Power Integrations，近日推出LinkSwitc-TN2 系列 IC，此系列適用于非隔離離線式電源供應器，且應屬高度整合（內(nèi)建Mosfet與控制器），可大幅提高效能與節(jié)省空間，相較于傳統(tǒng)線性或電容式降壓器更具優(yōu)勢。

所有裝置中內(nèi)建的半導體，除了以往傳統(tǒng)的耐壓為725V外，更是推出了高達耐壓900V的MOSFET，使得設(shè)計與應用方面更為彈性，

其控制器也包含了振蕩器、于輕負載時實現(xiàn)最高效率的開/關(guān)控制、自偏壓的高電壓切換電流源、頻率抖動（Jitter）、current limit（可調(diào)整）、磁滯回復過熱關(guān)機，以及輸出和輸入過壓保護電路，除了大大降低空間成本，并具有更高的可靠性。此系列支援降壓式、升降壓式和返馳式轉(zhuǎn)換器架構(gòu)。

LinkSwitch-TN2 IC 的待機電流消耗極低，因此可讓電源供應器設(shè)計滿足滿足法規(guī)所需求之無負載和待機規(guī)格，此系列支援降壓式、升降壓式和返馳式轉(zhuǎn)換器架構(gòu)。

LinkSwitch-TN2 IC 可依據(jù)不同應用，簡單的借由外部兩顆回授電阻來調(diào)整所需的輸出電壓，除了常用的12Vdc output，也可運用在3.3Vdc or 5Vdc用以供應OPA/MCU/Relay的零件電源，或者對于小瓦數(shù)且需要on board的需求，19Vdc or 24Vdc或是大型sever power的standby power，都是常用的范圍，甚至其它特殊電壓的應用，皆可隨著負載端而調(diào)整，所以使用上更顯得多樣，同時無論是何種應用，PI因內(nèi)建控制器與高壓Mosfet屬同一制程，是與它廠integrate的solution最大不同的地方，尤其反映在產(chǎn)品的Performance，因為特性更好，可省去或縮小周邊諸多的需求，對于空間，版材大小，零件選用等等，都是相對于有優(yōu)勢的。

LinkSwitchTM-TN2 LNK3294G/P for 1.44W 非隔離降壓式Power Supply，常應用于大功率系統(tǒng)內(nèi)的AUX Power應用，來因應用已提供PWM訊號的MCU電源，以及提供擷取電壓/電流/溫度等各種保護需求訊息的OPA電源，來給予MCU判斷，做進一步的控制，針對目前由類比漸漸轉(zhuǎn)為數(shù)位的電源市場，擁有更簡單的設(shè)計于版上，同時空間的節(jié)省，也可獨立利于小版上，避免Power loop干擾到訊號，此范例應用了更高耐壓等級的900V Mosfet，也適用于輸入電壓范圍更高的應用，并保持零件該有的Rating規(guī)范，最后IC內(nèi)建了多種保護Function（OV/OC/OT），無須再額外多馀的線路，可在系統(tǒng)發(fā)生異常前，先行切斷所有的電源供應，讓Power Shutdown，進而保護產(chǎn)品本身Damage的風險。

核心技術(shù)優(yōu)勢

?最高效能與設(shè)計彈性

?支援降壓式、升降壓式與返馳式架構(gòu)

?優(yōu)異的負載和線間調(diào)節(jié)

?限電流的可選擇擇性，用已提供設(shè)計者需要的效率或是成本

?縮減磁性元件和輸出電容器的尺寸和成本（使用低成本現(xiàn)成降壓電感其即可）

?頻率抖動（Jitter）功能可降低EMI濾波器復雜度

?利用Source Pin用以散熱，簡化散熱成本與優(yōu)化EMI

?內(nèi)建多樣保護（OVP/OVL/OTP/Output short/Open Loop）

?待機供應電流 《100μA

?使用外部偏壓時，無負載功耗低于30mW

?725V MOSFET額定值可實現(xiàn)優(yōu)異的突波承受度

?900V MOSFET系列適用于工業(yè)應用或提供更大的安全幅度

方案規(guī)格

?900 V最大漏極電壓

?高度集成的解決方案，盡可能少的組件數(shù)量

?無需光耦進行調(diào)節(jié)即可達到輸出電壓之調(diào)節(jié)范圍

?具有自動恢復功能的熱過載保護

?空載功耗《30mW》73％

?《±5％負載調(diào)整率