大量的新節(jié)點(diǎn)、半節(jié)點(diǎn)，以及在兩者之間的每一個(gè)數(shù)字的產(chǎn)生正在芯片制造商之造成混淆。雖然大多數(shù)人認(rèn)為有選擇是好事，但大家并不清楚哪個(gè)或哪些選擇是上策。

問題在于哪個(gè)IP可用于這些節(jié)點(diǎn)；該IP在功率、性能、面積和對(duì)各種噪聲類型的敏感度方面與其他節(jié)點(diǎn)的差異如何；面對(duì)不同的節(jié)點(diǎn)和nodelet，不同版本的IP對(duì)應(yīng)那些不同制造工藝進(jìn)行測試。因?yàn)榇蠖鄶?shù)新的不全節(jié)的節(jié)點(diǎn)定義尚未明確。因此，對(duì)于哪種類型的晶體管會(huì)被使用，哪種會(huì)影響柵極泄漏和動(dòng)態(tài)功率密度，以及這將如何影響相鄰的IP和其他組件需要多少額外的掩模圖案等等問題，現(xiàn)在下結(jié)論還為時(shí)過早。

ClioSoft公司的營銷副總裁Ranjit Adhikary表示：“現(xiàn)在，不同廠商之間的節(jié)點(diǎn)數(shù)字和名字不盡相同，每一種的PPA（性能、功耗、面積）表現(xiàn)怎么樣？因?yàn)镻PA是決定你設(shè)計(jì)產(chǎn)品使用哪種IP的最基礎(chǔ)因素。但是，因?yàn)檫x擇太多，現(xiàn)在你需要查看哪些代工廠提供它，它支持哪個(gè)節(jié)點(diǎn)。對(duì)于每個(gè)IP，可能會(huì)有不同的內(nèi)存或緩存，并且因代工廠、類別和工藝節(jié)點(diǎn)而異?！?/p>

代工廠的計(jì)劃和它們?nèi)缃竦奈恢谩?（來源：Analysts, Foundry Reports/Semiconductor Engineering）

但是，所有主要的工藝節(jié)點(diǎn)都有多種類型，多個(gè)部分節(jié)點(diǎn)從22nm到3nm不等。這引發(fā)了關(guān)于哪些IP可用的問題，它是否已針對(duì)每個(gè)節(jié)點(diǎn)進(jìn)行了充分的特性描述和測試，以及是否會(huì)支持適用于不同的終端市場所需要的時(shí)間。這對(duì)移動(dòng)器件而言并不是問題，在過去的幾十年中，移動(dòng)器件以相對(duì)較短的產(chǎn)品周期占據(jù)了芯片市場的主導(dǎo)地位，但對(duì)于工業(yè)和汽車應(yīng)用而言則完全是另外一回事，此處的器件需要數(shù)十年的支持。

Synopsys公司DesignWare Analog和MSIP解決方案集團(tuán)的高級(jí)營銷總監(jiān)Navraj Nandra表示：“我們從未見過如此的代工廠節(jié)點(diǎn)激增。我們有從18nm到1nm的節(jié)點(diǎn)名稱。但這需要管理層承諾投資一個(gè)節(jié)點(diǎn)。他們希望看到硬IP是否可用，為此，你需要一個(gè)可用的SoC，因?yàn)槟愦_實(shí)希望看到在新節(jié)點(diǎn)中使用的IP的芯片測試報(bào)告。這同樣需要IP供應(yīng)商的投資。所以代工廠可能會(huì)從時(shí)序角度和ROI角度（如高速內(nèi)存接口或基于HBM的產(chǎn)品）中找到一些稍好的東西。 但你也可能在這里花一大筆錢，卻賺不到錢?！?/p>

這似乎是IP開發(fā)人員的一致意見。他們沒有像過去那樣支持每個(gè)節(jié)點(diǎn)，而是試圖評(píng)估哪些節(jié)點(diǎn)可能產(chǎn)生足夠的產(chǎn)量，以創(chuàng)造合理的投資回報(bào)。努力并不總是轉(zhuǎn)化為利潤，特別是在高級(jí)節(jié)點(diǎn)上，而錯(cuò)誤的選擇可能代價(jià)高昂。

Cadence公司的產(chǎn)品營銷，DDR，HBM，F(xiàn)lash/存儲(chǔ)和MIPI IP部門主管 Marc Greenberg表示：“我們都知道，較新的工藝掩模圖案更多的是一種工藝能力（晶體管密度和功率/速度的折中）指南，而不是工藝的任何實(shí)際物理尺寸。迄今為止的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)一直是指出工藝中的關(guān)鍵差異——例如，SiON（氮氧化硅）vs high-k/metal gate，是否使用EUV——使用字母或符號(hào)后綴對(duì)工藝進(jìn)行標(biāo)記。但是這可能最終會(huì)成為新的nodelet而不是新的后綴。在28nm節(jié)點(diǎn)上，我們看到了28nm工藝的很多變種，它們通?；ゲ患嫒?。這為IP行業(yè)帶來了許多工作，以涵蓋所有這些工藝節(jié)點(diǎn)的變化。我們還看到一些早期的finFET節(jié)點(diǎn)起飛出現(xiàn)了一些困難，這對(duì)于IP行業(yè)來說是更大的工作，而這并不一定會(huì)轉(zhuǎn)化為銷量。”

nodelet是什么？

市場營銷術(shù)語是造成nodelet困惑的主要原因。數(shù)字也模糊到?jīng)]有人確切知道數(shù)字的真正含義。例如臺(tái)積電和三星所謂的5nm實(shí)際上是英特爾、GlobalFoundries和Imec的7nm，對(duì)于10/7nm和5/3nm也是如此。最重要的是，這些節(jié)點(diǎn)有不同的版本，基于低功耗、基于高性能、基于成本，每一種都有其不同的特點(diǎn)。

Synopsys公司的Nandra表示：“一個(gè)既定節(jié)點(diǎn)的預(yù)想的工藝是，如果它在量產(chǎn)，那么你可以優(yōu)化該節(jié)點(diǎn)。例如，你有28nm，你知道它很好用，而缺陷密度是一個(gè)固定的百分比。為了改善這一點(diǎn)，你可以稍微壓縮一下，給它一個(gè)新的名字，比如22nm。但這并不意味著它有22nm的柵極長度。你只是做了一些事情來讓它擁有更好的密度。對(duì)于IP行業(yè)而言，這不應(yīng)該是一個(gè)大的改變。但是，當(dāng)涉及到高速版本時(shí)，由于封裝的提取，仿真，電阻，電容和感應(yīng)關(guān)系，光學(xué)縮小對(duì)晶體管的影響，所有這些都會(huì)造成大量的重新工作。你需要對(duì)IP進(jìn)行完全的重新驗(yàn)證。布局后寄生參數(shù)提取可能是一個(gè)相當(dāng)大的挑戰(zhàn)。或者你需要完成一個(gè)新的測試芯片，以確保你沒有遺漏任何東西。”

在finFET時(shí)代之前，代工廠將采用英特爾的節(jié)點(diǎn)和半節(jié)點(diǎn)的“Tick-Tock”策略。但是，在28nm之后，節(jié)點(diǎn)編號(hào)開始分裂成可能或不可能出現(xiàn)的編號(hào)片段，這在很大程度上是因?yàn)闆]有足夠的IP選擇使它們可行。雖然大IP供應(yīng)商將跟進(jìn)，至少目前來說，目前還不清楚行業(yè)其他廠商能否跟上。

Cadence公司的Greenberg表示：“12/11nm節(jié)點(diǎn)也獲得了代工廠的良好支持。我們從代工廠得到的指導(dǎo)是，它應(yīng)該是一個(gè)從16/14nm到12/11nm的‘簡單’IP端口。然而，在某些情況下，我們已經(jīng)采取了生產(chǎn)和描述這些節(jié)點(diǎn)的新IP測試芯片的步驟。一些代工廠正在支持10nm半節(jié)點(diǎn)和它的8nm nodelet，我們正在支持選擇的IP。在7nm處，我們有一個(gè)強(qiáng)大的節(jié)點(diǎn)，Cadence廣泛支持最新的先進(jìn)技術(shù)IP。現(xiàn)在還無法確定是否會(huì)有一個(gè)廣泛支持的6nm節(jié)點(diǎn)，或者行業(yè)是否會(huì)跳躍到5nm?！?/p>

Nandra指出，這一工作可能比IP開發(fā)者預(yù)期的更昂貴?！叭绻梢缘脑?，客戶會(huì)要求基于芯片的特性報(bào)告。如果有強(qiáng)大的模擬/混合信號(hào)部分，客戶會(huì)更加保守。他們希望看到更多的芯片?！?/p>

越來越多細(xì)節(jié)中的魔鬼

對(duì)于28nm及以下的節(jié)點(diǎn)，節(jié)點(diǎn)的微縮似乎沒有盡頭。目前的估計(jì)是在1.2到1.3nm之間，盡管確切的數(shù)字可能會(huì)根據(jù)環(huán)繞閘極FET vs finFET的類型而變化，例如，引入光刻選項(xiàng)，如定向自組裝和high-NA EUV來擴(kuò)展器件微縮比例，以及在計(jì)量、蝕刻和沉積方面的進(jìn)步。

Fraunhofer公司工程自適應(yīng)系統(tǒng)部門設(shè)計(jì)方法負(fù)責(zé)人Roland Jancke表示：“7nm技術(shù)正在開發(fā)中，5nm和4nm已經(jīng)公布。為了提高這種技術(shù)的性能，集成器件是極度優(yōu)化的。因此，在技術(shù)節(jié)點(diǎn)中出現(xiàn)了大量的獨(dú)立器件類型，例如I/O器件、核心器件、上拉和下拉器件、以及器件的幾個(gè)閾值電壓版本。這種趨勢極大地增加了技術(shù)特性、資格和模型開發(fā)的工作量，這需要在每次工藝變更后重復(fù)進(jìn)行?！?/p>

此外，這些器件對(duì)諸如溫度和噪音等物理因素越來越敏感。閾值電壓在不同溫度下響應(yīng)不同，并且靈敏度隨著每個(gè)節(jié)點(diǎn)縮小而增加。其結(jié)果是需要比過去更詳細(xì)的描述。

Rambus公司的首席科學(xué)家Craig Hampel表示：“我們?cè)诟遃t段上做了調(diào)整，起初沒能解決這個(gè)問題。所以，現(xiàn)在如果我們有高Vt，我們會(huì)提高特性描述的級(jí)別。在過去的幾年里，隨著節(jié)點(diǎn)遷移到16nm，我們的特性描述幾乎增加了四倍?！?/p>

在此之后，每個(gè)新節(jié)點(diǎn)的問題也會(huì)越來越嚴(yán)重。但是，增加的特性描述不再只是較低節(jié)點(diǎn)的問題。舊節(jié)點(diǎn)工藝也有許多變體，而且還有更多涉及安全性和可靠性的使用案例，即使在較舊節(jié)點(diǎn)上也需要更多特性描述。

Fraunhofer公司的Jancke表示：“對(duì)于低至110nm以內(nèi)的混合信號(hào)技術(shù)節(jié)點(diǎn)，在給定節(jié)點(diǎn)中存在著巨大的多樣性。對(duì)于超低功耗、高功率、高電壓、RF和光學(xué)應(yīng)用、MEMS器件等等，通常有單獨(dú)的技術(shù)版本。另一方面，設(shè)計(jì)師傾向于將SoC的幾個(gè)部分集成到一個(gè)硅片裸片中，這導(dǎo)致了功率集成電路的BCD工藝等組合技術(shù)的興趣和發(fā)展?！?/p>

這也使得評(píng)估哪個(gè)IP最有效變得更困難，因?yàn)橐粋€(gè)IP需要與其他IP協(xié)同工作。 所有這些都會(huì)影響上市時(shí)間，整體成本以及功率/性能。甚至更糟糕的是，如果可用選項(xiàng)較少，則可能會(huì)限制器件的功能。

ClioSoft公司的Adhikary表示：“有很多問題需要用IP來解答。如果你想要更高的性能，從9nm節(jié)點(diǎn)獲取IP并將其移動(dòng)到5nm，那么這樣做你能獲得多少面積？為一個(gè)新節(jié)點(diǎn)開發(fā)IP可能需要三到四個(gè)月的時(shí)間。不過，你真的能在面積和性能上獲得好處嗎？如果你每年都要做多次流片，你使用的是什么版本的IP？如果其他人使用該IP，他們是否使用相同的PDK庫？如果你正在將IP與其他IP集成，你確實(shí)需要確保你擁有相同版本的PDK。我們現(xiàn)在更關(guān)注PDK的版本和什么版本的庫正在使用。你需要了解的細(xì)節(jié)越來越多?！?/p>

從IP開發(fā)人員的角度來看，這也是有問題的。Synopsys公司的Nandra表示：“這種工作的差異顯然會(huì)出現(xiàn)在更新的技術(shù)版本上。開發(fā)7nm或10nm IP比14nm或28nm需要更長的時(shí)間，而且這項(xiàng)工作通常是原來工作量的兩到四倍?！?/p>

結(jié)論

所有這一切都因新節(jié)點(diǎn)、nodelet和節(jié)點(diǎn)命名約定而變得更加復(fù)雜。代工廠已經(jīng)加大了提供更多數(shù)據(jù)的力度，而且IP供應(yīng)商的特性描述要比過去更多，因?yàn)槊總€(gè)新節(jié)點(diǎn)和nodelet的容限變得更加緊密。

Greenberg表示：“每個(gè)人都從28nm時(shí)代開始學(xué)習(xí)，雖然在節(jié)點(diǎn)的生命周期中總會(huì)有工藝方面的進(jìn)步，但代工廠已經(jīng)更好地為IP提供商提供了早期的指導(dǎo)，并指導(dǎo)了基本過程及其變體之間的差異。在某些情況下，這允許我們針對(duì)來自同一IP開發(fā)的節(jié)點(diǎn)及其nodelet或多個(gè)后綴工藝的混合信號(hào)IP進(jìn)行開發(fā)。當(dāng)代工廠能夠提前將這些計(jì)劃傳達(dá)給我們時(shí)，它有助于我們提供更廣泛的IP，并最終有助于降低成本?！?/p>

但至少在可預(yù)見的將來，管理節(jié)點(diǎn)名稱、數(shù)字和IP版本將變得更加困難。有太多的選擇和潛在的交互作用，還有太多的定義不清或尚未定義的變動(dòng)部分。