如果不用固定的時(shí)鐘來(lái)初始化導(dǎo)通時(shí)間,而利用檢測(cè)電路來(lái)有效地“感測(cè)”MOSFET (VDS) 漏源電壓的第一個(gè)最小值或谷值,并僅在這時(shí)啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通時(shí)間,結(jié)果會(huì)是由于寄生電容被充電到最小電壓,導(dǎo)通的電流尖峰將會(huì)最小化。這情況常被稱為谷值開(kāi)關(guān) (Valley Switching) 或準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)。這篇文章的目的目的在于和大家分享關(guān)于準(zhǔn)諧振反激的原理、應(yīng)用及參數(shù)計(jì)算方面的知識(shí)。

　　準(zhǔn)諧振 QR

　　Q(Quasi)

　　R( resonant)

　　主要是降低mosfet的開(kāi)關(guān)損耗，而mos的開(kāi)關(guān)損耗主要是來(lái)源于自身的輸出電容。

　　從上圖中，大家可以討論一下，一般的開(kāi)關(guān)損耗來(lái)自于那幾個(gè)部分的寄生電容產(chǎn)生的。在傳統(tǒng)的非連續(xù)模式反激DCM)的停滯時(shí)間內(nèi)，寄生電容將會(huì)跟VDC周圍的主要電感產(chǎn)生振蕩。寄生電容上的電壓會(huì)隨振蕩而變化，但始終具有相當(dāng)大的數(shù)值。當(dāng)下一個(gè)周期MOSFET導(dǎo)通時(shí)間開(kāi)始時(shí)，寄生電容會(huì)通過(guò)MOSFET放電，產(chǎn)生很大的電流尖峰。由于這個(gè)電流出現(xiàn)時(shí)MOSFET存在一個(gè)很大的電壓,該電流尖峰因此會(huì)做成開(kāi)關(guān)損耗。

　　從上面的圖可以看到，準(zhǔn)諧振跟一般的傳統(tǒng)反激原理基本一樣。

　　Lleak是初級(jí)漏感，Rp是初級(jí)電阻，Cp是諧振電容;

　　當(dāng)副邊繞組中的能量釋放完畢之后(即變壓器磁通完全復(fù)位)，在開(kāi)關(guān)管的漏極出現(xiàn)正弦波振蕩電壓，振蕩頻率由LP、CP決定，衰減因子由RP決定。

　　對(duì)于傳統(tǒng)的反激式變換器，其工作頻率是固定的，因此開(kāi)關(guān)管再次導(dǎo)通有可能出現(xiàn)在振蕩電壓的任何位置(包括峰頂和谷底)。