08-31 10:28:094803 
是兩個(gè)重要的參數(shù)，它們對(duì)電流的影響非常顯著。 首先，我們來(lái)討論MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響。在MOSFET中，柵極電路的電壓控制著源極和漏極之間的電流流動(dòng)。當(dāng)柵極電路的電壓為零時(shí)，MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，即沒(méi)有電流通過(guò)MOSFET。當(dāng)柵極電路的電壓為正時(shí)，會(huì)形成一
2023-10-22 15:18:123845 什么是漏極？什么是源極？什么是柵極？柵極源極漏極怎么區(qū)分？漏極 源極 柵極相當(dāng)于三極管的哪極？ 漏極、源極和柵極都是指晶體管（如三極管）的不同極性。 首先，我們需要了解晶體管的基本結(jié)構(gòu)，它由兩個(gè)PN
2023-11-21 16:00:4525005 橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)
2023-12-05 14:46:221105 
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時(shí)
2023-12-05 16:35:571015 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:171189 
SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
2023-12-07 15:52:381285 
MOS芯片是一種常見(jiàn)的電子器件，其中MOS管（MOSFET）是一種常用的三端器件，包括源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）。了解MOS管的源極、漏極和柵極的位置以及如何判斷它們
2024-01-10 15:34:2510151 的基本結(jié)構(gòu)和工作原理 MOSFET由源極（Source）、漏極（Drain）、柵極（Gate）和襯底（Substrate）四個(gè)部分組成。柵極與襯底之間有一層絕緣的氧化物層，稱為柵氧化物。當(dāng)柵極電壓（Vg）高于閾值電壓（Vth）時(shí)，柵氧化物下方的襯底表面形成導(dǎo)電溝道，實(shí)現(xiàn)源極和漏極之間的導(dǎo)通。
2024-08-01 09:19:552997 一、柵極驅(qū)動(dòng)IC與源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動(dòng)IC和源極在電子器件中扮演著不同的角色，它們的主要區(qū)別體現(xiàn)在功能和位置上。 功能差異 ： 柵極驅(qū)動(dòng)IC ：柵極驅(qū)動(dòng)IC是一種專門(mén)用于驅(qū)動(dòng)MOSFET（金屬氧化物
2024-10-07 16:20:002470 ： 柵極驅(qū)動(dòng)IC是一種集成電路，用于控制功率MOSFET或IGBT的開(kāi)關(guān)行為。它負(fù)責(zé)提供適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">電壓和電流，以確保功率開(kāi)關(guān)器件的快速、準(zhǔn)確和可靠的開(kāi)關(guān)。 工作原理 ： 柵極驅(qū)動(dòng)IC接收來(lái)自微控制器或其他控制邏輯的信號(hào)，并將其轉(zhuǎn)換為能夠驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)的信號(hào)。這通常涉及到電壓和電流的放大
2024-09-18 09:45:162601 （plate）和抑制柵極（suppressor grid）。簾柵極是五極管中的一個(gè)重要組成部分，它的作用是減少控制柵極和陽(yáng)極之間的電容效應(yīng)，提高放大器的穩(wěn)定性和頻率響應(yīng)。 在五極管中，簾柵極的電壓高低對(duì)電子管的性能有著顯著的影響。以下是對(duì)簾柵極電壓高低影響的分析： 1. 簾柵極
2024-09-24 14:34:202724 柵極（Gate）是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu)，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類似于“開(kāi)關(guān)”，通過(guò)施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例如，在MOS管中，柵極電壓的變化會(huì)在半導(dǎo)體表面形成導(dǎo)電溝道，從而調(diào)節(jié)電流的導(dǎo)通與截止。
2025-03-12 17:33:202750 
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