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采用CMOS工藝,射頻模塊有何改變?

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為什么要選擇標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝集成肖特基二極管?

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如何采用CMOS工藝去設(shè)計三角波信號發(fā)生器?

三角波信號發(fā)生器的原理是什么?三角波信號發(fā)生器的設(shè)計約束是什么?如何采用CMOS工藝去設(shè)計三角波信號發(fā)生器?
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如何采用CMOS工藝實現(xiàn)超高速復(fù)接器集成電路的設(shè)計?

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如何利用0.18μm CMOS工藝去設(shè)計16:1復(fù)用器?

如何利用0.18μm CMOS工藝去設(shè)計16:1復(fù)用器?以及怎樣去驗證這種復(fù)用器?
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怎么在O.5μm CMOS工藝條件下設(shè)計一種采用電流反饋實現(xiàn)遲滯功能的旁路電壓控制電路?
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怎么利用CMOS工藝實現(xiàn)一個10位的高速DAC?

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2021-04-14 06:22:33

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2021-05-28 06:28:14

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2019-08-12 06:44:47

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標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝集成肖特基二極管設(shè)計與實現(xiàn)

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2017-11-25 11:07:015636

采用RFSOI工藝來設(shè)計射頻開關(guān)

供應(yīng)商,漢天下計劃使用其提供的RFSOI工藝設(shè)計和制造用于射頻前端(FEM)和天線開關(guān)模塊(ASM)中的開關(guān)芯片。相比傳統(tǒng)的GaAs和SOS工藝,RFSOI可以同時提供優(yōu)良的性能和低廉的成本。 RFSOI工藝非常適合用來做射頻開關(guān)的設(shè)計,基于這種先進(jìn)的工藝,我們可以將MI
2017-12-05 13:22:37862

射頻工藝和手機(jī)射頻元件的集成

低頻和高頻RF無線系統(tǒng)的集成具有很大差異。在高頻段,由于CMOS工藝能實現(xiàn)的帶寬高于雙極工藝,因而是RF電路首選工藝,通常RF-CMOS不會與數(shù)字CMOS集成在同一個芯片上。在低頻段最重要的系統(tǒng)
2017-12-07 18:45:02844

CMOS射頻前端牛逼的技術(shù) 挑戰(zhàn)傳統(tǒng)工藝

工藝的復(fù)雜性,射頻前端芯片的良率并不高,而RFaxis公司采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的bulk CMOS技術(shù)制造射頻前端芯片,能夠提升射頻前端芯片生產(chǎn)水平,并降低成本。
2018-04-13 12:16:004858

IC工藝,CMOS工藝,MEMS工藝什么關(guān)系和區(qū)別?

而mems即微機(jī)電系統(tǒng),是一門新興學(xué)科和領(lǐng)域,跟ic很大的關(guān)聯(lián),當(dāng)然mems工藝也和cmos工藝會有很大的相似之處,現(xiàn)在的發(fā)展方向應(yīng)該是把二者集成到一套的工藝上來. 對mems不是特別的了)
2018-07-13 14:40:0021418

采用VHDL語言和EDA工具實現(xiàn)超高頻射頻標(biāo)簽數(shù)字電路

在研究讀寫器和射頻標(biāo)簽通信過程的基礎(chǔ)上,結(jié)合EPC C1G2協(xié)議以及ISO/IEC18000.6協(xié)議, 采用VHDL語言設(shè)計出一種應(yīng)用于超高頻段的射頻標(biāo)簽數(shù)字電路。對電路的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和模塊具體實現(xiàn)方法
2019-08-28 08:03:002713

英特爾邁入10nm工藝時代,十代酷睿移動處理器哪些改變

從現(xiàn)有英特爾已發(fā)布的產(chǎn)品來看,十代酷睿移動版分為兩大陣營,分別是10nm工藝制程陣營、14nm工藝制程陣營。我們先從名稱上看看10nm工藝制程陣營的產(chǎn)品變化。
2019-10-17 15:15:186278

如何實現(xiàn)CMOS工藝集成肖特基二極管的設(shè)計

隨著射頻無線通信事業(yè)的發(fā)展和移動通訊技術(shù)的進(jìn)步,射頻的性能與速度成為人們關(guān)注的重點(diǎn),市場對其的需求也日益增多。目前,CMOS工藝是數(shù)字集成電路設(shè)計的主要工藝選擇,對于模擬與射頻集成電路來說,選擇
2020-09-25 10:44:002

采用開關(guān)電容來增加調(diào)節(jié)范圍實現(xiàn)3.7GHz CMOS VCO的電路設(shè)計

LCVCO的調(diào)節(jié)范圍相對于采用HBT、SiGe和MESFET等工藝的振蕩器來說要小得多。同時VCO的振蕩頻率受工藝、電源電壓以及溫度(PVT)的 影響很大,這需要VCO足夠的調(diào)節(jié)范圍以補(bǔ)償PVT變化所帶來的影響。
2020-08-06 14:56:045279

如何選擇合適的射頻模塊

為了選擇合適的射頻模塊,必要了解無線設(shè)備通信距離,其使用的功率,如何擴(kuò)展通信距離,天線的選擇,應(yīng)使用哪種模塊等。
2020-08-30 10:10:214125

MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕及沉積工藝的關(guān)系

不久前,MEMS 蝕刻和表面涂層方面的領(lǐng)先企業(yè) memsstar 向《電子產(chǎn)品世界》介紹了 MEMS 與傳統(tǒng) CMOS 刻蝕與沉積工藝的關(guān)系,對中國本土 MEMS 制造工廠和實驗室的建議等。 1
2022-12-13 11:42:003169

CMOS射頻集成電路原理和設(shè)計課件

CMOS射頻集成電路原理和設(shè)計課件免費(fèi)下載。
2021-06-08 10:05:0453

SIP封裝和采用SiP工藝的DFN封裝是什么

ZLG致遠(yuǎn)電子新推出的電源隔離芯片采用成熟的SiP工藝與DFN封裝,相比傳統(tǒng)SIP封裝體積縮小75%,性能和生產(chǎn)效能也有所提升。本文為大家分享傳統(tǒng)SIP封裝和采用SiP工藝的DFN封裝有區(qū)別
2021-09-22 15:12:538833

CMOS工藝流程介紹

CMOS工藝流程介紹,帶圖片。 n阱的形成 1. 外延生長
2022-07-01 11:23:2042

MEMS 與CMOS 集成工藝技術(shù)的區(qū)別

Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 結(jié)構(gòu)在制作 CMOS 之前完成,帶有MEMS 微結(jié)構(gòu)部分的硅片可以作為 CMOS 工藝的初始材料。
2022-10-13 14:52:438744

ZigBee 與 Z-Wave:區(qū)別?

ZigBee 與 Z-Wave:區(qū)別?
2023-01-03 09:45:032610

N阱CMOS工藝版圖

CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。
2023-07-06 14:25:015738

開關(guān)電源占空比改變會發(fā)生什么?輸出電壓中的占空比改變影響?

開關(guān)電源占空比改變會發(fā)生什么?輸出電壓中的占空比改變影響? 開關(guān)電源 (Switching power supply) 是一種有源電路,能夠轉(zhuǎn)換輸入電壓為穩(wěn)定的輸出電壓。它是一種高效的電源,能夠
2023-10-18 15:28:275266

什么是BCD工藝?BCD工藝CMOS工藝對比

BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工藝技術(shù)是將雙極型晶體管、CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)和DMOS(雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管技術(shù)組合在單個芯片上的高級制造工藝。
2024-03-18 09:47:4111480

基于CMOS工藝的PA GC0643在無線IoT模塊中的應(yīng)用

基于CMOS工藝的PA GC0643在無線IoT模塊中的應(yīng)用
2024-05-06 09:38:401036

HV-CMOS工藝制程技術(shù)簡介

的成本相對傳統(tǒng)的CMOS 要高很多。對于一些用途單一的LCD 和LED高壓驅(qū)動芯片,它們的要求是驅(qū)動商壓信號,并沒有大功率的要求,所以一種基于傳統(tǒng) CMOS 工藝制程技術(shù)的低成本的HV-CMOS 工藝
2024-07-22 09:40:326767

功率模塊封裝工藝哪些

本文介紹了哪些功率模塊封裝工藝。 功率模塊封裝工藝 典型的功率模塊封裝工藝在市場上主要分為三種形式,每種形式都有其獨(dú)特的特點(diǎn)和適用場景。以下是這三種封裝工藝的詳細(xì)概述及分點(diǎn)說明: 一、智能功率模塊
2024-12-02 10:38:532342

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