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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>緯湃科技開發(fā)出創(chuàng)新型功率模塊,將采用傳遞模塑工藝制造

緯湃科技開發(fā)出創(chuàng)新型功率模塊,將采用傳遞模塑工藝制造

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2021-01-14 10:59:552390

全球硬科技開發(fā)者大會(廣州)正式召開,開發(fā)者齊聚共商制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級

1月14日,全球硬科技開發(fā)者大會(廣州)召開,作為全球硬科技開發(fā)者大會2021年的開局之站,吸引了IDG資本、雷士照明、創(chuàng)維等嘉賓出席,為廣州的開發(fā)者帶來一場富含趨勢洞見與商業(yè)洽談機會的行業(yè)盛會
2021-01-15 12:15:532348

模塊電源產(chǎn)品線NMP系列

、Kiosk機器等跨產(chǎn)業(yè)領域與應用。 自NMP系列上市至今,陸續(xù)接獲客戶詢問雙輸出模塊產(chǎn)品。為響應市場端的殷切需求,承襲NMP系列1U薄型化、醫(yī)療與工控雙重認證、2x MOPP等既有產(chǎn)品特點的設計基礎,明產(chǎn)品設計團隊開發(fā)出雙輸出電壓模塊NMD-
2021-02-01 13:43:163401

Nanom已開發(fā)出典型電池材料轉(zhuǎn)變成納米顆粒的工藝

Nanom已經(jīng)開發(fā)出一種工藝,可以幫助電池材料更安全、更高效。該初創(chuàng)公司表示-- 是納米顆粒。 飛機上的行李不可攜帶裝有鋰離子電池的配件是有原因的,因為鋰離子電池容易爆炸起火。這也是休閑車制造采用
2021-04-29 16:48:562259

新思科技開發(fā)者大會延期至9月28日舉行

新思科技開發(fā)者大會的使命在于傳播知識、傳遞智慧、共享經(jīng)驗,基于此,我們更在意每一位開發(fā)者的健康和安全。鑒于目前的疫情發(fā)展態(tài)勢,應上海市疫情防控要求,我們慎重決定,原定于2021年9月8日舉辦
2021-09-02 11:04:291922

IGBT功率模塊封裝工藝介紹

IGBT 功率模塊基本的封裝工藝介紹,給初入半導體芯片制造封裝的工程師作為參考資料。
2022-06-17 14:28:4255

羅姆旗下的藍碧石科技開發(fā)出功率高達1W的無線供電芯片組

全球知名半導體制造商ROHM集團旗下的藍碧石科技株式會社(以下簡稱“藍碧石科技”)面向可穿戴設備,開發(fā)出可高達1W的無線供電芯片組“ML7661”(發(fā)射端)和“ML7660”(接收端)。
2022-10-12 16:33:511917

碳化硅賦能更為智能的半導體制造/工藝電源模塊

器件實現(xiàn)更高的功率密度,尤其是 ATDI 的新型 Kodiak 電源平臺,其功率密度高達 40 W/in3。此外,Wolfspeed 具有開發(fā)穩(wěn)定 SiC 解決方案的悠久歷史,能夠幫助 ATDI 提供性能更出色的功率轉(zhuǎn)換器,反之亦可幫助客戶提升工藝控制水平。
2023-05-20 15:46:511331

科技和安森美簽署碳化硅(SiC)長期供應協(xié)議,共同投資于碳化硅擴產(chǎn)

點擊藍字?關注我們 科技正在鎖定價值 19億美元(17.5億歐元)的碳化硅(SiC)產(chǎn)能 科技通過向安森美提供 2.5億美元(2.3億歐元)的產(chǎn)能投資 ,獲得這一關鍵的半導體技術(shù),以實現(xiàn)
2023-06-02 19:55:01975

科技和安森美簽署碳化硅長期供應協(xié)議,共同投資于碳化硅擴產(chǎn)

科技首席執(zhí)行官Andreas Wolf說:“高能效碳化硅功率半導體正處于需求量激增的起步階段。因此我們必須與安森美一起打造完整的碳化硅價值鏈。通過這項投資,我們在未來十年甚至更長時間內(nèi)都能確保該項關鍵技術(shù)的供應?!?/div>
2023-06-06 15:03:471531

IGBT功率模塊的封裝工藝介紹

IGBT 功率模塊基本的封裝工藝詳細講解,可以作為工藝工程師的一個參考和指導。 絲網(wǎng)印刷目的: 錫膏按設定圖形印刷于DBC銅板表面,為自動貼片做好前期準備 設備: BS1300半自動對位SMT錫漿絲印機
2023-06-19 17:06:410

羅姆與科技簽署SiC功率元器件長期供貨合作協(xié)議

SiC(碳化硅)功率元器件領域的先進企業(yè)ROHM Co., Ltd. (以下簡稱“羅姆”)于2023年6月19日與全球先進驅(qū)動技術(shù)和電動化解決方案大型制造科技(以下簡稱“Vitesco”)簽署
2023-06-20 16:14:54581

新聞 | 羅姆與科技簽署SiC功率元器件長期供貨合作協(xié)議

SiC(碳化硅)功率元器件領域的先進企業(yè) ROHM Co., Ltd. (以下簡稱“羅姆”)于2023年6月19日與全球先進驅(qū)動技術(shù)和電動化解決方案大型制造科技(以下簡稱“Vitesco
2023-06-21 08:10:02991

半導體封裝工藝模塑工藝類型

)指先熔化再固化塑料環(huán)氧材料(Epoxy)進行密封。在這兩種方法中, 目前很少使用密封法(Hermetic),而多采用使用環(huán)氧樹脂模塑料的模塑法(Molding)。就用樹脂填充半導體的方法而言,模塑工藝
2023-06-26 09:24:3614313

強化本土化研發(fā)實力,科技長春全新研發(fā)中心正式投入使用

設計建造 長春和上海2023年8月1日?/美通社/ -- 科技全新的長春研發(fā)中心今日正式投入使用。作為全球領先的動力總成技術(shù)及可持續(xù)出行供應商,科技延續(xù)"扎根市場、服務市場"的本土化戰(zhàn)略,持續(xù)在中國加碼、在長春投資,憑借近
2023-08-02 10:31:271237

科技和英飛凌科技正在加強雙方的長期合作關系

科技和英飛凌科技股份公司正在加強雙方的長期合作關系。科技將在其下一代電子電氣汽車架構(gòu)(E/E架構(gòu))的主控制器和區(qū)域控制器以及新的電氣化系統(tǒng)解決方案中使用英飛凌的AURIX TC4x微控制器
2023-11-15 15:26:332182

舍弗勒收購價格提高到38億歐元,科技認為依然不夠

這份合理的聲明考慮了兩家公司當天簽訂的業(yè)務合并合同,明確了業(yè)務合并的主要要點和今后兩家公司之間的合作框架。此外,舍弗勒還更新了收購提案,科技的股票收購價格從91歐元提高到94歐元。
2023-11-29 09:35:031350

DC電源模塊的設計與制造技術(shù)創(chuàng)新

的電路拓撲結(jié)構(gòu)、使用高性能的功率開關器件和優(yōu)化控制算法等手段來提高能量轉(zhuǎn)換效率,降低能量損耗。 DC電源模塊的設計與制造技術(shù)創(chuàng)新 2. 小型化設計:隨著電子設備的迷你化和便攜化要求的增加,DC電源模塊需要盡可能小型化。技術(shù)創(chuàng)新可通過采用高密度封裝
2023-12-15 11:33:341310

科技洞察:電驅(qū)橋系統(tǒng)的技術(shù)革新與未來趨勢

科技的第四代電驅(qū)橋系統(tǒng)在2024年實現(xiàn)了一系列重要的技術(shù)進步:減少了損耗、提升了功率密度和效率、降低了成本。預計下一代系統(tǒng)更加注重環(huán)境友好,并在輸出功率范圍、尺寸和效率等方面進一步改進。
2024-03-01 10:39:492321

安信可科技開發(fā)的藍牙星閃模塊—Ai-BS21-32S初體驗

Ai-BS21-32S是由安信可科技開發(fā)的藍牙星閃模塊。該模塊核心處理器芯片Hi2821是一款高集成2.4GHz SoC BLE&SLE芯片,支持BLE5.4/SLE1.0,集成RF電路
2024-04-15 10:32:237480

ROHM開發(fā)出新型二合一 SiC封裝模塊“TRCDRIVE pack?”

小型封裝內(nèi)置第4代SiC MOSFET,實現(xiàn)業(yè)界超高功率密度,助力xEV逆變器實現(xiàn)小型化! 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向300kW以下的xEV(電動汽車)用牽引逆變器,開發(fā)出
2024-06-11 14:19:43901

ROHM開發(fā)出新型二合一SiC封裝模塊TRCDRIVE pack

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向300kW以下的xEV(電動汽車)用牽引逆變器,開發(fā)出二合一SiC封裝型模塊“TRCDRIVE pack”,共4款產(chǎn)品。
2024-06-19 14:28:411320

TEL、富士金和TMEIC開發(fā)出沉積工藝新型臭氧濃度監(jiān)測儀

近日,Tokyo Electron(TEL)、富士金株式會社和TMEIC株式會社共同開發(fā)出一款調(diào)控半導體制造的沉積工藝中臭氧濃度的新型監(jiān)測儀,并對該監(jiān)測儀與臭氧發(fā)生器的兼容性進行全面測試。此次的聯(lián)合開發(fā)也是TEL發(fā)起并推動的供應鏈倡議E-COMPASS的一部分。
2024-07-16 18:25:381882

功率模塊封裝全攻略:從基本流程到關鍵工藝

功率模塊作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其封裝技術(shù)直接關系到器件的性能、可靠性以及使用壽命。隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,功率模塊的封裝工藝也在不斷創(chuàng)新和優(yōu)化。本文將從典型功率模塊封裝的關鍵工藝入手,詳細探討其技術(shù)細節(jié)和應用前景。
2024-09-11 11:02:114523

鎧俠開發(fā)新型CXL接口存儲器

近日,鎧俠公司宣布其“創(chuàng)新型存儲制造技術(shù)開發(fā)”提案已被日本新能源?產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)(NEDO)的“加強后5G信息和通信系統(tǒng)基礎設施研究開發(fā)項目/先進半導體制造技術(shù)開發(fā)”計劃采納。這一消息標志著鎧俠在新型存儲器研發(fā)領域取得了重要進展。
2024-11-11 15:54:30941

如何創(chuàng)新印刷電子技術(shù)提高制造智能傳感器的性能和穩(wěn)定性?

印刷電子在傳感器制造中,通過技術(shù)創(chuàng)新提高傳感器性能和穩(wěn)定性的方法主要包括開發(fā)新型功能性材料和油墨配方、優(yōu)化制造工藝
2024-11-16 21:51:291132

功率模塊封裝工藝有哪些

本文介紹了有哪些功率模塊封裝工藝。 功率模塊封裝工藝 典型的功率模塊封裝工藝在市場上主要分為三種形式,每種形式都有其獨特的特點和適用場景。以下是這三種封裝工藝的詳細概述及分點說明: 一、智能功率模塊
2024-12-02 10:38:532342

功率模塊封裝工藝

封與雙面散熱模塊 1 常見功率模塊分類 一、智能功率模塊(IPM)封裝工藝 工藝特點: 塑封、多芯片封裝,包括ICBT、FRD及高低壓IC等元器件。 采用引線框架、DBC(直接敷銅板)、焊料裝片、金鋁線混打等工藝。 目標市場為白電應用、消費電子及部
2024-12-06 10:12:353111

瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET,助力多領域應用

MOSFET的核心亮點在于采用了瑞薩電子創(chuàng)新的晶圓制造工藝——REXFET-1。這項技術(shù)有效降低了MOSFET的導通電阻(Rdson)高達30%,從而顯著減少了功率損耗,為
2025-01-13 11:41:38957

通快與SCHMID集團合作創(chuàng)新芯片制造工藝

德國通快集團(TRUMPF)與SCHMID集團近期宣布了一項重大合作,旨在為全球芯片行業(yè)帶來革命性的制造工藝升級。雙方正攜手開發(fā)最新一代微芯片的創(chuàng)新制造流程,旨在提升智能手機、智能手表及人
2025-02-06 10:47:291119

??萍汲蔀?026工賦上海創(chuàng)新大會傳播圈伙伴

作為深耕「AI+制造」領域的核心玩家,上海睿信息科技有限公司此次也攜手2026“工賦上?!?b class="flag-6" style="color: red">創(chuàng)新大會,以「傳播圈伙伴」的身份助力大會發(fā)聲,共塑“AI+制造”生態(tài)傳播影響力。
2025-12-10 09:26:521526

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