新型PowiGaN開關為工業(yè)應用提供了巨大的裕量，在具有挑戰(zhàn)性的電網(wǎng)環(huán)境中尤為重要。

Power Integrations發(fā)布了全球電壓最高的單開關氮化鎵(GaN)電源IC，采用1,250 V PowiGaN開關。InnoSwitch3-EP 1,250 V IC是Power Integrations的InnoSwitch系列離線CV/CC QR反激式開關IC的最新成員，具有同步整流、FluxLink安全隔離反饋和一系列開關選項：725 V硅、1,700 V碳化硅(SiC)和PowiGaN，有750 V、900 V和現(xiàn)在的1,250 V型號。

Power Integrations專有的1,250 V PowiGaN技術的開關損耗不到相同電壓下等效硅器件的三分之一。這導致電源轉(zhuǎn)換效率高達 93%，從而實現(xiàn)高度緊湊的反激式電源，無需散熱器即可提供高達 85 W 的功率。

據(jù)Power Integrations稱，該公司繼續(xù)推進高壓氮化鎵技術開發(fā)和商業(yè)部署的最新進展，即使是最好的高壓硅MOSFET也在此過程中過時。2019 年，隨著基于 GaN 的電源 IC 的大量出貨，Power Integration 率先進入市場，并于今年早些時候推出了其基于 GaN 的 InnoSwitch 產(chǎn)品的 900 伏版本。這些新的1,250 V器件展示了更高電壓GaN技術的持續(xù)發(fā)展，將GaN的效率優(yōu)勢擴展到更廣泛的應用，包括目前由碳化硅技術服務的許多應用。

使用新型InnoSwitch3-EP 1,250 V IC的設計人員可以放心地指定1,000 V的工作峰值電壓，從而實現(xiàn)從1,250 V絕對最大值降低80%的行業(yè)標準。這為工業(yè)應用提供了巨大的空間，在具有挑戰(zhàn)性的電網(wǎng)環(huán)境中尤為重要，在這些環(huán)境中，魯棒性是抵御電網(wǎng)不穩(wěn)定、浪涌和其他電源擾動的基本防御措施。

審核編輯：彭菁