日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動電路

工程師 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:h1654155205.5246 ? 2019-08-23 11:42 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動電路

M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動電路采用雙電源(+15V,-10V)供電,輸出負(fù)偏壓為-10V,輸入輸出電平與TTL電平兼容,配有短路/過載保護(hù)和封閉性短路保護(hù)功能,同時具有延時保護(hù)特性。

其分別適合于驅(qū)動1200V/100A、600V/200A和1200V/400A、600V/600A及其以下的IGBT.M57959L/M57962L在驅(qū)動中小功率的IGBT時,驅(qū)動效果和各項性能表現(xiàn)優(yōu)良,但當(dāng)其工作在高頻下時,其脈沖前后沿變的較差,即信號的最大傳輸寬度受到限制。且厚膜內(nèi)部采用印刷電路板設(shè)計,散熱不是很好,容易因過熱造成內(nèi)部器件的燒毀。

日本三菱公司的M57959L集成IGBT專用驅(qū)動芯片它可以作為600V/200A或者1200V/100A的IGBT驅(qū)動。其最高頻率也達(dá)40KHz,采用雙電源供電(+15V和-15V)輸出電流峰值為±2A,M57959L有以下特點:

(1)采用光耦實現(xiàn)電器隔離,光耦是快速型的,適合20KHz左右的高頻開關(guān)運行,光耦的原邊已串聯(lián)限流電阻,可將5V電壓直接加到輸入側(cè)。

(2)如果采用雙電源驅(qū)動技術(shù),輸出負(fù)柵壓比較高,電源電壓的極限值為+18V/-15V,一般取+15V/-10V.

(3)信號傳輸延遲時間短,低電平-高電平的傳輸延時以及高電平-低電平的傳輸延時時間都在1.5μs以下。

(4)具有過流保護(hù)功能。M57962L通過檢測IGBT的飽和壓降來判斷IGBT是否過流,一旦過流,M57962L就會將對IGBT實施軟關(guān)斷,并輸出過流故障信號。

(5)M57959的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示,這一電路的驅(qū)動部分與EXB系列相仿,但是過流保護(hù)方面有所不同。過流檢測仍采用電壓采樣,電路特點是采用柵壓緩降,實現(xiàn)IGBT軟關(guān)斷避免了關(guān)斷中過電壓和大電流沖擊;另外,在關(guān)斷過程中,輸入控制信號的狀態(tài)失去作用,既保護(hù)關(guān)斷是在封閉狀態(tài)中完成的。當(dāng)保護(hù)開始時,立即送出故障信號,目的是切斷控制信號,包括電路中其它有源器件。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 驅(qū)動電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    160

    文章

    1630

    瀏覽量

    111943
  • M57962L
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    4

    瀏覽量

    17586
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    Onsemi NTMC083NP10M5L雙溝道MOSFET:設(shè)計與應(yīng)用的理想之選

    Onsemi NTMC083NP10M5L雙溝道MOSFET:設(shè)計與應(yīng)用的理想之選 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件,其性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。本次為大家介紹
    的頭像 發(fā)表于 04-19 16:45 ?916次閱讀

    深入解析 NTMFC013NP10M5L 雙溝道 MOSFET:特性與應(yīng)用

    深入解析 NTMFC013NP10M5L 雙溝道 MOSFET:特性與應(yīng)用 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件,其性能直接影響著整個電路的效率和穩(wěn)定性。今天,我們要詳細(xì)探討的是安森美
    的頭像 發(fā)表于 04-13 17:25 ?352次閱讀

    深入解析 ON Semiconductor 的 NTTBC070NP10M5L 雙溝道 MOSFET

    深入解析 ON Semiconductor 的 NTTBC070NP10M5L 雙溝道 MOSFET 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件,其性能直接影響著整個電路的效率和穩(wěn)定性。今天
    的頭像 發(fā)表于 04-10 10:40 ?574次閱讀

    深入解析NVTFS014P04M8L P溝道MOSFET

    深入解析NVTFS014P04M8L P溝道MOSFET 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,其性能直接影響著整個電路的效率和穩(wěn)定性。今天,我們將深入探討Onsemi公司
    的頭像 發(fā)表于 04-08 15:20 ?202次閱讀

    深入解析 onsemi NVMFS014P04M8L P 溝道 MOSFET

    深入解析 onsemi NVMFS014P04M8L P 溝道 MOSFET 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件,其性能直接影響著電路的效率和穩(wěn)定性。今天,我們將深入探討 onsemi
    的頭像 發(fā)表于 04-07 14:15 ?158次閱讀

    onsemi NVMFS025P04M8L P溝道MOSFET:設(shè)計實用指南

    onsemi NVMFS025P04M8L P溝道MOSFET:設(shè)計實用指南 作為一名電子工程師,在設(shè)計中選擇合適的MOSFET至關(guān)重要。今天我們來詳細(xì)探討onsemi的NVMFS025P04M8L
    的頭像 發(fā)表于 04-07 14:05 ?174次閱讀

    深入解析 onsemi NVMFS9D6P04M8L P 溝道 MOSFET

    深入解析 onsemi NVMFS9D6P04M8L P 溝道 MOSFET 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET 是不可或缺的功率器件,其性能直接影響電路的效率和穩(wěn)定性。今天我們來深入了解 onsemi
    的頭像 發(fā)表于 04-03 15:20 ?574次閱讀

    onsemi NVTFS014P04M8L P溝道MOSFET評估指南

    設(shè)計 NVTFS014P04M8L具備3.3 x 3.3 mm的小尺寸封裝,這種小尺寸設(shè)計對于追求緊湊布局的電子設(shè)備來說非常友好,能有效節(jié)省電路板空間,特別適用于對空間要求苛刻的便攜
    的頭像 發(fā)表于 04-02 14:45 ?218次閱讀

    深入解析 onsemi NVTFS052P04M8L P 溝道 MOSFET

    深入解析 onsemi NVTFS052P04M8L P 溝道 MOSFET 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件,其性能直接影響著電路的效率和穩(wěn)定性。今天,我們就來詳細(xì)探討
    的頭像 發(fā)表于 04-02 14:20 ?214次閱讀

    MAX690A/MAX692A/MAX802L/MAX802M/MAX805L 微處理器監(jiān)控電路詳解

    MAX690A/MAX692A/MAX802L/MAX802M/MAX805L 微處理器監(jiān)控電路詳解 在微處理器(μP)系統(tǒng)的設(shè)計中,電源監(jiān)控和電池控制功能至關(guān)重要,它們直接關(guān)系到系統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 02-28 09:50 ?596次閱讀

    ADM691A/ADM693A/ADM800L/M:微處理器監(jiān)控電路的理想選擇

    ADM691A/ADM693A/ADM800L/M:微處理器監(jiān)控電路的理想選擇 在微處理器系統(tǒng)中,電源監(jiān)控和電池控制功能至關(guān)重要。今天,我們要介紹的ADM691A/ADM693A/ADM800
    的頭像 發(fā)表于 02-27 10:05 ?386次閱讀

    ADM690A/ADM692A/ADM802L/M/ADM805L/M:微處理器監(jiān)控電路的理想之選

    ADM690A/ADM692A/ADM802L/M/ADM805L/M:微處理器監(jiān)控電路的理想之選 在微處理器系統(tǒng)的設(shè)計中,電源監(jiān)控和電池控
    的頭像 發(fā)表于 02-27 10:05 ?362次閱讀

    基于onsemi NVH4L050N170M1碳化硅MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    onsemi NVH4L050N170M1碳化矽(SiC)MOSFET性能卓越,在V~GS~ = 20V時,典型R~DS(on)~ 為53mΩ。onsemi NVH4L050N170M
    的頭像 發(fā)表于 11-24 14:50 ?846次閱讀
    基于onsemi NVH4<b class='flag-5'>L050N170M</b>1碳化硅MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    芯伯樂700mA線性穩(wěn)壓器XBLW L78M05H/L78M12H:穩(wěn)定可靠,簡化電源設(shè)計

    在各類電子設(shè)備中,線性穩(wěn)壓器因其結(jié)構(gòu)簡單、噪聲低、成本低廉而成為基礎(chǔ)電源方案的不二之選。芯伯樂(XBLW)的L78M05H/L78M12H系列是一款經(jīng)典的700mA三端固定正電壓穩(wěn)壓器,以其卓越
    的頭像 發(fā)表于 10-31 18:37 ?765次閱讀
    芯伯樂700mA線性穩(wěn)壓器XBLW <b class='flag-5'>L78M</b>05H/<b class='flag-5'>L78M</b>12H:穩(wěn)定可靠,簡化電源設(shè)計

    M215HGE-L31規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《M215HGE-L31規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 06-04 17:27 ?0次下載
    普安县| 茌平县| 密云县| 民权县| 普格县| 武川县| 阳高县| 宝应县| 阿鲁科尔沁旗| 南川市| 吉水县| 义乌市| 延庆县| 桃源县| 六枝特区| 三门峡市| 灵宝市| 西贡区| 方城县| 米易县| 阳山县| 仙桃市| 哈巴河县| 平南县| 农安县| 景德镇市| 鹿泉市| 融水| 红桥区| 南平市| 阜康市| 哈尔滨市| 鹤庆县| 冀州市| 金坛市| 多伦县| 怀安县| 庆元县| 喀喇| 长乐市| 凤阳县|