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關于TMR線性傳感器TMR2905的產(chǎn)品特性介紹和應用

nva3_多維科 ? 來源:djl ? 2019-10-28 14:12 ? 次閱讀
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TMR2905采用了一個獨特的推挽式惠斯通全橋結構設計,包含四個非屏蔽高靈敏度TMR傳感器元件。當外加磁場沿平行于傳感器敏感方向變化時,惠斯通全橋提供差分電壓輸出,并且該輸出具有良好的溫度穩(wěn)定性。TMR2905性能優(yōu)越,采用的封裝形式: SOP8(6mm x 5mm x 1.5mm)。

典型輸出曲線

下圖列出了TMR2905傳感器輸出隨外加磁場強度變化(外加磁場±5 Oe、±30 Oe,工作電源1V)的典型曲線。

關于TMR線性傳感器TMR2905的產(chǎn)品特性介紹和應用

引腳定義及功能框圖

關于TMR線性傳感器TMR2905的產(chǎn)品特性介紹和應用

(SOP8 頂視圖)

引腳號 符號 引腳描述
3 GND
4 V- 模擬差分輸出 2
5 V+ 模擬差分輸出 1
6 VCC 電源
1、2、7、8 N/A 空腳

極限參數(shù)

參數(shù) 符號 限值 單位
工作電壓 VCC 7 V
反向供電電壓 VRCC 7 V
外加磁場 H 3000 Oe(1)
ESD 性能(HBM) VESD 4000 V
使用溫度 TA -40 ~ 125 °C
存儲溫度 Tstg -50 ~ 150 °C

性能參數(shù)(VCC=1.0V,TA=25°C,差分輸出)

參數(shù) 符號 條件 最小值 典型值 最大值 單位
工作電壓 VCC 正常工作 1 7 V
工作電流 ICC 輸出開路 0.2(2) mA
電阻 R 2 5 8 kOhm
靈敏度 SEN 在±5 Oe范圍擬合 45 60 mV/V/Oe
飽和磁場 Hsat ±10 Oe
非線性度 NONL 在±5 Oe范圍擬合 2 %FS
失調電壓 Voffset -30 30 mV/V
磁滯 Hys 在±5 Oe范圍擬合 2 Oe
電阻值溫度系數(shù) TCR H =0 Oe -500 PPM/°C
靈敏度溫度系數(shù) TCS -1100 PPM/°C

注:

(1)1Oe (Oersted) =1Gaussinair=0.1 millitesla= 79.8A/m。

(2)ICC= VCC/R, 不同產(chǎn)品的阻值不同,因此工作電流Icc在1V供電時會有所不同,可根據(jù)要求定制。

(3)具體詳情請咨詢江蘇多維科技有限公司。

封裝尺寸

SOP8封裝圖:

關于TMR線性傳感器TMR2905的產(chǎn)品特性介紹和應用

傳感元件位置

關于TMR線性傳感器TMR2905的產(chǎn)品特性介紹和應用

SOP8封裝

單位:毫米

多維科技承諾本說明書所提供的信息是準確和可靠的,所公開的技術未觸犯其他公司的專利且具有自主知識產(chǎn)權。多維科技具有保留為提 高產(chǎn)品質量,可靠性和功能以更改產(chǎn)品規(guī)格的權力。

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