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SK海力士最新DDR5 EEC內(nèi)存條展示,采用1znm內(nèi)存制造工藝制造

牽手一起夢 ? 來源:IT之家 ? 作者:孤城 ? 2020-01-09 15:17 ? 次閱讀
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根據(jù)消息報道,SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內(nèi)存條,速度達到了DDR5-4800 MHz。

SK Hynix今天在站臺上展示了新一代DDR5 RDIMM內(nèi)存,為下一代企業(yè)平臺設(shè)計,頻率為DDR5-4800 MHz,提供64 GB的單條密度。

根據(jù)之前的消息,與上一代DDR4內(nèi)存相比,新的DDR5標準提供了巨大的性能提升,DDR5支持到了6400 MT/s,帶寬達到32GB/s,比原來的DDR4的25.6 GB/s帶寬快25%。

另一個改進是DDR5芯片的最高密度,現(xiàn)在達到了64GB每條。此外,DDR5有望將芯片運行所需的電壓降至1.1伏特,比DDR4低8%左右。同樣值得指出的是,DDR5芯片是使用1znm內(nèi)存制造工藝制造的。

責(zé)任編輯:gt

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