邁入2020年，DRAM模組及NAND Flash終端產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)持續(xù)上漲，與存儲(chǔ)顆粒合約價(jià)之間的溢價(jià)差持續(xù)擴(kuò)大，包括威剛、十銓、廣穎等存儲(chǔ)模組廠對(duì)2020年?duì)I運(yùn)展望樂(lè)觀，而且看好2020年獲利表現(xiàn)會(huì)
2020-01-15 09:36:01
5552 報(bào)導(dǎo)，存儲(chǔ)器三強(qiáng)三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速為10納米DRAM時(shí)代做準(zhǔn)備。因存儲(chǔ)器削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)結(jié)束后，三大廠認(rèn)為以25
2014-04-04 09:08:421577 受標(biāo)準(zhǔn)型DRAM存儲(chǔ)器供不應(yīng)求影響，4GB DDR3/DDR4原廠顆?，F(xiàn)貨價(jià)持續(xù)飆漲，本月以來(lái)平均漲幅近15%，第三季度以來(lái)累計(jì)漲幅高達(dá)45%至50%，模組價(jià)格本月漲幅也超過(guò)20%。
2016-10-22 22:04:59761 大陸DRAM和NAND Flash存儲(chǔ)器大戰(zhàn)全面引爆，近期包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫等陣營(yíng)陸續(xù)來(lái)臺(tái)鎖定IC設(shè)計(jì)和DRAM廠強(qiáng)力挖角，目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計(jì)公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151867 華亞科并入美光后，本月正式更名為美光臺(tái)灣分公司桃園廠，美光也計(jì)劃擴(kuò)大投資臺(tái)灣，將在臺(tái)中建立后段DRAM封測(cè)廠，相關(guān)投資將在標(biāo)購(gòu)達(dá)鴻位在后里中科園區(qū)的廠房后立即啟動(dòng)。
2017-03-07 09:18:031065 之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續(xù)，取決于存儲(chǔ)器龍頭三星電子，要是三星擴(kuò)產(chǎn)，好景恐怕無(wú)法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤(rùn)誘人，傳出決定擴(kuò)產(chǎn)，新產(chǎn)線預(yù)計(jì)兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15876 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:185523 
存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類(lèi)，前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:022740 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:365076 
，從今年第四季度開(kāi)始，DRAM、NAND產(chǎn)品合約價(jià)格開(kāi)始呈現(xiàn)下跌態(tài)勢(shì)，預(yù)計(jì)持續(xù)至明年上半年。 ? 今年Q4開(kāi)始，DRAM、NAND出貨下滑、價(jià)格下跌 ? 市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)紛紛表示存儲(chǔ)價(jià)格在今年Q4已經(jīng)出現(xiàn)下跌。根據(jù)閃存市場(chǎng)，因?yàn)镼3加大了對(duì)DRAM的供應(yīng)，目前DRAM市場(chǎng)
2021-10-21 07:28:005277 DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲(chǔ)器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM：動(dòng)態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫(xiě)，翻譯過(guò)來(lái)就是只讀存儲(chǔ)器。常見(jiàn)的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過(guò)是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
SRAM：其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)就能長(zhǎng)期保存。 2、動(dòng)態(tài)DRAM：寫(xiě)入的信息只能保存若干ms時(shí)間，因此，每隔一定時(shí)間必須重新寫(xiě)入一次，以保持原來(lái)的信息不變?！ 】涩F(xiàn)場(chǎng)改寫(xiě)的非易失性存儲(chǔ)器
2017-10-24 14:31:49
SRAM：其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)就能長(zhǎng)期保存。 2、動(dòng)態(tài)DRAM：寫(xiě)入的信息只能保存若干ms時(shí)間，因此，每隔一定時(shí)間必須重新寫(xiě)入一次，以保持原來(lái)的信息不變。 可現(xiàn)場(chǎng)改寫(xiě)的非易失性存儲(chǔ)器
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類(lèi)【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲(chǔ)器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡(jiǎn)單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門(mén)，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息，例如R-S鎖存器和門(mén)控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
的應(yīng)用就是應(yīng)用程序存儲(chǔ)在Flash/ROM中，初始這些存儲(chǔ)器地址是從0開(kāi)始的，但這些存儲(chǔ)器的讀時(shí)間比SRAM/DRAM長(zhǎng)，造成其內(nèi)部執(zhí)行頻率不高，故一般在前面一段程序?qū)⒋a搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存儲(chǔ)器空間，將相應(yīng)SRAM/DRAM映射到地址0，重新執(zhí)行程序可達(dá)到高速運(yùn)行的目的。
2018-06-10 00:47:17
各位大神好，我想用FPGA讀寫(xiě)DRAM存儲(chǔ)器，求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類(lèi)？Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-24 07:04:20
[資訊] DRAM挺過(guò)7月 有望旺到后年動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）價(jià)格年初以來(lái)維持強(qiáng)勢(shì)，但封測(cè)廠強(qiáng)調(diào)，7月?tīng)柋剡_(dá)新增產(chǎn)能是否可以去化是重要觀察期，一旦能順利消化，DRAM產(chǎn)業(yè)榮景將能持續(xù)到明、后年
2010-05-10 10:51:03
工程師，2-5年工作經(jīng)驗(yàn)，封裝廠。無(wú)錫8，前道、后道設(shè)備工程師，半導(dǎo)體，封測(cè)廠，無(wú)錫9. 測(cè)試設(shè)備工程師，半導(dǎo)體，封測(cè)廠，無(wú)錫。
2010-03-03 13:51:07
在單板設(shè)計(jì)中，無(wú)論是涉及到一個(gè)簡(jiǎn)易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開(kāi)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)：
1、存儲(chǔ)器介紹
存儲(chǔ)器的分類(lèi)大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM——Static RAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯片的可靠性。隨著對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長(zhǎng)，其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專(zhuān)用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法。
2019-11-01 07:01:17
想問(wèn)一下pcb的工藝，是屬于在晶圓廠做的工藝還是封測(cè)廠呀
2021-10-14 22:32:25
程轉(zhuǎn)換不易，服務(wù)器等需求依然暢旺，Mobile DRAM的裝載量持續(xù)擴(kuò)大，都給2018年DRAM的商機(jī)帶來(lái)足夠的支撐。3D NAND的多層化，既是進(jìn)入障礙也是商機(jī)的來(lái)源，但非存儲(chǔ)器的商機(jī)仍然占了半導(dǎo)體市場(chǎng)
2018-12-24 14:28:00
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶(hù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
存儲(chǔ)器的一般用途是代碼儲(chǔ)存。系統(tǒng)需要一個(gè)相對(duì)較小進(jìn)的存儲(chǔ)，大約小2Gb. 這樣 .代碼可以從NOR閃存直接執(zhí)行，這種存儲(chǔ)器也常用于嵌入式文件系統(tǒng)的存儲(chǔ)器，這些類(lèi)型的系統(tǒng)中 DRAM 常用便簽式存儲(chǔ)器。在這
2018-05-17 09:45:35
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類(lèi)--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類(lèi)--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
存儲(chǔ)器的分類(lèi)及原理,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,只讀存儲(chǔ)器,其他存儲(chǔ)器和技術(shù).
2008-08-17 22:29:43
20 TCL3418E原廠存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-06 08:45:5111 TCL 2939DR原廠存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-10 13:17:458 基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)
1、引言
當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來(lái)越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:031028 
為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)
存儲(chǔ)器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類(lèi)，DRAM及閃存類(lèi)。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬，使其半
2010-01-18 16:07:21626 日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布，已開(kāi)發(fā)出全球最薄的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:361316 總結(jié)2012年DRAM市場(chǎng)動(dòng)態(tài)并展望2013年，TrendForce提出新的一年DRAM市場(chǎng)值得持續(xù)關(guān)注的五大重點(diǎn)趨勢(shì)
2013-01-10 11:30:041473 日前，存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì)，會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價(jià)格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過(guò)于求，價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:001193 中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展？本文從純市場(chǎng)的角度，就DRAM、NAND Flash、封測(cè)技術(shù)和發(fā)展思路等方面提出幾點(diǎn)思考。
2018-03-07 17:46:006778 
存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類(lèi)：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來(lái)做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33113863 中國(guó)三大存儲(chǔ)器勢(shì)力還有一大神秘隊(duì)伍合肥長(zhǎng)鑫，看看背后有著怎么樣的神秘。 揭開(kāi)合肥存儲(chǔ)器項(xiàng)目神秘 合肥對(duì)DRAM的謀劃不僅是合肥長(zhǎng)鑫的存儲(chǔ)項(xiàng)目，在2016年3月，就有消息傳出，原爾必達(dá)社長(zhǎng)坂本幸雄成立的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司兆基科技（Sino King Technology）將在中國(guó)主導(dǎo)大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)項(xiàng)目。
2018-05-02 10:28:009953 存儲(chǔ)器市場(chǎng)爆發(fā)，DRAM市場(chǎng)前景看好。2017年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003740 DRAM技術(shù)上取得的進(jìn)步伴隨著多內(nèi)核處理器的出現(xiàn)、新的操作系統(tǒng)，以及跨多種不同運(yùn)算平臺(tái)和應(yīng)用的越來(lái)越多的不同要求，包括服務(wù)器、工作站、海量存儲(chǔ)系統(tǒng)、超級(jí)計(jì)算機(jī)、臺(tái)式電腦和筆記本電腦和外設(shè)。存儲(chǔ)器技術(shù)
2020-05-21 07:52:007925 
很長(zhǎng)一段時(shí)間里，由于供貨吃緊、技術(shù)受限、需求增加等，DRAM在過(guò)去九個(gè)季度中價(jià)格持續(xù)上漲。但隨著技術(shù)漸入瓶頸，加之2018年智能手機(jī)增長(zhǎng)勢(shì)頭放緩、PC出貨量不斷下滑、云服務(wù)盛行下服務(wù)器需求大減等影響，市場(chǎng)中DRAM漸趨供過(guò)于求，進(jìn)而使得DRAM價(jià)格持續(xù)下跌。這種情況，對(duì)于國(guó)產(chǎn)廠商而言究竟意味著什么呢？
2018-10-17 16:32:581268 由于各大內(nèi)存廠產(chǎn)能“剎不住車(chē)”，NAND Flash快閃存儲(chǔ)器和DRAM價(jià)格已經(jīng)持續(xù)走低，終結(jié)了持續(xù)兩年的市場(chǎng)供應(yīng)緊俏狀況。
2018-10-27 08:59:144267 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單分成易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器，易失存儲(chǔ)器在過(guò)去的幾十年里沒(méi)有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）為主，非易失存儲(chǔ)器反而不斷有
2019-01-01 08:55:0013980 
韓國(guó)存儲(chǔ)器廠 SK 海力士受惠于 DRAM 價(jià)格大漲，以及市況持續(xù)暢旺，去年第四季凈利幾乎翻兩倍。
2018-12-28 14:40:541159 
在經(jīng)歷了兩年的瘋狂上漲之后，存儲(chǔ)器市場(chǎng)要進(jìn)行深度的調(diào)整了。美國(guó)花旗銀行預(yù)計(jì)明年存儲(chǔ)器價(jià)格會(huì)大幅下降，NAND價(jià)格會(huì)跌45%，DRAM價(jià)格會(huì)下跌30%，而且明年Q2季度之前不會(huì)見(jiàn)底。
2019-01-02 14:23:401156 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí)，其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器。
2019-01-07 16:46:4916884 19日出具調(diào)查報(bào)告指出，今年上半年DRAM市場(chǎng)仍供過(guò)于求，價(jià)格持續(xù)下跌，不僅本季價(jià)格跌幅將超過(guò)二成，下季仍持續(xù)看跌15%，相當(dāng)于上半年累計(jì)跌價(jià)幅度超過(guò)三成，比市場(chǎng)原預(yù)期更悲觀，華邦、南亞科等芯片廠，以及模組廠威剛、宇瞻等，營(yíng)運(yùn)將面臨下修壓力。
2019-02-22 09:20:122875 根據(jù)報(bào)導(dǎo)，DRAM的價(jià)格接連下跌，零售的計(jì)算機(jī)用DRAM價(jià)格最終也下跌到5萬(wàn)韓元以下，這樣的走勢(shì)比預(yù)期要快許多，預(yù)計(jì)今年出口的前景也不樂(lè)觀。
2019-03-10 09:54:57828 存儲(chǔ)器市況不明，針對(duì)存儲(chǔ)器價(jià)格波動(dòng)趨勢(shì)，存儲(chǔ)器控制芯片廠慧榮總經(jīng)理茍嘉章表示，預(yù)估快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）價(jià)格已近谷底，下半年若再跌，幅度大約在低個(gè)位數(shù)百分比；而動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）則預(yù)估持續(xù)跌至年底。
2019-05-06 16:23:48802
中美貿(mào)易戰(zhàn)下，存儲(chǔ)器市場(chǎng)波動(dòng)情形持續(xù)受關(guān)注，研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技近日舉行“Compuforum 2019：資料經(jīng)濟(jì)大未來(lái)”研討會(huì)，資深協(xié)理吳雅婷預(yù)估，今年整體DRAM銷(xiāo)售額
2019-06-06 16:36:373382 過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說(shuō)是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來(lái)臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:411115 隨著5G時(shí)代的逐漸逼近，物聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展促進(jìn)著存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)表明，中國(guó)消耗全球20%的DRAM及25%的NAND，2017年中國(guó)進(jìn)口存儲(chǔ)器889.21億美元，同比2016年的637.14億美元增長(zhǎng)了39.56%。
2019-09-17 10:47:241330 業(yè)內(nèi)研究人員表示，中國(guó)目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲(chǔ)器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實(shí)現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:012152 存儲(chǔ)器大廠華邦電高雄新12英寸廠已在7月上梁，興建計(jì)劃依進(jìn)度進(jìn)行中，原本預(yù)期2021年底可開(kāi)始進(jìn)入生產(chǎn)，初期以25納米DRAM開(kāi)始投片。不過(guò)，華邦電董事長(zhǎng)焦佑鈞6日表示，明年存儲(chǔ)器市況將趨于穩(wěn)定
2019-12-09 11:10:223470 內(nèi)部的數(shù)據(jù)會(huì)隨著電量的消失而丟失，因此SRAM具有較高的性能。 但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM存儲(chǔ)器可以設(shè)計(jì)為較
2020-03-08 17:15:004433 
據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，由于第一季度表現(xiàn)良好，加上存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)下半年需求有望升溫，臺(tái)灣存儲(chǔ)器模組廠宇瞻股價(jià)一路高漲15.9%。
2020-03-08 18:32:312419 ReRAM，目前暫無(wú)商用產(chǎn)品，其代表公司是美國(guó)的Crossbar。 上述新型存儲(chǔ)器已被研究了近數(shù)十年，只是相對(duì)于早已產(chǎn)業(yè)化的隨機(jī)存儲(chǔ)sram、DRAM存儲(chǔ)器、和NAND Flash，還未能大規(guī)模商用
2020-04-25 11:05:573525 
專(zhuān)注工控DRAM模塊與Flash儲(chǔ)存裝置集成方案的敏博（MEMXPRO Inc.），不受疫情影響，持續(xù)生產(chǎn)開(kāi)發(fā)，采用美光原廠顆粒，正式推出原生工業(yè)級(jí)16/32G DDR4-3200大容量高速工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)器模塊。
2020-05-17 10:49:331380 的網(wǎng)絡(luò)開(kāi)發(fā)和商業(yè)化，但首先讓我們看一下當(dāng)前存儲(chǔ)器和新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的特點(diǎn)，并了解為什么MRAM能夠立足出來(lái)。 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的比較下表1比較了各種新興的非存儲(chǔ)器技術(shù)與已建立的存儲(chǔ)器（SRAM，DRAM，NOR和NAND閃
2020-06-09 13:46:161487 
靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（SRAM）是隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的一種。說(shuō)白了的靜態(tài)數(shù)據(jù)，就是指這類(lèi)存儲(chǔ)器要是維持接電源，里邊存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息就可以恒常維持。相對(duì)性下，動(dòng)態(tài)性隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（DRAM）里邊所存儲(chǔ)
2020-08-10 16:43:2416581 受惠于存儲(chǔ)器市場(chǎng)價(jià)格的居高不下，中國(guó)臺(tái)灣主要的存儲(chǔ)器廠，包括南亞科、旺宏、華邦電等經(jīng)歷2月份工作時(shí)間縮短，影響部分營(yíng)收的情況下，3月份恢復(fù)正常工作時(shí)間，也帶動(dòng)營(yíng)收的再往前沖。其中，DRAM大廠南亞科
2020-09-03 16:38:02753 相信有很多人都對(duì)計(jì)算機(jī)里的各種存儲(chǔ)器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就會(huì)存在，內(nèi)存條是 dram 還是 nand？nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3812674 獨(dú)立存儲(chǔ)器市場(chǎng)和相關(guān)技術(shù)的摘要，包括NAND，DRAM，持久性存儲(chǔ)器，NOR，（NV）SRAM，新興的NVM等。
2020-10-20 10:41:444749 
。 過(guò)去的DRAM不再用于較小的系統(tǒng)，因?yàn)樗鼈冃枰?b class="flag-6" style="color: red">DRAM控制器。SRAM進(jìn)入了內(nèi)存需求小的系統(tǒng)。DRAM進(jìn)入更大的存儲(chǔ)器，并伴隨著用于更大存儲(chǔ)器的控制器。 傳統(tǒng)存儲(chǔ)器供應(yīng)商提供可預(yù)測(cè)的價(jià)格和長(zhǎng)期客戶(hù)支持很重要，因?yàn)樾略O(shè)計(jì)仍然使用較舊的
2020-11-24 16:29:11939 鐵電存儲(chǔ)器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類(lèi)型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器和閃存）結(jié)合起來(lái)。
2020-12-03 11:53:168368 最近Techinsights舉辦了一場(chǎng)關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，Jeongdong Choe博士介紹了他對(duì)最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:461607 隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器，可讀可寫(xiě)，分為SRAM和DRAM，即靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，理解上靜動(dòng)態(tài)主要體現(xiàn)是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否則數(shù)據(jù)將丟失;SRAM的效率較好，而成本較高，通常將SRAM作為cache使用。
2021-03-18 15:14:065292 、NAND產(chǎn)品合約價(jià)格開(kāi)始呈現(xiàn)下跌態(tài)勢(shì)，預(yù)計(jì)持續(xù)至明年上半年。 今年Q4開(kāi)始，DRAM、NAND出貨下滑、價(jià)格下跌 市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)紛紛表示存儲(chǔ)價(jià)格在今年Q4已經(jīng)出現(xiàn)下跌。根據(jù)閃存市場(chǎng)，因?yàn)镼3加大了對(duì)DRAM的供應(yīng)，目前DRAM市場(chǎng)已經(jīng)恢復(fù)平穩(wěn)，而NAND市場(chǎng)近期的供應(yīng)
2021-10-27 09:44:072340 SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-10-28 09:51:2011 Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM——Static RAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2021-12-02 10:06:053 兩種最常見(jiàn)的商業(yè)存儲(chǔ)器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快，但需要持續(xù)供電來(lái)維持其信息。閃存是非易失性的，對(duì)于長(zhǎng)期大容量存儲(chǔ)來(lái)說(shuō)足夠穩(wěn)定，但速度不是特別快。鐵電存儲(chǔ)器介于兩者之間，并可能提供必要的中間步驟。
2023-01-30 16:10:044097 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:5712478 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:391353 
在汽車(chē)存儲(chǔ)器市場(chǎng)中，汽車(chē)座艙是存儲(chǔ)器的主要應(yīng)用領(lǐng)域，隨著智能座艙的持續(xù)演進(jìn)，更多的屏幕、觸控、傳感器、高性能SoC等。
2023-03-03 16:53:401136 SRAM也是易失性存儲(chǔ)器，但是，與DRAM相比，只要設(shè)備連接到電源，信息就被存儲(chǔ)，一旦設(shè)備斷開(kāi)電源，就會(huì)失去信息。
這個(gè)設(shè)備比DRAM要復(fù)雜得多，它一般由6個(gè)晶體管組成，因此被稱(chēng)為6T存儲(chǔ)器(如圖1)。
2023-03-21 14:27:0111789 
科技迭代，封測(cè)行業(yè)景氣來(lái)臨。由于存儲(chǔ)器價(jià)格企穩(wěn)和智能手機(jī)出貨回升，封測(cè)行業(yè)整體于 2019年三季度呈現(xiàn)逐步回暖態(tài)勢(shì)，國(guó)內(nèi)主流封測(cè)廠盈利能力已進(jìn)入上升通道。展望 2020年，在 5G、AI、數(shù)據(jù)中心等
2023-04-06 09:26:580 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:035687 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:023356 近日，惠州佰維總經(jīng)理劉昆奇受邀在SiP China 2023大會(huì)上發(fā)表了主題為《淺析SiP里的存儲(chǔ)封裝》的演講，分享佰維存儲(chǔ)在先進(jìn)封測(cè)領(lǐng)域的技術(shù)布局以及典型應(yīng)用案例，與行業(yè)大咖共話先進(jìn)封測(cè)發(fā)展趨勢(shì)
2023-08-30 17:43:09902 
近日， 惠州佰維總經(jīng)理劉昆奇受邀在 SiP China 2023大會(huì)上 發(fā)表了主題為《淺析SiP里的存儲(chǔ)封裝》的演講，分享佰維存儲(chǔ)在先進(jìn)封測(cè)領(lǐng)域的技術(shù)布局以及典型應(yīng)用案例，與行業(yè)大咖共話先進(jìn)封測(cè)
2023-08-31 12:15:011356 
本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的相關(guān)知識(shí)，包括其工作原理、分類(lèi)以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:347658 后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱(chēng)作易失存儲(chǔ)器（Volatile Memory），存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱(chēng)作非易失存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類(lèi) 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:012865 
隨著上游原廠醞釀提價(jià)，多家存儲(chǔ)器模塊業(yè)者已經(jīng)開(kāi)始備貨，以應(yīng)對(duì)潛在的市場(chǎng)變化。預(yù)計(jì)供應(yīng)給OEM廠商的合約價(jià)將在二季度起全面反映DRAM的漲價(jià)趨勢(shì)。
2024-01-03 15:34:131649 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來(lái)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:031225 非易失性存儲(chǔ)器，主要用于存儲(chǔ)固件、操作系統(tǒng)和其他重要數(shù)據(jù)。 存儲(chǔ)方式： RAM存儲(chǔ)器使用動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（DRAM）或靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。 ROM存儲(chǔ)器使用各種類(lèi)型的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，如PROM
2024-08-06 09:17:482547 存儲(chǔ)器的刷新是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）維護(hù)所存信息的一種重要機(jī)制。由于DRAM利用存儲(chǔ)元中的柵極電容來(lái)存儲(chǔ)電荷，而電容本身存在漏電流，導(dǎo)致電荷會(huì)逐漸流失，從而使得存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)變得不可靠。為了保持
2024-09-10 14:34:223481 DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的內(nèi)存組件。其基本單元的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔而高效，主要由一個(gè)晶體管（MOSFET）和一個(gè)電容組成，這一組合使得DRAM能夠在保持成本效益的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)高速的數(shù)據(jù)存取。
2024-09-10 14:42:493256 近期，DRAM和NAND存儲(chǔ)行業(yè)再次遭遇消費(fèi)者需求下滑的沖擊，導(dǎo)致存儲(chǔ)合約價(jià)格在短短一個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)大幅下跌。據(jù)分析公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，DRAM價(jià)格尤其受到重創(chuàng)，近一個(gè)月內(nèi)下跌近20%。
2024-10-09 17:08:431189 DRAM（Dynamic Random Access Memory）即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的隨機(jī)存取存儲(chǔ)。它由許多存儲(chǔ)單元組成，每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)一位或多位數(shù)據(jù)。DRAM的主要特點(diǎn)是集成度高、成本低，但讀寫(xiě)速度相對(duì)較慢，并且需要定期刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)。
2024-10-12 17:06:114113
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