絕緣體上硅)技術(shù)發(fā)展規(guī)劃。半導(dǎo)體器件和 FD-SOI技術(shù)創(chuàng)新對(duì)法國(guó)和歐盟以及全球客戶具有戰(zhàn)略價(jià)值。FD-SOI 能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)人員和客戶系統(tǒng)帶來(lái)巨大的好處，包括更低的功耗以及更容易集成更多功能，例如，通信連
2022-04-21 17:18:48
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本文論述并比較目前移動(dòng)平臺(tái)所采用的主要的多核處理技術(shù)，重點(diǎn)介紹多核處理技術(shù)與意法·愛(ài)立信未來(lái)產(chǎn)品所采用的具有突破性的FD-SOI 硅技術(shù)之間的協(xié)同效應(yīng)
2013-02-03 14:19:002423 
意法半導(dǎo)體宣布，其28納米FD-SOI技術(shù)平臺(tái)在測(cè)試中取得又一項(xiàng)重大階段性成功:其應(yīng)用處理器引擎芯片工作頻率達(dá)到3GHz，在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高于其它現(xiàn)有技術(shù)。
2013-03-13 09:40:241837 
意法半導(dǎo)體獨(dú)有的FD-SOI技術(shù)配備嵌入式存儲(chǔ)器，有望突破更高性能，以實(shí)現(xiàn)更低工作功耗和更低待機(jī)功耗。
2013-11-09 08:54:091663 CES與賭城拉斯維加斯，都是一場(chǎng)巨賭。作為全球消費(fèi)電子業(yè)的風(fēng)向標(biāo)，這里展示的任何一款產(chǎn)品，也許就是下一個(gè)顛覆性的產(chǎn)業(yè)變革。在今年超過(guò)3500家參展企業(yè)中，誰(shuí)會(huì)是下一個(gè)幸運(yùn)兒？
2015-01-06 09:43:37845 在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體廠商應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術(shù)。
2015-07-07 09:52:224208 半導(dǎo)體晶圓代工公司格羅方德（Globalfoundries）日前開(kāi)發(fā)出支援4種技術(shù)制程的22nm FD-SOI平臺(tái)，以滿足新一代物聯(lián)網(wǎng)（IoT）裝置的超低功耗要求——這主要來(lái)自于該公司與意法半導(dǎo)體
2015-10-08 08:29:221285 Globalfoundries技術(shù)長(zhǎng)Gary Patton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開(kāi)發(fā)后續(xù)制程。
2016-05-27 11:17:321545 Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問(wèn)時(shí)表示，該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示，28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展，首先是在
2016-07-28 08:50:141435 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺(tái)積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號(hào)稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當(dāng)14納米節(jié) 點(diǎn)，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設(shè)計(jì)成本也低25%左右，并降低了需要重新設(shè)計(jì)的風(fēng)險(xiǎn)。
2016-09-14 11:39:022462 
這是一篇由彭博情報(bào)分析師Jitendra Waral、Anurag Rana和Sean Handrahan完成的分析文章，寫出了人工智能時(shí)代對(duì)科技的顛覆性影響。
2016-10-09 08:17:46861 近日，一檔科普類節(jié)目《走進(jìn)科學(xué)》引發(fā)媒體和觀眾的普遍關(guān)注。這期欄目沒(méi)講高深的原子方程式，未說(shuō)深?yuàn)W的宇宙奧秘，而是剖析了與百姓息息相關(guān)的電視產(chǎn)品。作為時(shí)下火熱的量子點(diǎn)技術(shù)被搬上銀幕，《走進(jìn)科學(xué)》深入淺出的講解了量子點(diǎn)電視的優(yōu)勢(shì)、特點(diǎn)，并通過(guò)各種案例，述說(shuō)這項(xiàng)全新科技帶給國(guó)家與人們的顛覆性意義。
2016-10-28 11:22:231972 
晶體管（FinFET）制程技術(shù)外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場(chǎng)，并推出22納米及12納米FDX制程平臺(tái)，搶攻物聯(lián)網(wǎng)商機(jī)。
2016-11-17 14:23:221271 5G時(shí)代將對(duì)半導(dǎo)體的移動(dòng)性與對(duì)物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的適應(yīng)性有著越來(lái)越高的要求。此時(shí)，FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢(shì)日漸凸顯，人們對(duì)SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5713150 格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級(jí)副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當(dāng)前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:1910317 和FD-SOI，其中RF-SOI作為一種重要的射頻芯片材料技術(shù)，雖然很少被提及，但在很多設(shè)備上都有重要的應(yīng)用。 ? 射頻前端底層技術(shù) ? 射頻前端的重要性不言而喻，是任何通信系統(tǒng)核心中的核心，RF-SOI正是用于各種射頻器件，目前已經(jīng)是各類射頻應(yīng)用里主流的襯底，如射頻開(kāi)關(guān)、LNA、調(diào)諧器
2024-02-19 00:59:004939 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）全耗盡型絕緣體上硅（FD-SOI）是一種平面工藝技術(shù)，能利用襯底偏壓（body bias）提供廣泛的性能以及功耗選項(xiàng)，兼具低功耗、近二維平面、高性能、低成本的特點(diǎn)
2024-10-28 06:57:004142 
半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂尖專家、企業(yè)高管及學(xué)術(shù)代表，圍繞 FD-SOI （全耗盡絕緣體上硅）工藝的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、發(fā)展趨勢(shì)、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)等核心議題展開(kāi)深入探討，為推動(dòng) FD-SOI 技術(shù)在邊緣 AI 、智能物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用搭建了高效交流平臺(tái)。 電子發(fā)燒友網(wǎng)今年繼續(xù)在現(xiàn)場(chǎng)為大家?guī)?lái)
2025-09-25 14:11:367748 
第十屆上海 FD-SOI 論壇 ? 2025 年 9 月 15 日 下午的專題二環(huán)節(jié) ， 繼續(xù) 聚焦 FD-SOI 的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)， 來(lái)自多家全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)公司的 專家 、 國(guó)內(nèi)大學(xué) 學(xué)者和企業(yè)代表
2025-09-25 17:41:258710 
FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術(shù)是一種新的工藝技術(shù)，有望成為其30納米以下的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術(shù)制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
非常重視?！ ∥磥?lái)技術(shù)與產(chǎn)業(yè) 什么叫顛覆式技術(shù)？它改變了傳統(tǒng)路線，創(chuàng)造和開(kāi)拓了新需求，在一個(gè)時(shí)代形成里程碑的市場(chǎng)和標(biāo)志性的產(chǎn)品。3D打印生物組織、無(wú)人駕駛、可穿戴式VR、智能機(jī)器人服務(wù)助理、無(wú)人
2015-12-22 15:17:52
。在POCT領(lǐng)域，微流控芯片可直接在被檢對(duì)象身邊提供快捷有效的生化指標(biāo)，使現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)、診斷、治療成為一個(gè)連續(xù)的過(guò)程。2017年，中國(guó)國(guó)家科學(xué)技術(shù)部將微流控芯片技術(shù)定義為一種“顛覆性技術(shù)
2023-03-22 14:31:23
。新的先進(jìn)技術(shù)改變了我們的日常生活，也使牙科發(fā)生了革命性變化。技術(shù)有可能自動(dòng)化現(xiàn)有牙科治療決策工作流程，幫助牙醫(yī)做出精確診斷，也讓患者得到適當(dāng)?shù)难揽谱o(hù)理。 以下是一些顛覆性技術(shù)，它們提供了強(qiáng)大診斷工具和更好
2018-12-20 06:18:06
，已成為包括臺(tái)積電在內(nèi)的代工廠攻克MRAM的主要方向。 在此之后，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)，在這期間，與FinFET技術(shù)齊名的FD-SOI，在以Leti、Soitec、意法
2023-03-21 15:03:00
光線追蹤：一種顛覆性技術(shù)
2021-01-22 07:19:50
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢(shì)？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應(yīng)用？
2021-06-26 07:14:03
如何開(kāi)始著手學(xué)習(xí)或者說(shuō)有哪些相關(guān)的書籍
2017-08-01 16:30:30
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通
2010-06-23 08:01:42888 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421852 IBM、ARM同一批半導(dǎo)體生產(chǎn)商正在進(jìn)行一項(xiàng)關(guān)于小功率SOI芯片組的研究計(jì)劃，打算將采用體硅制成的CMOS設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換成全耗盡型FD-SOI裝配。
2011-11-15 08:56:56658 意法半導(dǎo)體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室和設(shè)計(jì)公司將可透過(guò)CMP的硅中介服務(wù)採(cǎi)用意法半導(dǎo)體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501589 日前，意法半導(dǎo)體（ST）宣布位于法國(guó)Crolles的12寸（300mm）晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28奈米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術(shù)的能力。
2012-12-14 08:45:271206 意法半導(dǎo)體（ST）宣布意法半導(dǎo)體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（FD-SOI）技術(shù)榮獲2013年度電子成就獎(jiǎng)（ACE）能源技術(shù)獎(jiǎng)。根據(jù)客戶的節(jié)能與性能權(quán)衡策略，FD-SOI芯片本身可節(jié)約20%至50%的能耗，使終端設(shè)備可更快散熱，并實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的使用壽命。
2013-05-10 09:06:431211 石墨烯能成為下一代顛覆性技術(shù)，替代目前使用的一些材料、開(kāi)創(chuàng)新市場(chǎng)嗎？它是否足夠多功能從而使我們生活的方方面面發(fā)生突破性變革嗎？從石墨烯的性質(zhì)來(lái)看，它的確有這個(gè)潛力。石墨烯是科學(xué)家制備的第一種二維原子晶體。它的許多參數(shù)——如剛度、強(qiáng)度、彈性、電導(dǎo)率、熱導(dǎo)率等等——都是無(wú)與倫比的。
2016-12-12 08:57:513599 
應(yīng)用案例-顛覆性創(chuàng)新金屬3D打印技術(shù)助力Moto2突破極限
2016-12-28 10:41:47
0 據(jù)報(bào)道,意法半導(dǎo)體公司決定選擇格芯22FDX?用來(lái)提升其FD-SOI平臺(tái)和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費(fèi)者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:426591 集微網(wǎng)消息，格羅方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（ST）選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI（22FDX）制程技術(shù)平臺(tái)，以支持用于工業(yè)及消費(fèi)性
2018-01-10 20:44:021155 GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效，近日傳來(lái)消息，又迎來(lái)意法半導(dǎo)體（ST）的大單進(jìn)補(bǔ)，在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031813 2018年物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、區(qū)塊鏈（Blockchain）、虛擬∕擴(kuò)增實(shí)境（VR/AR）、人工智能（AI）∕機(jī)器學(xué)習(xí)這四大顛覆性技術(shù)，將開(kāi)始塑造政府和企業(yè)決策者在各領(lǐng)域的想法。
2018-01-19 08:51:481935 在工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)展方面，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung表示，三星晶圓代工業(yè)務(wù)發(fā)展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個(gè)方向，FD-SOI平臺(tái)路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:002144 ST表示，與傳統(tǒng)的塊狀硅技術(shù)相較，FD-SOI能提供更好的晶體管靜電特性，而埋入氧化層能降低源極(source)與汲極(drain)之間的寄生電容；此外該技術(shù)能有效限制源極與汲極之間的電子流
2018-03-10 01:25:001097 物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說(shuō)2018以及未來(lái)五年最受矚目的半導(dǎo)體制程技術(shù)，除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程，以及預(yù)計(jì)將全面導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點(diǎn)，各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002872 一場(chǎng)網(wǎng)絡(luò)和技術(shù)的顛覆性變革已經(jīng)來(lái)臨，以太網(wǎng)的5G蛻變也在平滑演進(jìn)。本文將重點(diǎn)解析5G Flexhaul承載解決方案的創(chuàng)新技術(shù)-FlexE Tunnel，解決波長(zhǎng)穿通方案業(yè)務(wù)顆粒度過(guò)大、承載效率偏低的問(wèn)題，軟切片技術(shù)時(shí)延偏大、無(wú)法物理隔離的問(wèn)題。
2018-02-26 13:43:3213952 
畢馬威（KPMG）發(fā)布了其《2017改變現(xiàn)狀的顛覆性技術(shù)》報(bào)告第一部分：全球科技創(chuàng)新中心。KPMG在報(bào)告中討論了全球驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新發(fā)展的城市、國(guó)家、人物和公司。這篇報(bào)告來(lái)源于KPMG對(duì)于800多位全球科技領(lǐng)導(dǎo)人，從創(chuàng)業(yè)者到財(cái)富500強(qiáng)公司經(jīng)理的年度調(diào)查數(shù)據(jù)。以下是該份報(bào)告的扼要。
2018-04-01 10:19:224833 
晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項(xiàng)設(shè)計(jì)訂單，其中有超過(guò)十幾項(xiàng)設(shè)計(jì)將會(huì)在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星則預(yù)計(jì)今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:135272 格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上，專為未來(lái)的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2018-05-14 15:54:003070 
加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺(tái)已通過(guò)AEC-Q100(2級(jí))認(rèn)證，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)FD-SOI
2018-05-25 11:20:001951 首先，研究和發(fā)展顛覆性技術(shù)將有助于我國(guó)擺脫原創(chuàng)性創(chuàng)新能力不足，關(guān)鍵核心技術(shù)受制于人的困境，提升科技創(chuàng)新質(zhì)量，實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展。其次，以新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革為契機(jī)，發(fā)展顛覆性技術(shù)將改變我國(guó)現(xiàn)有的產(chǎn)業(yè)規(guī)則，影響我國(guó)現(xiàn)有的產(chǎn)業(yè)格局，進(jìn)而形成新的主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)，為我國(guó)科技創(chuàng)新的跨越式發(fā)展提供新的物質(zhì)基礎(chǔ)。
2018-06-07 16:34:3023323 生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro（其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)），三星代工廠（28納米工藝投產(chǎn)中，18納米工藝計(jì)劃投產(chǎn)），以及格芯代工廠（22納米工藝投產(chǎn)中，12納米計(jì)劃投產(chǎn)）。
2018-08-02 11:35:245500 區(qū)塊鏈有可能成為真正具有顛覆性的技術(shù)，可以改變各種經(jīng)濟(jì)活動(dòng)的處理方式。今天忽視區(qū)塊鏈就像30年前無(wú)視互聯(lián)網(wǎng)一樣。將在2018年和2019年看到很多成功和失敗，但這些事情并不一定反映區(qū)塊鏈和多中心化技術(shù)的整個(gè)未來(lái)。
2018-08-23 08:35:15658 9日下午，TCL董事長(zhǎng)兼CEO李東生在微博表示，TCL投資的一款顛覆性的智能可穿戴設(shè)備計(jì)劃于今年年底在美國(guó)上市。
2018-10-11 14:49:443325 Soitec與三星晶圓代工廠擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng)，滿足當(dāng)下及未來(lái)消費(fèi)品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用等領(lǐng)域的需求，確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00871 北京現(xiàn)代新一代勝達(dá)已經(jīng)在一個(gè)月前2018廣州車展上正式亮相，新車在內(nèi)外設(shè)計(jì)上有了顛覆性的改變，預(yù)計(jì)在明年3月正式上市。
2018-12-15 09:18:111369 隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)備的設(shè)計(jì)中越發(fā)受到關(guān)注，Soitec的業(yè)務(wù)也迎來(lái)了蒸蒸日上的發(fā)展，從其最新的財(cái)務(wù)報(bào)表即可見(jiàn)一斑。
2018-12-23 16:45:123407 物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代似乎將會(huì)給那些通常較慢接受顛覆性技術(shù)的行業(yè)帶來(lái)重大變化。建筑業(yè)就是這樣一個(gè)領(lǐng)域，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)不僅有可能提高結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和建造結(jié)構(gòu)關(guān)鍵階段的效率，而且還可以提高建筑工地的安全性。
2019-02-05 08:36:002781 已全部加載完成
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