GaN功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)袖GaN Systems和全球領(lǐng)先的電源半導(dǎo)體IC供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體今天宣布，采用GaN Systems的650 V、30 A GaN增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管(E-HEMT) 和安森美半導(dǎo)體屢獲殊榮的NCP51820高速門極驅(qū)動器評估板的高速半橋GaN子板已面市。

該評估板針對現(xiàn)有和新的PCB設(shè)計(jì)而開發(fā)，設(shè)計(jì)人員可輕易評估用于現(xiàn)有半橋或全橋電源中的GaN。該評估套件采用25 mm x 25 mm超小布板，減少了器件數(shù)量，從而最小化PCB占板空間?？焖匍_關(guān)GaN功率晶體管的特性，包括1+ MHz工作頻率和200 V/ns 共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)額定值，提供更高的功率密度和更高的性能。

【GaN Systems和安森美半導(dǎo)體的半橋評估套件使設(shè)計(jì)人員可輕易地在超小布板評估GaN，從而獲得極具性價(jià)比的方案?！?/p>

這評估板的優(yōu)勢包括顯著減小損耗、重量、尺寸（布板尺寸可減小達(dá)80％）和系統(tǒng)成本（可節(jié)省達(dá)60％的BOM成本），非常適用于如AC-DC適配器、數(shù)據(jù)中心電源、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)和無橋圖騰柱拓?fù)涞葢?yīng)用。該方案是兩家公司正在開發(fā)的眾多即將推出的基于GaN的電源系統(tǒng)方案之一。 安森美半導(dǎo)體營銷總監(jiān)Ryan Zahn說：

GaN器件生態(tài)系統(tǒng)的擴(kuò)展，包括我們的NCP51820等驅(qū)動器IC，消除了設(shè)計(jì)障礙，并充分利用GaN E-HEMT的眾多優(yōu)勢。隨著人們對GaN的興趣不斷提高和采用，我們期待與GaN Systems保持合作，以支援和滿足許多行業(yè)中出現(xiàn)的新的功率要求。

GaN Systems全球業(yè)務(wù)拓展高級總監(jiān)Charles Bailley說：

與安森美半導(dǎo)體合作開發(fā)的新評估板使得用GaN進(jìn)行設(shè)計(jì)更容易，性價(jià)比更高，為實(shí)現(xiàn)更小、更輕、更高能效的電源轉(zhuǎn)換器開啟了大門。這合作不僅標(biāo)志著創(chuàng)新不僅發(fā)生在采用GaN設(shè)計(jì)的最終產(chǎn)品上，還在優(yōu)化GaN使用的器件、設(shè)計(jì)工具和參考設(shè)計(jì)中。