Kioxia（原東芝存儲(chǔ)），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲(chǔ)就在國(guó)際會(huì)議VLSI研討會(huì)上首次分享了
2019-12-13 10:46:07
12470 臺(tái)灣專用存儲(chǔ)器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產(chǎn)3D NAND存儲(chǔ)器。該公司將成為臺(tái)灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計(jì)的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長(zhǎng)吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:295966 IM Flash 技術(shù)有限責(zé)任公司是英特爾與美光科技的合資公司，日前，該公司表示目前正在策劃如何及何時(shí)將3D技術(shù)用于NAND閃存ICs制造中。
2013-05-29 16:44:451729 5）第二期建廠計(jì)劃，以因應(yīng)未來(lái)NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)需求，并為日后投產(chǎn)3D NAND Flash預(yù)先做好準(zhǔn)備。
2013-07-08 09:46:131061 SanDisk于日前表示，正與東芝（Toshiba）合力擴(kuò)建位于日本三重縣四日市的五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠（Fab 5）第二期工程，并共同展開3D NAND記憶體技術(shù)的研發(fā)，為2D NAND Flash記憶體制程將于10奈米（nm）節(jié)點(diǎn)面臨微縮瓶頸，預(yù)做準(zhǔn)備。
2013-07-16 09:17:151351 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個(gè)禮拜的時(shí)間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤。
2013-08-15 09:11:161488 包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產(chǎn)3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產(chǎn)線進(jìn)行轉(zhuǎn)換，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15980 三星作為全球首家量產(chǎn)3D NAND Flash的廠商的風(fēng)光并沒(méi)有太久，日前東芝也研究出64層3D Flash，這樣的追趕速度讓人驚嘆。有消息顯示，英特可能暫緩擴(kuò)建大連廠，而是通過(guò)直接收購(gòu)美光科技擴(kuò)大芯片領(lǐng)域?qū)嵙?。索尼PlayStation VR國(guó)行版來(lái)襲，紅米Pro三個(gè)版本還有什么發(fā)布會(huì)沒(méi)說(shuō)的細(xì)節(jié)？
2016-07-28 09:44:261235 目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營(yíng)，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0644661 
目前，我們還無(wú)法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優(yōu)勢(shì)，但三星與美光顯然都決定把賭注押在3D NAND產(chǎn)品上。如今的問(wèn)題在于，海力士（SK Hynix）與東芝（Toshiba）兩大市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手能否也拿出同樣具備競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品？
2016-09-12 13:40:252173 傳三星電子平澤廠（Pyeongtaek）將提前投產(chǎn)，SK海力士（SK Hynix）、東芝（Toshiba）、美光（Micron）產(chǎn)能也將于明年下半全面開出，屆時(shí)3D NAND可能會(huì)從供不應(yīng)求、呈現(xiàn)供給過(guò)剩的狀況。
2016-10-10 14:08:472158 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 3D NAND Flash。中國(guó)已吹響進(jìn)軍3D NAND Flash沖鋒號(hào)，若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，中國(guó)3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:129182 
據(jù)外媒報(bào)道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對(duì)于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達(dá)到960GB。
2017-02-23 08:33:401752 據(jù)海外媒體報(bào)道，去年下半年以來(lái)NAND Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場(chǎng)出現(xiàn)貨源不足問(wèn)題，價(jià)格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371739 
借由此案進(jìn)入3D NAND代工，更說(shuō)服東芝在臺(tái)灣設(shè)廠生產(chǎn)，此舉目的是擊破三星電子長(zhǎng)期來(lái)以存儲(chǔ)器利潤(rùn)補(bǔ)貼邏輯虧損的策略，一報(bào)大客戶高通（Qualcomm）被搶之仇。
2017-03-02 07:51:24844 根據(jù)外資的報(bào)告指出，NAND Flash 的產(chǎn)能問(wèn)題，2017 年三星、美光、東芝/西數(shù)、SK Hynix 都會(huì)在下半年量產(chǎn) 64 層，以及 72 層堆棧的 3D NAND Flash 的情況下，原本預(yù)計(jì)產(chǎn)能會(huì)有大幅度提升。
2017-05-24 10:39:121519 六大NAND Flash顆粒制造商之一的東芝也宣布了自家96層3D NAND產(chǎn)品的新消息：他們正式推出了旗下首款使用96層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品XG6。在性能方面，XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355877 日本東芝記憶體與合作伙伴西部數(shù)據(jù)為全新的半導(dǎo)體設(shè)施Fab 6 (6號(hào)晶圓廠)與記憶體研發(fā)中心舉行開幕儀式；東芝記憶體總裁Yasuo Naruke無(wú)懼芯片價(jià)格下跌疑慮，表示將于9月量產(chǎn)96層3D NAND快閃芯片。
2018-09-20 09:25:425627 盡管2018年下半閃存企業(yè)過(guò)得并不經(jīng)如意。但我們有理由相信，不止三星、東芝/西部數(shù)據(jù)（WD），美光、SK海力士等閃存企業(yè)在技術(shù)上的競(jìng)爭(zhēng)將越向趨于激烈。通過(guò)上述對(duì)三星和東芝/西部數(shù)據(jù)(WD）3D
2019-03-21 01:55:008407 均沾，上游砷化鎵磊晶廠全新、代工廠穩(wěn)懋、宏捷科均有意擴(kuò)大資本支出，全力擴(kuò)產(chǎn)3D感測(cè)元件所需要的磊晶、VCSEL（垂直腔面發(fā)射雷射）。 穩(wěn)懋今年預(yù)計(jì)資本支出約70億元新臺(tái)幣，較去年40億元大增，主要用于采購(gòu)設(shè)備及建置產(chǎn)線，預(yù)計(jì)下半年全數(shù)到位，可滿足客
2018-02-25 22:11:541827 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場(chǎng)爆炸性成長(zhǎng)？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場(chǎng)主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
的存儲(chǔ)成本。在認(rèn)識(shí)到不斷縮小的光刻技術(shù)的擴(kuò)展局限性之后，需要一種新的方法來(lái)增加每個(gè)設(shè)備的密度，同時(shí)降低每 GB 的相對(duì)成本，此時(shí)便出現(xiàn)了3D NAND FLASH。16nm制程以上的閃存如28nm多屬
2020-11-19 09:09:58
不得不佩服小米的營(yíng)銷策略，小米在24日發(fā)布前夕，其總裁林斌以及CEO雷軍相繼發(fā)博文給即將面世的新品造勢(shì)。而在24日發(fā)布完紅米Note 3后，其總裁再博文稱，這是小米今年最后一場(chǎng)發(fā)布會(huì)，因而小米5肯定
2015-11-30 19:04:05
DRAM產(chǎn)能再大，也難以滿足全球龐大的市場(chǎng)需求。因此，應(yīng)該是技術(shù)層面的原因。技術(shù)才是高科技產(chǎn)業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。3D Flash目前技術(shù)在96層，但是技術(shù)路標(biāo)的能見度已至512層－3D Flash做為
2018-10-12 14:46:09
的，但在開幕式中，缶采用了LED光源來(lái)點(diǎn)綴，使用的觸碰感應(yīng)LED發(fā)光體，每個(gè)約有十余顆LED，估計(jì)用上3萬(wàn)多顆LED?！ 〉孛鍸ED屏幕：在場(chǎng)地中央鋪設(shè)南北長(zhǎng)147米，東西寬22米，面積3234平方米
2008-08-15 15:06:26
減少NAND閃存產(chǎn)能投資，以便減少NAND供應(yīng)，緩解市場(chǎng)對(duì)降價(jià)的預(yù)期。 64層和96層堆棧閃存命運(yùn)各不同今年將是96層3D閃存爆發(fā)的元年。在64層堆棧之后，2018年下半年各大廠商也開始量產(chǎn)96層堆棧
2021-07-13 06:38:27
閃存中BiCS技術(shù)的閃存核心面積最低，也意味著成本更低。此外，鎧俠今年推出的UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片，同樣是基于東芝BiCS 3D存儲(chǔ)技術(shù)打造，設(shè)計(jì)容量包括128GB、256GB
2020-03-19 14:04:57
開幕式LED情愫揭秘
廣州亞運(yùn)會(huì)開幕式在海心沙島舉行，從亞組委了獲悉，為體現(xiàn)“鸀色”亞運(yùn)理念，亞運(yùn)會(huì)開幕式將采用LED燈來(lái)裝扮燈影效果，數(shù)量預(yù)計(jì)將達(dá)到10萬(wàn)
2010-12-07 14:49:111255 國(guó)內(nèi)首個(gè)3D試驗(yàn)頻道隨著廣州亞運(yùn)會(huì)開幕式而上線。由于此頻道為試驗(yàn)性質(zhì)，信號(hào)落地范圍非常小，大多數(shù)電視觀眾或無(wú)緣觀看3D立體賽事轉(zhuǎn)播。
據(jù)搜狐IT了解，廣
2010-12-07 14:56:05903 東芝近日公布聚焦能源、社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施、半導(dǎo)體存儲(chǔ)業(yè)務(wù)領(lǐng)域，擴(kuò)大在存儲(chǔ)業(yè)務(wù)上的投資。為擴(kuò)大3D閃存“BiCS FLASH TM”的生產(chǎn)，東芝在毗鄰日本四日市工廠（三重縣四日市市）的區(qū)域建造新廠房以及引進(jìn)生產(chǎn)設(shè)備的投資方案已獲得董事會(huì)批準(zhǔn)。
2016-04-06 13:42:22563 上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 東芝（Toshiba）8日發(fā)布新聞稿宣布，為了增產(chǎn)3D Flash Memory，將在四日市工廠內(nèi)興建新廠房“第6廠房（Fab 6）”。東芝指出，該座新廠房將作為3D Flash專用廠房，將分2期工程興建，其中第1期工程將在2017年2月動(dòng)工、并預(yù)計(jì)于2018年夏天完工。
2016-11-09 19:24:26661 全球包括高階制程、3D NAND Flash及大陸半導(dǎo)體業(yè)者對(duì)于12寸晶圓代工產(chǎn)能需求大增，導(dǎo)致硅晶圓供應(yīng)缺口持續(xù)擴(kuò)大，近期全球三大硅晶圓廠信越（Shin-Etsu）、Sumco、德國(guó)
2016-12-21 09:30:561358 017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。
2016-12-23 09:38:18869 需求回溫、產(chǎn)能擴(kuò)增有限，供需失衡下，DRAM價(jià)格在2016年下半逆勢(shì)翻轉(zhuǎn)，而原本看俏的NAND Flash在廠商間轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND良率還未提升下，同樣面臨缺貨。先前調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦科技、IHS都預(yù)估
2016-12-23 16:22:381279 
足夠資金，彌補(bǔ)美國(guó)核能事業(yè)的資產(chǎn)虧損。近來(lái)也傳出西部數(shù)據(jù)(WD)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)、富士康(Foxconn)及Bain Capital有意競(jìng)購(gòu)，對(duì)此外界分析認(rèn)為，西部數(shù)據(jù)或可借由收購(gòu)東芝半導(dǎo)體事業(yè)部分股權(quán)，擴(kuò)大在全球NAND Flash市場(chǎng)的影響力與競(jìng)爭(zhēng)力，并
2017-02-15 01:06:41284 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會(huì)支持QLC，這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 近日，東芝首款64層3D NAND SSDTR200 SATA固態(tài)硬盤系列正式上市。TR200系列可提供給個(gè)人電腦和筆記本電腦更強(qiáng)的性能表現(xiàn)，并且滿足用戶對(duì)大容量SSD的使用要求。其具備高效能
2017-10-31 16:01:191180 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長(zhǎng)的一年，主要是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918 東芝、西數(shù)之間的糾紛有望得到緩和，據(jù)悉，二者有意進(jìn)行庭外和解，西數(shù)不再干涉東芝把芯片業(yè)務(wù)出售給貝恩資本。雙方爭(zhēng)取在下周達(dá)成最終協(xié)議。
2017-12-08 14:36:12924 根據(jù)2017年的存儲(chǔ)器行業(yè)需求顯露出的價(jià)格上漲，供不應(yīng)求局面，韓系存儲(chǔ)器廠紛紛計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)。但由于存儲(chǔ)器大廠3D NAND良率升，NAND Flash將在2019年后產(chǎn)能過(guò)剩。
2018-01-06 10:32:382583 Flash合資廠的持股，英特爾更開始擴(kuò)張大陸市場(chǎng)，將大連廠改裝成3D NAND工廠，埋下英特爾與美光在3D NAND布局各奔前程的伏筆。
2018-01-10 19:43:16679 3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來(lái)，最具突破性的一項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì)，3D Xpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者： （1）比NAND Flash快1000倍
2018-04-19 14:09:0052236 
連續(xù)多季走強(qiáng)的NAND Flash報(bào)價(jià)，在2018年第一季可望暫時(shí)回跌，然由于3D NAND Flash制程工序繁復(fù)，會(huì)使晶圓廠的實(shí)際產(chǎn)能下滑，故NAND Flash顆粒的供應(yīng)量在2018年仍難看到明顯成長(zhǎng)，下半年NAND Flash報(bào)價(jià)可能會(huì)再度因供需緊張而走強(qiáng)。
2018-07-09 09:07:00787 NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器)隨著2D轉(zhuǎn)3D制程良率改善，量產(chǎn)能力大為提升，盡管價(jià)格已經(jīng)松動(dòng)，但包括存儲(chǔ)器、控制IC、封測(cè)等供應(yīng)體系業(yè)者紛紛看好有助于量能提升。存儲(chǔ)器控制IC大廠群聯(lián)電子
2018-07-09 09:52:00800 在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:001319 無(wú)論是3D堆疊還是QLC的推出，這些情況均說(shuō)明了隨著3D NAND技術(shù)走向?qū)嵱没?，?guó)際廠商正在加快推進(jìn)技術(shù)進(jìn)步。3D NAND相對(duì)2D NAND來(lái)說(shuō)，是一次閃存技術(shù)上的變革。而且不同于基于微縮技術(shù)
2018-06-20 17:17:495087 半導(dǎo)體行業(yè)巨頭美光在新加坡的新工廠破土動(dòng)工，該工廠將致力于制造3D NAND Flash。
2018-08-01 17:40:372938 近日，英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤，加強(qiáng)擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)。
2018-08-01 17:44:541237 NAND Flash控制IC大廠群聯(lián)日前宣布，PCI-e規(guī)格的固態(tài)硬碟（SSD）晶片已經(jīng)通過(guò)3D NAND Flash BiCS3測(cè)試，下半年將成為PC／NB OEM的SSD市場(chǎng)主流規(guī)格，將可望擴(kuò)大SSD市占率。
2018-08-03 16:08:212411 隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競(jìng)爭(zhēng)激烈，其中，三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報(bào)道稱，東芝存儲(chǔ)器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴(kuò)大出貨，代表著NAND Flash市場(chǎng)霸主之爭(zhēng)正式拉開序幕。
2018-08-05 11:50:161646 NAND Flash價(jià)格在經(jīng)歷了2016年和2017年暴漲之后，2018上半年市場(chǎng)行情回歸理性，在原廠擴(kuò)大64層3D NAND產(chǎn)出下，NAND Flash基本已回到2016年的價(jià)格水平。隨著各家
2018-08-11 09:35:003365 
，同時(shí)恐激化各家原廠展開96層
3D NAND技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)，然而市場(chǎng)更多的是關(guān)心
NAND Flash價(jià)格走向?qū)⑷绾巍?/div>
2018-08-22 16:25:462599 在價(jià)格和競(jìng)爭(zhēng)壓力期間，3D NAND供應(yīng)商正準(zhǔn)備迎接新的戰(zhàn)斗，相互競(jìng)爭(zhēng)下一代技術(shù)。
2018-08-27 16:27:189528 3D NAND Flash 作為新一代的存儲(chǔ)產(chǎn)品，受到了業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注！但目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營(yíng)，如今美光（Micron）也
2018-10-08 15:52:39780 傳說(shuō)中的64層3D NAND的故事，延續(xù)了1年時(shí)間。這次巧合的機(jī)會(huì)體驗(yàn)到東芝TR200 SSD 240G。而且是東芝自主研發(fā)的3D閃存技術(shù)。是東芝首款64層 3D NAND SSD。
2018-10-09 16:26:0011015 工控儲(chǔ)存領(lǐng)導(dǎo)廠商宜鼎國(guó)際，旗下工業(yè)級(jí)3D NAND SSD將正式于10月份開啟全球量產(chǎn)，穩(wěn)步提高產(chǎn)能。宜鼎國(guó)際董事長(zhǎng)簡(jiǎn)川勝表示，為提供業(yè)界高等級(jí)工控品質(zhì)，宜鼎3D NAND TLC花費(fèi)超過(guò)兩年時(shí)間進(jìn)行前期導(dǎo)入測(cè)試以及工規(guī)等級(jí)的壓力震動(dòng)測(cè)試，目前已成功導(dǎo)入客戶端，并持續(xù)以高端規(guī)格支持工控產(chǎn)業(yè)升級(jí)。
2018-10-31 15:53:551239 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新研究顯示，隨著下半年各家原廠最新64層堆棧的3D-NAND Flash產(chǎn)能開出，在三星及美光等領(lǐng)頭羊帶領(lǐng)下，預(yù)估第三季3D-NAND Flash
2018-11-16 08:45:591450 NAND Flash產(chǎn)業(yè)在傳統(tǒng)的Floating Gate架構(gòu)面臨瓶頸后，正式轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash時(shí)代，目前三星電子（Samsung Electronics）、東芝（Toshiba）的3D
2018-12-03 09:04:572304 推出64層/72層3D NAND，預(yù)計(jì)從下半年開始將陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)階段，屆時(shí)3D NAND產(chǎn)能將大幅增加。
2018-12-10 10:00:571562 最新調(diào)查顯示，日本大廠東芝（Toshiba）為提升半導(dǎo)體業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力，已正式宣布將在今年3月31日前完成分拆內(nèi)存業(yè)務(wù)，預(yù)期分拆后的新公司將有更多經(jīng)營(yíng)彈性及更佳的籌資能力，長(zhǎng)期而言對(duì)東芝/威騰（WD）電子陣營(yíng)在NAND Flash產(chǎn)能提升、產(chǎn)品開發(fā)均有所幫助。
2018-12-10 10:11:251385 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打！目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng)，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:471294 在3D NAND Flash大行其道的21世紀(jì)，當(dāng)Intel和美光在2015年首次介紹3D Xpoint的時(shí)候，市場(chǎng)掀起了軒然大波。據(jù)當(dāng)時(shí)的介紹，3D Xpoint會(huì)比NAND Flash快1000倍，且壽命也會(huì)比其長(zhǎng)1000倍。
2019-01-19 09:41:381340 近日，LiteOn推出一款最新MU3系列SSD，采用東芝64層BiCS 3D TLC NAND，7毫米/2.5英寸外形，SATA 6Gbps接口，提供120GB，240GB和480GB三種容量選擇。
2019-02-18 15:33:374328 目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國(guó)內(nèi)主要有紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)專攻NAND閃存，小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，但對(duì)市場(chǎng)影響有限，今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，產(chǎn)能將會(huì)積極擴(kuò)張。
2019-05-16 10:18:143966 東芝存儲(chǔ)器公司于四日市廠區(qū)于6月15日遭遇長(zhǎng)約13分鐘的跳電狀況。研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦TrendForce存儲(chǔ)器儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)評(píng)估，此事件將使得Wafer短期報(bào)價(jià)面臨漲價(jià)壓力，第三季2D NAND Flash產(chǎn)品價(jià)格可能上漲，3D NAND Flash產(chǎn)品價(jià)格跌幅則可能微幅收斂。
2019-07-11 11:07:043295 由于 3D NAND 存儲(chǔ)器市場(chǎng)出現(xiàn)了供過(guò)于求的現(xiàn)象，制造商們不得不減產(chǎn)以穩(wěn)定價(jià)格。
2019-07-30 14:29:393096 近日，據(jù)外媒報(bào)道，東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC
2019-08-07 10:56:321067 根據(jù)韓國(guó)媒體《KoreaBusiness》報(bào)導(dǎo)指出，之前因停電事件而造成東芝日本四日市NAND Flash快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)線生產(chǎn)暫停的狀況，如今東芝已經(jīng)排除，進(jìn)一步加入量產(chǎn)的行列。不過(guò)，也因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">東芝的重新恢復(fù)量產(chǎn)，讓市場(chǎng)人士對(duì)NAND Flash的供過(guò)于求情況再次產(chǎn)生疑慮。
2019-08-09 16:56:203372 超低延時(shí)閃存是當(dāng)前非常熱門的技術(shù)趨勢(shì)，東芝推出的XL-FLASH是超低延時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)的代表，讀延時(shí)可以達(dá)到普通3D TLC NAND的十分之一。Memblaze聯(lián)手東芝對(duì)XL-FLASH的低延時(shí)潛力
2019-08-18 09:03:001084 據(jù)外媒報(bào)道，東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321643 至于原因，東芝認(rèn)為3D XPoint成本太高，在容量/價(jià)格比上難以匹敵3D NAND 技術(shù)，現(xiàn)在市面上96層堆疊的閃存已經(jīng)大量涌現(xiàn)，可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。
2020-01-02 09:27:343123 存儲(chǔ)公司 Kioxia(原東芝存儲(chǔ))近日宣布，將在今年 Q1 送樣 112 層 TLC Flash 芯片，這是第五代 BiCS Flash 3D 存儲(chǔ)芯片。
2020-02-03 15:44:222735 西數(shù)公司今天正式宣布了新一代閃存技術(shù)BiCS5，這是西數(shù)與鎧俠（原來(lái)的東芝存儲(chǔ)）聯(lián)合開發(fā)的，在原有96層堆棧BiCS4基礎(chǔ)上做到了112層堆棧。
2020-02-06 15:13:363554 閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 近日，三星電子宣布了在韓國(guó)平澤廠區(qū)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，除擴(kuò)建采用極紫外光（EUV）的晶圓代工生產(chǎn)線及DRAM產(chǎn)能之外，還將擴(kuò)大3DNAND閃存方面的產(chǎn)能規(guī)模。業(yè)界預(yù)估三星電子僅用于3DNAND閃存方面
2020-06-16 10:07:173959 3D NAND的論文數(shù)量最多，因此，筆者就各家NAND型閃存（以下簡(jiǎn)稱為：“NAND”）廠家的現(xiàn)狀、未來(lái)的技術(shù)藍(lán)圖（Roadmap）展開論述。
2020-07-30 11:14:457564 
在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:011016 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696 NAND 非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限，以及晶體管越來(lái)越小，NAND 的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的 3D
2020-11-20 16:07:133091 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來(lái)越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來(lái)的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰會(huì)
2020-11-20 17:15:444301 ? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來(lái)越小，NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的3D
2020-12-09 10:35:493613 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 最近幾年，由于SSD硬盤的激烈競(jìng)爭(zhēng)，HDD硬盤出貨量是江河日下，希捷、西數(shù)及東芝三大廠商的日子不好過(guò)。沒(méi)想到2020年HDD也遇到春天了，受益于數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)，東芝宣布擴(kuò)產(chǎn)30%，而且加快18TB硬盤出貨。
2020-12-29 15:10:462652 最近幾年，由于SSD硬盤的激烈競(jìng)爭(zhēng)，HDD硬盤出貨量是江河日下，希捷、西數(shù)及東芝三大廠商的日子不好過(guò)。沒(méi)想到2020年HDD也遇到春天了，受益于數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)，東芝宣布擴(kuò)產(chǎn)30%，而且加快18TB硬盤
2020-12-29 15:17:112717 在幾大閃存原廠的主力從96層升級(jí)到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營(yíng)，推出了162層3D閃存。
2021-02-20 10:40:582714 鎧俠（Kioxia）動(dòng)工興建新廠房、增產(chǎn)3D NAND Flash產(chǎn)品，而鎧俠預(yù)估今后NAND Flash需求將以每年30%左右的速度呈現(xiàn)增長(zhǎng)，今后必須擴(kuò)產(chǎn)、以應(yīng)對(duì)需求。
2022-04-08 09:32:437277 垂直堆疊、XY方向縮放、CMOS電路每比特減少這三種方法對(duì)于未來(lái)3D NAND的高密度化具有重要意義。
2022-06-22 11:32:404749 
3D Flash 激光雷達(dá)測(cè)繪和手勢(shì)識(shí)別
2023-01-05 09:43:442223 我們之前見過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:394222 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:293142 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。
2024-03-17 15:31:392376 
近日，小米集團(tuán)創(chuàng)始人雷軍現(xiàn)身小米汽車工廠，表示將與制造團(tuán)隊(duì)深入探討，在確保產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)安全的前提下，如何實(shí)現(xiàn)小米汽車進(jìn)一步提產(chǎn)。 回顧小米汽車產(chǎn)能發(fā)展歷程，去年 6 月工廠啟動(dòng)雙班生產(chǎn)模式，日產(chǎn)能
2025-02-08 11:32:331178 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實(shí)現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計(jì)劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3D NAND存儲(chǔ)器。三星也在此前表示，將在
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