意法半導體宣布，其28納米FD-SOI技術(shù)平臺在測試中取得又一項重大階段性成功:其應用處理器引擎芯片工作頻率達到3GHz，在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高于其它現(xiàn)有技術(shù)。
2013-03-13 09:40:24
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意法半導體獨有的FD-SOI技術(shù)配備嵌入式存儲器，有望突破更高性能，以實現(xiàn)更低工作功耗和更低待機功耗。
2013-11-09 08:54:091663 隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯片的可靠性。##嵌入式存儲器設計方法##物理驗證
2014-09-02 18:01:152131 
在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體廠商應該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術(shù)。
2015-07-07 09:52:224208 半導體晶圓代工公司格羅方德（Globalfoundries）日前開發(fā)出支援4種技術(shù)制程的22nm FD-SOI平臺，以滿足新一代物聯(lián)網(wǎng)（IoT）裝置的超低功耗要求——這主要來自于該公司與意法半導體
2015-10-08 08:29:221285 耗盡型絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)正從原本的“遲到”（too-late）位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）與汽車市場取代鰭式場效電晶體（FinFET）的理想替代方案了。對于許多人來說，業(yè)界主導廠商代表出席一場相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動，象征著為這項技術(shù)背書。
2016-04-18 10:16:033433 
Globalfoundries技術(shù)長Gary Patton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。
2016-05-27 11:17:321545 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當14納米節(jié) 點，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設計成本也低25%左右，并降低了需要重新設計的風險。
2016-09-14 11:39:022462 
晶體管（FinFET）制程技術(shù)外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場，并推出22納米及12納米FDX制程平臺，搶攻物聯(lián)網(wǎng)商機。
2016-11-17 14:23:221271 22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術(shù)。作為業(yè)界最先進的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美國所展示的，格芯22FDX eMRAM具有業(yè)界領(lǐng)先的存儲
2017-09-25 17:21:098685 5G時代將對半導體的移動性與對物聯(lián)網(wǎng)時代的適應性有著越來越高的要求。此時，FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢日漸凸顯，人們對SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5713150 格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:1910317 絕緣體上硅(FD-SOI)技術(shù)開發(fā)10納米低功耗工藝技術(shù)模塊，該技術(shù)未來將進一步向7納米拓展，這也是浸沒式DUV光刻技術(shù)的極限。該機構(gòu)透露，FD-SOI新一代工藝將與18、22和28nm的現(xiàn)有設計兼容，并且還將包括嵌入式非易失性存儲器(eNVM)工藝。該項目由法國政府獨立于《歐盟芯片法案》提供資金。
2023-07-20 10:54:19666 第十屆上海 FD-SOI 論壇 2025 年 9 月 25 日在上海浦東香格里拉大酒店舉辦。本次論壇由芯原股份、新傲科技和新傲芯翼主辦， SEMI 中國和 SOI 國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟協(xié)辦。 論壇匯聚了全球
2025-09-25 14:11:367748 
第十屆上海 FD-SOI 論壇 ? 2025 年 9 月 15 日 下午的專題二環(huán)節(jié) ， 繼續(xù) 聚焦 FD-SOI 的設計實現(xiàn)， 來自多家全球半導體領(lǐng)導公司的 專家 、 國內(nèi)大學 學者和企業(yè)代表
2025-09-25 17:41:258710 
FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術(shù)是一種新的工藝技術(shù)，有望成為其30納米以下的技術(shù)節(jié)點中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術(shù)制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯片的可靠性。隨著對嵌入式存儲器需求的持續(xù)增長，其復雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專用存儲器設計方法。
2019-11-01 07:01:17
Cache 或者片上存儲器?！ τ?b class="flag-6" style="color: red">嵌入式設備上的數(shù)據(jù)密集的應用，數(shù)據(jù)Cache 與片上存儲器相比存在以下缺陷：(1) 片上存儲器是固定的單周期訪問，可在設計時而不是運行時研究數(shù)據(jù)訪問模式；而Cache還要
2019-07-02 07:44:45
嵌入式最小硬件系統(tǒng)是由哪些部分組成的？嵌入式系統(tǒng)使用的存儲器是如何進行劃分的？可分為哪幾類？
2021-10-22 07:18:56
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:47 編輯
嵌入式芯片的存儲器映射
2012-08-20 14:14:09
嵌入式軟件開發(fā)的存儲器有哪些呢？分別有什么優(yōu)缺點？嵌入式軟件開發(fā)的處理器是什么？有何功能？
2021-12-24 06:15:25
EVERSPIN非易失性存儲器嵌入式技術(shù)
2020-12-21 07:04:49
早有計劃。 2017年，三星與NXP達成代工合同，從這一年起，NXP的IoT SoC i.MX系列將通過三星28nm FD-SOI工藝批量生產(chǎn)，并計劃2018年將三星的eMRAM嵌入式存儲器技術(shù)將用于下一代
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應用？
2021-06-26 07:14:03
基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設計中使用ASIC/SoC實現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因為這種存儲器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。那么究竟怎么樣，才能實現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計呢？
2019-08-02 06:49:22
新興存儲器MRAM與ReRAM嵌入式市場
2020-12-17 06:13:02
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
怎么設計一種面向嵌入式存儲器測試和修復的IIP？如何解決設計和制造過程各個階段的良品率問題？嵌入式存儲器測試和修復技術(shù)的未來趨勢是什么？STAR存儲器系統(tǒng)的功能是什么？
2021-04-15 06:05:51
基于PLD和嵌入式存儲器實現(xiàn)W-CDMA調(diào)制解調(diào)器的設計
2020-12-28 06:04:37
嵌入式系統(tǒng)中基于FAT 表的存儲器管理
2009-05-14 14:11:46
33 本文設計了一種基于0.13 微米CMOS 工藝的FPGA 芯片中的嵌入式存儲器模塊。該容量為18Kb 的同步雙端口存儲模塊，可以配置成為只讀存儲器或靜態(tài)隨機存儲器，每個端口有6 種數(shù)據(jù)寬
2009-12-19 16:19:5024 嵌入式存儲器內(nèi)建自測試的一種新型應用孫華義 鄭學仁 閭曉晨王頌輝吳焯焰 華南理工大學微電子研究所廣州 510640摘要：當今，嵌入式存儲器在SoC 芯片面積中所占的比例越來
2009-12-20 09:26:1138 文章中簡要介紹了嵌入式存儲器技術(shù)發(fā)展歷程，詳細地介紹了基于標準工藝上嵌入式存儲器的技術(shù)關(guān)鍵詞：IP SOC 存儲器 eDRAM OTP MTP 嵌入式閃存 1T-SRAM2T-SRAMAbstract: Paper reviews h
2009-12-21 10:38:1732 使用新SRAM工藝實現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設計中使用ASIC/SoC實現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因
2009-02-01 09:11:511746 
滿足StrataFlash嵌入式存儲器要求的LDO應用電路
德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它
2010-02-04 09:35:34838 
德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲器(J30)轉(zhuǎn)向它的第四代130
2010-07-13 10:03:26825 
22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421852 嵌入式存儲器正逐漸成為SoC的主體結(jié)構(gòu)，對嵌入式存儲器進行內(nèi)建自測試（BIST, Build-in Self-Test）和內(nèi)建自修復（BISR, Build-in Self-Repair）是降低制造成本，提高SoC成品率和可靠性的必要環(huán)
2011-05-28 16:39:0153 很多嵌入式芯片都集成了多種存儲器（RAM、ROM、Flash、），這些存儲器的介質(zhì)、工藝、容量、價格、讀寫速度和讀寫方式都各不相同，嵌入式系統(tǒng)設計需根據(jù)應用需求巧妙地規(guī)劃和利用
2011-11-24 11:43:45101 《集成電路應用》雜志日前采訪了國內(nèi)領(lǐng)先的嵌入式存儲器方案提供商深圳江波龍電子有限公司嵌入式存儲產(chǎn)品總監(jiān)王景陽先生，請他就平板電腦如果選用嵌入式存儲器進行了介紹。
2012-04-20 13:35:292316 意法半導體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專院校、研究實驗室和設計公司將可透過CMP的硅中介服務採用意法半導體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501589 日前，意法半導體（ST）宣布位于法國Crolles的12寸（300mm）晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術(shù)，這證明了意法半導體以28奈米技術(shù)節(jié)點提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術(shù)的能力。
2012-12-14 08:45:271206 在嵌入式系統(tǒng)中，存儲資源是非常寶貴的。一些芯片，尤其是超大規(guī)模集成電路和低端微處理器可能僅有很少的板載內(nèi)存。RAM直接建于芯片內(nèi)部，因此無法擴展。嵌入式快閃存儲器是從EPROM和EEPROM發(fā)展而來
2017-10-16 17:20:500 聯(lián)華電子宣布，推出的40nm納米SST嵌入式快閃記憶，在以往55納米單元尺寸減少20%以上，整體縮小了20～30%。東芝電子元件&存儲產(chǎn)品公司賑災評估這個微處理器芯片。
2018-01-04 10:34:362880 應用的新一代處理器解決方案。 格羅方德指出，意法半導體在業(yè)界率先部署 28 納米 FD-SOI 技術(shù)平臺后，決定擴大投入及發(fā)展藍圖，采用格羅方德生產(chǎn)就緒的 22FDX 制程及生態(tài)系統(tǒng)，提供第 2 代 FD-SOI 解決方案，打造未來智能系統(tǒng)。
2018-01-10 20:44:021155 GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效，近日傳來消息，又迎來意法半導體（ST）的大單進補，在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031813 在工藝節(jié)點進展方面，三星電子晶圓代工業(yè)務執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung表示，三星晶圓代工業(yè)務發(fā)展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個方向，FD-SOI平臺路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:002144 物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體制程技術(shù)，除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程，以及預計將全面導入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點，各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002872 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項設計訂單，其中有超過十幾項設計將會在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競爭對手三星則預計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:135272 生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro（其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)），三星代工廠（28納米工藝投產(chǎn)中，18納米工藝計劃投產(chǎn)），以及格芯代工廠（22納米工藝投產(chǎn)中，12納米計劃投產(chǎn)）。
2018-08-02 11:35:245500 晶圓代工大廠格芯在28日宣布，無限期停止7納米制程的投資與研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12納米FinFET制程，及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002751 嵌入式存儲器是邏輯工藝中不可或缺的一環(huán)，過去卻往往讓人忽略。但是邏輯工藝推進日益艱辛，嵌入式存儲器工藝推進的難處全浮上臺面。
2018-09-07 17:34:444738 Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應，滿足當下及未來消費品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應用等領(lǐng)域的需求，確保FD-SOI技術(shù)大量供應。
2019-01-22 09:07:00871 隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設備的設計中越發(fā)受到關(guān)注，Soitec的業(yè)務也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展，從其最新的財務報表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:123407 幾乎所有的新興存儲器出道時都宣稱與CMOS工藝兼容，意思是可以做邏輯工藝的嵌入式存儲器。
2019-01-25 10:06:315190 三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:581340 據(jù)韓國媒體報道，近日，三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-16 10:24:271146 至采用EUV技術(shù)的5/4納米，以及支援嵌入式磁阻隨機存取存儲器（eMRAM）的28納米全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）制程進入量產(chǎn)，并會在今年推進至18納米。
2019-03-18 15:21:003243 據(jù)報道，近日，三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-25 14:42:513762 當MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0013 為求低功耗、高能效及高性價比之元件，市場逐漸開發(fā)出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結(jié)構(gòu)；而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心，透過傳統(tǒng)Si芯片制程方式，進而以水平式晶體管架構(gòu)，取代線寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:205089 
本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是嵌入式硬件系統(tǒng)教程之嵌入式的存儲技術(shù)詳細資料說明包括了：概述，存儲器的性能指標，存儲器的分類
2019-07-19 17:08:0014 事實勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢相比，本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說明其優(yōu)勢，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:454242 長期跟蹤研究半導體工藝和技術(shù)趨勢的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講，并對FD-SOI未來走勢做出預測。
2019-08-06 16:25:004363 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:445032 三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591577 獲取嵌入式存儲器設計的另一種方法是利用存儲器編譯器，它能夠快捷和廉價地設計存儲器物理模塊。
2019-10-18 11:52:161386 
格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22納米 FD－SOI （22FDX）平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術(shù)。作為業(yè)界最先進的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:161136 瑞薩電子與臺積電共同宣布，雙方合作開發(fā)28納米嵌入式閃存(eFlash)制程技術(shù)，以生產(chǎn)支持新一代環(huán)保汽車與自動駕駛汽車的微控制器(MCU)。
2019-11-29 11:13:162684 據(jù)外媒報道稱，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開發(fā)，而這項技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282970 據(jù)外媒報道稱，美國半導體晶圓代工廠商GlobalFoundries（格芯）宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開發(fā)，而這項技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲器（eMRAM）。
2020-03-03 15:57:27725 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺，新型存儲器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲器）已投入生產(chǎn)。
2020-03-11 10:54:371159 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點”，Soitec
2020-07-07 16:04:044287 FPGA中嵌入式塊存儲器的設計(嵌入式開發(fā)平臺)-該文檔為FPGA中嵌入式塊存儲器的設計總結(jié)文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………
2021-08-04 10:14:406 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產(chǎn)品，包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:446557 汽車微控制器正在挑戰(zhàn)嵌入式非易失性存儲器（e-NVM）的極限，主要體現(xiàn)在存儲單元面積、訪問時間和耐熱性能三個方面。在許多細分市場（例如：網(wǎng)關(guān)、車身控制器和電池管理單元）上，隨著應用復雜程度提高
2023-08-04 14:24:461278 
機構(gòu)方面表示，新的fd-soi技術(shù)將與18、22、28納米的現(xiàn)有設計進行互換，還將包括嵌入式非揮發(fā)性存儲器（envm）技術(shù)。該項目在法國政府的資助下被分離為《歐盟芯片法案》。
2023-07-20 09:12:341867 （電子發(fā)燒友網(wǎng)原創(chuàng)報道）2023年10月23日 第八屆上海FD-SOI論壇隆重舉行，論壇由芯原股份和新傲科技主辦，SEMI中國和SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟支持。該活動自2013年開始每年舉行一次，上次第七屆論壇
2023-11-01 16:39:043350 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46939 
嵌入式系統(tǒng)需要可靠且快速的引導存儲器來在系統(tǒng)啟動期間加載初始引導代碼和操作系統(tǒng)。
2023-12-05 14:08:351310 本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:365137 
據(jù)悉，FD-SOI 是一種先進的平面半導體技術(shù)，能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù)，新工藝大幅度提高了性能指標：能效提升 50%，數(shù)字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:231482 近日，意法半導體公司宣布，將推出一種基于18納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI)技術(shù)的新進工藝，這一技術(shù)還配備了嵌入式相變存儲器(ePCM)，意在為下一代嵌入式處理設備提供強大支持。該技術(shù)是意法
2024-03-21 11:59:371056 
意法半導體（簡稱ST）發(fā)布了一項基于18納米全耗盡絕緣體上硅（FD-SOI）技術(shù)并整合嵌入式相變存儲器（ePCM）的先進制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進化。
2024-03-25 18:13:111941 意法半導體（ST）近日宣布，公司成功研發(fā)出基于18納米全耗盡絕緣體上硅（FD-SOI）技術(shù)，并整合了嵌入式相變存儲器（ePCM）的先進制造工藝。這項新工藝技術(shù)是意法半導體與三星晶圓代工廠共同研發(fā)的成果，旨在推動下一代嵌入式處理器的升級進化。
2024-03-28 10:22:191146 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）2024年10月23日，第九屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店召開，芯原股份創(chuàng)始人、董事長兼總裁戴偉民博士做開幕致辭，并分享了過往和當前FD-SOI發(fā)展的一些情況
2024-10-23 10:02:421288 
Handel Jones。 ? 2023年第八屆上海FD-SOI論壇，Handel Jones就曾受邀出席，當時他分享的主題是《為什么FD-SOI對生成式人工智能時代的邊緣設備非常重要》，主要談到
2024-10-23 10:22:161108 
相變存儲器（ePCM）。 ? 在FD-SOI領(lǐng)域，三星已經(jīng)深耕多年，其和意法半導體之間的合作也已經(jīng)持續(xù)多年。早在2014年，意法半導體就曾對外宣布，選擇三星28nm FD-SOI工藝來量產(chǎn)自己的產(chǎn)品
2024-10-23 11:53:05990 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）對于FD-SOI的應用，很多人第一個想到的應用方向就是AIoT，這是一個非常大的方向，包括智能汽車、智能手機、可穿戴設備等都屬此列，這也證明了FD-SOI擁有廣闊的發(fā)展
2024-10-23 16:04:441107 
)和三星的合作，它已經(jīng)在微控制器領(lǐng)域找到了自己的出路。早在2018年，意法半導體就宣布，它正在為汽車市場提供采用28nm FD-SOI工藝制造的嵌入式PCM (ePCM)微控制器?，F(xiàn)在，意法半導體宣布了
2025-01-21 10:27:131124 
為期兩天的第十屆上海FD-SOI論壇上周圓滿落幕。作為半導體行業(yè)年度技術(shù)盛會，本次論壇匯聚了全球半導體領(lǐng)域的頂尖專家、企業(yè)高管及學術(shù)代表，圍繞 FD-SOI工藝的技術(shù)優(yōu)勢、發(fā)展趨勢、設計實現(xiàn)等核心
2025-10-10 14:46:25584 2025年9月25日，第十屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店圓滿舉辦。本次論壇由芯原股份 (簡稱“芯原”)、新傲科技和新傲芯翼主辦，SEMI中國和SOI國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟協(xié)辦。超過300位來自襯底
2025-10-13 16:45:401030
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